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非铁电巨介电压敏材料CCTO 被引量：4
1
作者 罗绍华 武聪 田勇 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1603-1610,共8页
本文主要介绍了近年来一种新型类钙钛矿型非铁电巨介电非线性压敏陶瓷材料——CaCu3Ti4O12,概述了其在晶体结构、相结构、微观形貌、多条件下介电特性和I-V特性等方面的研究进展。比较了CaCu3Ti4O12陶瓷的各种巨介电性理论和模型,阐述... 本文主要介绍了近年来一种新型类钙钛矿型非铁电巨介电非线性压敏陶瓷材料——CaCu3Ti4O12,概述了其在晶体结构、相结构、微观形貌、多条件下介电特性和I-V特性等方面的研究进展。比较了CaCu3Ti4O12陶瓷的各种巨介电性理论和模型,阐述了压敏特性的起源。在讨论CaCu3Ti4O12陶瓷巨介电性和压敏特性机理的同时,指出了CaCu3Ti4O12作为介电材料和压敏材料的研究方向及应用的可能性。掺杂、复合及热处理工艺等对CaCu3Ti4O12电性能影响的系统性研究工作还需要进一步深入;纳米化可能会导致其某项特性的进一步提升,而薄膜化尽早与微电子领域的需要相结合会产生更广阔的应用空间。 展开更多
关键词 CACU3TI4O12 巨介电 电流-电压非线性 压敏电阻
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新型巨介电压敏陶瓷材料钛酸铜钙研究进展 被引量：3
2
作者 罗绍华 《电瓷避雷器》 CAS 2008年第6期25-30,共6页
介绍了一种新型类钙钛矿型巨介电非线性压敏陶瓷材料——CaCu3Ti4O12概述了其在晶体结构、相结构、微观形貌、多条件下介电特性和电流-电压特性等方面的研究进展。比较了CaCu3Ti4O12陶瓷的各种巨介电性理论和模型，阐述了压敏特性的起... 介绍了一种新型类钙钛矿型巨介电非线性压敏陶瓷材料——CaCu3Ti4O12概述了其在晶体结构、相结构、微观形貌、多条件下介电特性和电流-电压特性等方面的研究进展。比较了CaCu3Ti4O12陶瓷的各种巨介电性理论和模型，阐述了压敏特性的起源。指出CaCu3Ti4O12的巨介电特性还有隐含的物理意义没有被发现．其极化机制、拉曼谱上出现的特征能隙和特征频率的物理意义等都是有待解决的基本问题。应通过不同的制备工艺、产生不同缺陷和孪晶以及尺寸、应力研究介电特性与温度间的关系，为合理解决CaCu3Ti4O12的反常行为提供一些实验数据。同时CaCu3Ti4O12的压敏特性的研究还不充分，掺杂、复合及热处理工艺等对其影响的系统性研究工作还需要进一步的深入。纳米化可能会导致其某项特性的进一步提升．而薄膜化尽早与微电子的需要结合会产生更广的应用空间。 展开更多
关键词 CACU3TI4O12 巨介电 电流-电压非线性 压敏电阻
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CaCu_3Ti_4O_(12)-xMg_2TiO_4陶瓷的介电性能
3
作者 杨锋莉 吴俊林 +1 位作者 闫妍 刘鹏 《陕西师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期23-26,30,共5页
采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12（CCTO）-xMg2TiO4（x=0,0.2,0.4,0.6）陶瓷样品.利用X射线衍射仪和扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌,并用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,进而研究Mg2TiO4对CCT... 采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12（CCTO）-xMg2TiO4（x=0,0.2,0.4,0.6）陶瓷样品.利用X射线衍射仪和扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌,并用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,进而研究Mg2TiO4对CCTO材料微观结构和介电性能的影响.结果表明：添加Mg2TiO4可促进CCTO晶界处小晶粒生长,抑制大晶粒生长,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低CCTO陶瓷样品低频范围的介电损耗.当x=0.2时,在50~150 Hz频率范围内,tanδ均在0.05附近.该实验结果为优化CCTO材料性能、推进其在电容器方面的应用提供了实验依据. 展开更多
关键词 CaCu3Ti4O12(CCTO) 巨介电常数 电流-电压非线性
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CaCu_(2.7)Ti_4O_(12)介电性能和J-E特征
4
作者 吴爽爽 莫兴婵 +4 位作者 韦成峰 韦小圆 朱文凤 覃远东 刘来君 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第14期96-99,107,共5页
采用传统的固相反应法制备了Cu欠量的CaCu3Ti4O12(CaCu2.7Ti4O12)陶瓷,研究了不同烧结时间对CaCu2.7Ti4O12相结构、显微形貌、介电性能和J-E非线性特征的影响。结果表明,延长保温时间降低了CaCu2.7-Ti4O12陶瓷的中低频介电损耗和击穿场... 采用传统的固相反应法制备了Cu欠量的CaCu3Ti4O12(CaCu2.7Ti4O12)陶瓷,研究了不同烧结时间对CaCu2.7Ti4O12相结构、显微形貌、介电性能和J-E非线性特征的影响。结果表明,延长保温时间降低了CaCu2.7-Ti4O12陶瓷的中低频介电损耗和击穿场强并且显著提高了其介电常数。采用肖特基热电子发射模型对其非线性特征和电学性能的变化机理进行了分析,认为耗尽层宽度是影响电学性能的主要因素。保温30h的CaCu2.7Ti4O12陶瓷有望作为低压压敏电阻应用于半导体电路中。 展开更多
关键词 CCTO陶瓷 电流-电压非线性 压敏电阻器 巨介电响应
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