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3 MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究 被引量：1
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作者 于新 郭旗 +4 位作者 李豫东 何承发 文林 张兴尧 周东 《现代应用物理》 2017年第4期37-42,共6页
针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3 MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量。结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的。通过等效^(60)Coγ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响... 针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3 MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量。结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的。通过等效^(60)Coγ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响,确定器件功能失效是由位移损伤引起的。高温退火后器件功能恢复,并立即对该器件进行了测试。结果表明,输出电压、电压调整度、负载调整度、交叉调整度、纹波及负载跃变时的输出电压均大幅衰退。利用这些敏感参数,获取了位移损伤导致的电源性能衰退模式。根据位移损伤缺陷类型及退火温度,分析了DC/DC的退火规律,可为DC/DC质子辐射损伤模拟试验方法的建立及其空间应用提供依据。 展开更多
关键词 DC/DC 位移损伤效应 电离损伤效应 位移缺陷 退火
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电离损伤效应漂移扩散模型的数值算法和应用
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作者 马召灿 李鸿亮 卢本卓 《太赫兹科学与电子信息学报》 2021年第6期1126-1133,共8页
针对半导体器件中的氧化物由于辐射电离损伤所产生的界面陷阱和体缺陷的模型,采用向后欧拉方法处理时间离散,采用线性化的方法处理带反应项的非线性漂移扩散反应方程,完成了氧化金属–绝缘层–半导体结构(MIS)中二氧化硅层产生界面缺陷... 针对半导体器件中的氧化物由于辐射电离损伤所产生的界面陷阱和体缺陷的模型,采用向后欧拉方法处理时间离散,采用线性化的方法处理带反应项的非线性漂移扩散反应方程,完成了氧化金属–绝缘层–半导体结构(MIS)中二氧化硅层产生界面缺陷和体缺陷的数值模拟。该算法在三维并行自适应有限元软件平台(PHG)上编程实现,模拟的数值结果与电离损伤实验中所出现的低剂量增强效应和在不同氢气浓度条件下的数据相符合。针对模拟结果给出了对应模型的结果分析。 展开更多
关键词 电离损伤效应 氧化物缺陷 界面缺陷 并行有限元
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