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PT变化对PMN基陶瓷电致应变及滞后效应的影响 被引量：2
1
作者 杨祖培 刘少恒 +1 位作者 高峰 田长生 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期14-17,共4页
采用熔盐法制备了不同成分的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 PbTiO3二元系固溶体陶瓷,并研究了PbTiO3成分变化对该体系的介电性能、电致应变和电滞回线的影响。实验表明,随着PbTiO3含量的增加导致PMN基陶瓷的居里温度Tm逐渐升高,弥散相变度δ逐渐下降... 采用熔盐法制备了不同成分的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 PbTiO3二元系固溶体陶瓷,并研究了PbTiO3成分变化对该体系的介电性能、电致应变和电滞回线的影响。实验表明,随着PbTiO3含量的增加导致PMN基陶瓷的居里温度Tm逐渐升高,弥散相变度δ逐渐下降,最大介电常数εmax逐渐增大,最大电致应变也逐渐增大,但滞后性却逐渐增强。 展开更多
关键词 Pb(Mg13Nb23)O3-PbTiO3基陶瓷 PBTIO3 介电性能 电致应变 电滞后
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镧掺杂对PZN基陶瓷的电致应变和电滞后的影响 被引量：1
2
作者 屈绍波 杨祖培 +2 位作者 于海军 高峰 田长生 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期22-25,共4页
用二次合成法制备了掺镧的 PZN基多元系陶瓷并研究了镧掺杂对该体系陶瓷的相结构、介电、电致伸缩性能及电滞回线的影响。实验结果表明 :随着镧含量的增加 ,陶瓷的钙钛矿相含量、介电常数、纵向及横向电致应变和电致伸缩系数减小 ,电滞... 用二次合成法制备了掺镧的 PZN基多元系陶瓷并研究了镧掺杂对该体系陶瓷的相结构、介电、电致伸缩性能及电滞回线的影响。实验结果表明 :随着镧含量的增加 ,陶瓷的钙钛矿相含量、介电常数、纵向及横向电致应变和电致伸缩系数减小 ,电滞后效应降低即剩余极化和矫顽场强减小 ,陶瓷的介电性能的温度稳定性也得到了改善。 展开更多
关键词 PZN基陶瓷 镧掺杂 电致应变 电滞后
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BT、PT变化对PZN基陶瓷电致应变及电滞后效应的影响 被引量：2
3
作者 屈绍波 高峰 等 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第B12期98-101,共4页
制备了不同成分的Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-BaTiO3-PbTiO3三元系固溶体陶瓷，并研究了BaTiO3、PbTiO3成分变化对该体系的电致应变和电滞回线的影响，实验表明随着BaTiO3含量的增加使材料的电致应变和电致应变系数减小、材料的剩余极化和矫顽场... 制备了不同成分的Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-BaTiO3-PbTiO3三元系固溶体陶瓷，并研究了BaTiO3、PbTiO3成分变化对该体系的电致应变和电滞回线的影响，实验表明随着BaTiO3含量的增加使材料的电致应变和电致应变系数减小、材料的剩余极化和矫顽场减弱；PbTiO3含量的增加导致电致应变减小、电致应变系数增加、剩余极化和矫顽场增强。 展开更多
关键词 电致应变 电滞后效应 铌锌酸铅 钛酸钡 钛酸铅 PZN基陶瓷
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电火花线切割加工拐角误差控制方法
4
作者 张旭东 邓聪 +2 位作者 刘志东 张翼 王烜 《电加工与模具》 2023年第4期30-35,共6页
单向走丝电火花线切割机床采用各种拐角控制策略使塌角尺寸大幅减小,往复走丝电火花线切割目前主要是在拐角处设置简单的程序或措施以减小拐角误差。通过对电火花线切割拐角误差成因的分析,介绍了单向走丝电火花线切割拐角误差的控制方... 单向走丝电火花线切割机床采用各种拐角控制策略使塌角尺寸大幅减小,往复走丝电火花线切割目前主要是在拐角处设置简单的程序或措施以减小拐角误差。通过对电火花线切割拐角误差成因的分析,介绍了单向走丝电火花线切割拐角误差的控制方法(能量控制法、轨迹控制法、实时检测修正法与人工智能技术应用)和往复走丝电火花线切割常用的拐角误差控制方法。通过了解拐角误差的产生原因和处理方法,从而在生产实践中选择适当的方法以减小拐角误差,有助于对该问题进行进一步研究。 展开更多
关键词 电火花线切割加工 拐角误差 电极丝滞后 控制方法
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应力促进PZT铁电陶瓷的电致滞后断裂
5
作者 王毅 褚武扬 +2 位作者 宿彦京 高克玮 乔利杰 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期585-588,共4页
用单边缺口拉伸试样研究了外加应力强度因子对PZT-5铁电陶瓷电致瞬时断裂以及在硅油中电致滞后断裂的影响结果表明,在硅油中发生瞬时断裂的临界电场强度E_F随外加应力强度因子K_I的升高而线性下降.外加正、负恒电场在硅油中能发生滞后断... 用单边缺口拉伸试样研究了外加应力强度因子对PZT-5铁电陶瓷电致瞬时断裂以及在硅油中电致滞后断裂的影响结果表明,在硅油中发生瞬时断裂的临界电场强度E_F随外加应力强度因子K_I的升高而线性下降.外加正、负恒电场在硅油中能发生滞后断裂,外加K_I则促进电致滞后断裂.电致滞后断裂的门槛电场E_(DF)随K_I升高而线性下降,且和电场符号无关外加应力促进恒电场下的滞后断裂表明,应力、电场和环境对铁电陶瓷的断裂存在耦合作用. 展开更多
关键词 PZT铁电陶瓷 应力 电致瞬时断裂 电致滞后断裂
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PZT-5H导电缺口电致滞后开裂
6
作者 乔光利 宿彦京 +1 位作者 乔利杰 褚武扬 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1103-1105,共3页
研究了PZT-5H铁电陶瓷导电缺口发生电致滞后断裂的可能性及其规律．结果表明,PZT-5H导电缺口发生电致断裂的临界电场E_F=14．7±3．2 kV/cm．如外加电场E＜EF,则在导电缺口前端瞬时产生电致微裂纹,若保持恒电场E,电致裂纹将缓慢扩... 研究了PZT-5H铁电陶瓷导电缺口发生电致滞后断裂的可能性及其规律．结果表明,PZT-5H导电缺口发生电致断裂的临界电场E_F=14．7±3．2 kV/cm．如外加电场E＜EF,则在导电缺口前端瞬时产生电致微裂纹,若保持恒电场E,电致裂纹将缓慢扩展直至试样发生滞后断裂,滞后断裂的门槛电场E_(DF)= 9．9 kV/cm．如E＜EDF,在恒电场作用下电致微裂纹也能缓慢扩展,但试样不发生断裂．如E＜EK=4．9 kV/cm,则电致裂纹并不瞬时形核,只有在恒电场下经过一定的孕育期后电致裂纹才形核并扩展一定距离,但试样也不会发生断裂．如E＜E_(DF)=2．4 kV/cm,即使长时间施加电场,裂纹也不形核．导电裂纹的滞后形核和滞后断裂归因于恒电场下从缺口顶端发出的电荷密度随时间而增大,当外加电场小于电荷发射的门槛电场时不会发生电致裂纹的滞后形核． 展开更多
关键词 PZT铁电陶瓷 导电缺口 电致开裂 电致滞后断裂
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