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SoC芯片可测试性设计策略的实现研究 被引量:6
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作者 胡明明 王小力 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2011年第2期56-61,共6页
本文结合实际研发要求,对基于USB2.0的数字音频编解码片上系统的可测试性设计(DFT)策略进行了研究。该系统采用UMC 0.13μm CMOS工艺,集成SPRAM、DPRAM、ROM、上电复位单元POR(Power On Reset)、降压转换器LDO(Low Drop Out regulator)... 本文结合实际研发要求,对基于USB2.0的数字音频编解码片上系统的可测试性设计(DFT)策略进行了研究。该系统采用UMC 0.13μm CMOS工艺,集成SPRAM、DPRAM、ROM、上电复位单元POR(Power On Reset)、降压转换器LDO(Low Drop Out regulator)、锁相环PLL(Phase Locked Loop)、电熔丝盒(e-fuse box)、ADC、USB焊盘等模块。本文采用JTAG(Joint Test Action Group)和焊盘控制逻辑PCL(Pad Control Logic)进行测试控制,使得所有模块可测试。扫描链测试采用多种优化策略,故障覆盖率达到98.06%,满足系统设计要求。存储器内建自测试(MBIST),采用并行测试和串行调试策略,将所有存储器测试时间压缩为单块最大容量存储器的测试时间。电熔丝测试控制采用状态机和编程加速逻辑,简化了测试接口,并消除了冗余的编程时间(0%~100%)。本文的各种可测试性设计策略在实际产品中已经得到验证,可广泛应用于复杂的片上系统(SoC)的设计,研究结论具有一定的应用参考价值。 展开更多
关键词 测试控制 测试时间优化 存储器内建自测试 熔丝
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半导体集成电路工艺中电熔丝的研究 被引量:2
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作者 武洁 《集成电路应用》 2017年第6期57-59,共3页
为了提高集成电路良率,基于熔丝技术的冗余电路被大量应用于集成电路设计中。通过选择不同的熔丝种类,达到集成电路设计对编程条件和编程后熔丝阻值的不同需求。通过优化熔丝器件结构、编程条件等参数实现不同应用需求的熔丝量产。实验... 为了提高集成电路良率,基于熔丝技术的冗余电路被大量应用于集成电路设计中。通过选择不同的熔丝种类,达到集成电路设计对编程条件和编程后熔丝阻值的不同需求。通过优化熔丝器件结构、编程条件等参数实现不同应用需求的熔丝量产。实验中,多晶硅电迁移熔丝发生电迁移时编程电流约为10 mA,只有多晶硅热熔断熔丝编程电流的1/3,这样可以有效减小fuse选择管NMOS的尺寸,减小芯片面积。 展开更多
关键词 多晶硅熔丝 激光熔丝 熔丝 迁移熔丝
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eFuse器件的电迁移三维有限元仿真
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作者 王锦任 王家佳 +2 位作者 赵晨阳 刘海南 李多力 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期577-584,599,共9页
应用有限元分析软件建立了电可编程熔丝(eFuse)器件的三维有限元模型,通过离子流通量散度法和最小原子浓度法对eFuse器件的电迁移熔断过程进行了多物理场耦合有限元仿真,仿真结果能够较好地拟合器件的实际熔断效果。通过仿真对比了不同... 应用有限元分析软件建立了电可编程熔丝(eFuse)器件的三维有限元模型,通过离子流通量散度法和最小原子浓度法对eFuse器件的电迁移熔断过程进行了多物理场耦合有限元仿真,仿真结果能够较好地拟合器件的实际熔断效果。通过仿真对比了不同阴极面积和不同编程电压条件下的电迁移过程及熔断效果。结果表明,更大的阴极面积能够提高熔丝局部的温度梯度,从而提高熔断效率;更高的编程电压能够提供更高的电流密度和温度,从而加速电迁移的发生并增大了eFuse熔断区的面积。提出了一种具有外部辅助加热功能的eFuse器件结构,并在不同条件下进行了电迁移熔断仿真,结果表明该结构能够显著提高eFuse器件局部的离子流通量散度,从而提高eFuse存储单元的熔断效率和编程良率。 展开更多
关键词 可编程熔丝(eFuse) 迁移 有限元仿真 离子流通量散度 热断裂
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eFuse熔丝电阻值的测量方法
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作者 晏颖 张睿 《电子与封装》 2022年第10期18-25,共8页
作为电编程熔丝(eFuse)中的存储介质,熔丝的电阻值用来表征所存储的数据。2种采用5端口法设计的测试单元被用来测量eFuse单元中熔丝的电阻值以及编程控制管的特性参数,并应用于后续通过测试芯片测量eFuse中熔丝电阻的方案中,以间接测量e... 作为电编程熔丝(eFuse)中的存储介质,熔丝的电阻值用来表征所存储的数据。2种采用5端口法设计的测试单元被用来测量eFuse单元中熔丝的电阻值以及编程控制管的特性参数,并应用于后续通过测试芯片测量eFuse中熔丝电阻的方案中,以间接测量eFuse编程通路的电阻值并消除漏电电流影响的方式准确推算出熔丝的电阻值。最后,提出了1种在常规eFuse中增加辅助电路来测量熔丝电阻的设计方案及测量方法。 展开更多
关键词 编程熔丝 熔丝 阻值测量
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基于钴硅化物电迁移现象的电熔丝器件的优化设计与研究 被引量:1
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作者 林昆 何波涌 《微计算机信息》 2009年第23期218-219,242,共3页
设计了一种完全兼容现有0.18μm标准CMOS工艺的,利用电迁移现象的,价格低廉的电熔丝器件结构。结果表明,在该结构下,通过优化参数,所获得的eFUSE器件结构,熔断后电阻高达107欧姆数量级,熔断率高达99%,解决了传统结构下中熔丝熔断后电阻... 设计了一种完全兼容现有0.18μm标准CMOS工艺的,利用电迁移现象的,价格低廉的电熔丝器件结构。结果表明,在该结构下,通过优化参数,所获得的eFUSE器件结构,熔断后电阻高达107欧姆数量级,熔断率高达99%,解决了传统结构下中熔丝熔断后电阻太小,局部过热可能产生爆裂的问题。 展开更多
关键词 编程熔丝 迁移 CMOS集成 冗余技术 硅化物
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E-fuse阵列高效率测试验证方案及实现
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作者 陈礼清 林光启 +3 位作者 赵瑞豪 梅杰 胡启誉 张克堂 《电子测量技术》 2014年第11期11-15,共5页
随着电编程熔丝(E-fuse)技术在集成电路领域中的应用越来越广泛,对测试验证环节的要求也越来越高,测试人员也面临更大的挑战,因此在电编程熔丝开发过程中,如何提高E-fuse测试验证效率是研究的重点和难点之一。基于E-fuse阵列在测试验证... 随着电编程熔丝(E-fuse)技术在集成电路领域中的应用越来越广泛,对测试验证环节的要求也越来越高,测试人员也面临更大的挑战,因此在电编程熔丝开发过程中,如何提高E-fuse测试验证效率是研究的重点和难点之一。基于E-fuse阵列在测试验证上的效率低、样品需求多、数据分析难等问题,对现有的测试验证方法提出了一种E-fuse阵列bits层面上实现编程的测试方案。相比较传统测试流程,该方案可以节省38.8%甚至90%以上的测试验证时间,同时还具有测试设置方便、样品需求少、数据精确度高等特性。 展开更多
关键词 测试技术 可编程熔丝 高效率 验证
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采用电编程熔丝调节芯片参数的测试流程
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作者 王帆 《电子技术与软件工程》 2017年第7期108-108,共1页
利用电子的迁移特性可以生成一种微小的熔丝结构,这种熔丝结构称为电编程熔丝eFUSE,可以在芯片上编程。为了提高芯片测试的准确性并降低测试成本,eFUSE被广泛的用于芯片的设计中,用来调整芯片的各项参数。本文主要介绍了一种采用eFUSE... 利用电子的迁移特性可以生成一种微小的熔丝结构,这种熔丝结构称为电编程熔丝eFUSE,可以在芯片上编程。为了提高芯片测试的准确性并降低测试成本,eFUSE被广泛的用于芯片的设计中,用来调整芯片的各项参数。本文主要介绍了一种采用eFUSE调节芯片参数的测试流程,并通过与传统的芯片参数调节方法作对比,展示出采用eFUSE的优势。 展开更多
关键词 编程熔丝 参数调节 测试流程
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