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电极形状对GaN基发光二极管芯片性能的影响
被引量：
2
1
作者
宋雪云
张俊兵
+1 位作者
曾祥华
董雅娟
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期4989-4995,共7页
采用Crosslight APSYS这一行业专业软件对p-GaN,InGaN/InGaN多量子阱,n-GaN和蓝宝石的芯片结构研究了不同电极形状与器件的光电性能之间的关系.优化设计了普通指形电极、对称型指形电极、h形指形电极、旋转形电极、中心环绕形电极、树...
采用Crosslight APSYS这一行业专业软件对p-GaN,InGaN/InGaN多量子阱,n-GaN和蓝宝石的芯片结构研究了不同电极形状与器件的光电性能之间的关系.优化设计了普通指形电极、对称型指形电极、h形指形电极、旋转形电极、中心环绕形电极、树形电极等6种电极结构.通过电极优化设计,电流分布更加均匀,减小了电流的聚集效应.优化后的电极结构结果表明:芯片的电特性得到了提高,芯片的光特性得到了明显改善,芯片的出光效率大幅度提高,芯片的转化效率得到了提升.
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关键词
GaN基发光二级管
电极形状
电流
聚集
效应
光电性能
原文传递
题名
电极形状对GaN基发光二极管芯片性能的影响
被引量：
2
1
作者
宋雪云
张俊兵
曾祥华
董雅娟
机构
扬州大学物理科学与技术学院
江苏省新光源半导体照明工程技术研究中心
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期4989-4995,共7页
基金
江苏省高技术研究计划(批准号:BG2007026)资助的课题~~
文摘
采用Crosslight APSYS这一行业专业软件对p-GaN,InGaN/InGaN多量子阱,n-GaN和蓝宝石的芯片结构研究了不同电极形状与器件的光电性能之间的关系.优化设计了普通指形电极、对称型指形电极、h形指形电极、旋转形电极、中心环绕形电极、树形电极等6种电极结构.通过电极优化设计,电流分布更加均匀,减小了电流的聚集效应.优化后的电极结构结果表明:芯片的电特性得到了提高,芯片的光特性得到了明显改善,芯片的出光效率大幅度提高,芯片的转化效率得到了提升.
关键词
GaN基发光二级管
电极形状
电流
聚集
效应
光电性能
Keywords
GaN based light-emitting diode
electrode shape
current crowding effects
photoelectric property
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电极形状对GaN基发光二极管芯片性能的影响
宋雪云
张俊兵
曾祥华
董雅娟
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
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