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具有平坦增益的3.1~10.6GHz UWB CMOS低噪声放大器设计 被引量:4
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作者 杜四春 王春华 张光祥 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期49-53,共5页
提出了一种采用0.18μm CMOS工艺的3.1~10.6GHz超宽带低噪声放大器.电路的设计采用了电流复用技术与阻抗反馈结构,具有低功耗和平坦增益的特性.仿真结果显示,在3.1~10.6GHz频率变化范围内,低噪声放大器达到平均17.5dB的电压增益,输入... 提出了一种采用0.18μm CMOS工艺的3.1~10.6GHz超宽带低噪声放大器.电路的设计采用了电流复用技术与阻抗反馈结构,具有低功耗和平坦增益的特性.仿真结果显示,在3.1~10.6GHz频率变化范围内,低噪声放大器达到平均17.5dB的电压增益,输入和输出的回波损耗均低于-8dB,最小噪声系数约为2.8dB,在电源电压为1.5V下功耗约为11.35mW. 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) 超宽带 平坦度 电流复用技术
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一款0.6~4.2 GHz宽带低噪声放大器设计 被引量:4
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作者 汪宁欢 郑远 +2 位作者 何旭 陈新宇 杨磊 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第1期17-22,共6页
采用0.25μm GaAs E-pHEMT工艺设计和制作了一款0.6~4.2 GHz宽带低噪声放大器芯片。芯片采用电流复用技术,降低了整体功耗,且集成了关断(Shutdown)控制电路用于关断低噪声放大器。测试结果表明,在工作频带内,低噪声放大器增益大于23 dB... 采用0.25μm GaAs E-pHEMT工艺设计和制作了一款0.6~4.2 GHz宽带低噪声放大器芯片。芯片采用电流复用技术,降低了整体功耗,且集成了关断(Shutdown)控制电路用于关断低噪声放大器。测试结果表明,在工作频带内,低噪声放大器增益大于23 dB,增益平坦度在2 dB左右,输入输出回波损耗小于-10 dB,噪声系数低于1 dB,输出1 dB压缩点大于17 dBm,开关时间均在30 ns左右。芯片具有宽带、噪声系数低、集成度高和低功耗等特点,在基站接收系统中具有一定的应用价值。 展开更多
关键词 5G 砷化镓增强型赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 电流复用技术
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一种低功耗高性能AB类运算放大器的设计
3
作者 郑慧臻 王科平 谢生 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期142-150,共9页
为了解决传统运算放大器在物联网系统等低功耗应用中转换速率较低和增益带宽积较小的问题,设计了一种新型的AB类运算放大器。提出了基于差分对管的电流复用技术,将输入晶体管产生的差分电流再次利用,提高了电路的输出电流,获得了更高的... 为了解决传统运算放大器在物联网系统等低功耗应用中转换速率较低和增益带宽积较小的问题,设计了一种新型的AB类运算放大器。提出了基于差分对管的电流复用技术,将输入晶体管产生的差分电流再次利用,提高了电路的输出电流,获得了更高的转换速率、增益带宽积和直流增益。此外,结合了基于自适应偏置电路的AB类输入级和局部共模反馈电路,使得运算放大器输出级的动态电流摆脱了静态电流的限制,以较小的静态电流获得了较大的动态电流,进一步提升了电路的关键性能参数。基于180 nm CMOS工艺,对运算放大器进行设计和验证。仿真结果表明:在70 pF的负载电容下,正负转换速率分别为23.55 V/μs和-31.47 V/μs,增益带宽积为2.38 MHz,直流增益为63 dB,静态功耗仅为23μW。与传统的AB类运算放大器相比,所提出的电路在实现低功耗的同时具有更高的转换速率、增益带宽积和直流增益,适用于模数转换器和电源管理等低功耗电路系统。 展开更多
关键词 AB类运算放大器 电流复用技术 自适应偏置电路 局部共模反馈 高转换速率 高带宽 低功耗
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一种适用于5G通信的分布式低噪声放大器 被引量:4
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作者 张瑛 李泽有 +1 位作者 李鑫 耿萧 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第1期44-48,54,共6页
宽带低噪声放大器是5G无线通信系统中的关键模块。针对6GHz以下5G通信应用频段,基于65nm CMOS工艺,设计了一种三级均匀分布式宽带低噪声放大器。在增益单元电路中,采用噪声抵消技术降低了噪声,同时实现了信号的单转双变换,并通过电流复... 宽带低噪声放大器是5G无线通信系统中的关键模块。针对6GHz以下5G通信应用频段,基于65nm CMOS工艺,设计了一种三级均匀分布式宽带低噪声放大器。在增益单元电路中,采用噪声抵消技术降低了噪声,同时实现了信号的单转双变换,并通过电流复用技术提升了增益。栅极人工传输线的终端采用了RL型负载,进一步改善了放大器的噪声性能。仿真结果表明,该分布式低噪声放大器的带宽为0.5~5.7GHz,带内增益达到24.2dB,噪声系数低于4.5dB,而最小噪声系数仅为2.7dB。 展开更多
关键词 分布式放大器 噪声抵消 电流复用技术 RL型负载
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具有带外抑制的限幅低噪声放大器一体化设计 被引量:1
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作者 余巨臣 彭龙新 +4 位作者 刘昊 凌志健 贾晨阳 闫俊达 刘飞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第6期493-497,共5页
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款27.5~31 GHz具有带外抑制特性的限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。限幅器采用两级并联结构,用微带线进行输入输出匹配,以减小限幅器的插入损耗和电压驻波比... 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款27.5~31 GHz具有带外抑制特性的限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。限幅器采用两级并联结构,用微带线进行输入输出匹配,以减小限幅器的插入损耗和电压驻波比。未单独设计滤波器,而是在LNA的匹配网络中加入滤波支路,且分散置于各级匹配网络中,以减小噪声损耗。LNA为三级级联结构,采用单电源和电流复用结构,以实现较小的电流和功耗。测试结果表明,该MMIC在27.5~31 GHz内增益大于21 dB,噪声系数小于3.6 dB,1 dB压缩点输出功率大于5.5 dBm,在17.6~20.6 GHz内带外抑制比小于-50 dBc,可以承受20 W的脉冲输入功率。 展开更多
关键词 滤波器 限幅器 低噪声放大器(LNA) 电流复用技术 单片微波集成电路(MMIC)
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具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器 被引量:2
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作者 曾志 李远鹏 陈长友 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期36-40,共5页
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和... 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和较好的带外抑制特性;LNA采用单电源和电流复用结构,实现较高的增益和较低的功耗。测试结果表明,该MMIC芯片在30~34 GHz频带内,增益大于28 dB,噪声系数小于2.8 dB,功耗小于60 mW,在17~19 GHz频带内带外抑制比小于-35 dBc。芯片尺寸为2.40 mm×1.00 mm。该LNA MMIC可应用于毫米波T/R系统中。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) 微波单片集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 带外抑制 电流复用技术
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一种高增益、低功耗的超宽带低噪声放大器 被引量:2
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作者 刘丹丹 马铭磷 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2019年第7期109-113,共5页
提出了一种基于跨导增强技术及噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器电路,并且在电路中采用了电流复用技术。电路由输入级、放大级和输出级3部分组成。在输入级中,利用跨导增强技术实现了电路输入阻抗的匹配;在放大级中,利用跨导增强技术... 提出了一种基于跨导增强技术及噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器电路,并且在电路中采用了电流复用技术。电路由输入级、放大级和输出级3部分组成。在输入级中,利用跨导增强技术实现了电路输入阻抗的匹配;在放大级中,利用跨导增强技术以及电流复用技术使电路增益有了明显的提升,并且利用噪声抵消技术、跨导增强技术使得电路的噪声性能以及功耗有了明显的改善;在输出级中,利用电感与电容谐振的原理实现输出阻抗的匹配。该放大器采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺,并利用ADS对电路进行优化仿真,结果表明,该放大器在3~5 GHz范围内增益为20.4~21.8 dB,噪声系数为1~1.8 dB。电路工作电压为1 V,功耗为7.9 mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 跨导增强技术 电流复用技术 噪声抵消技术 噪声系数 增益
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高增益高线性度CMOS偶次谐波混频器设计 被引量:1
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作者 程知群 高俊君 +1 位作者 朱雪芳 徐胜军 《电子器件》 CAS 2010年第3期286-289,共4页
设计了一种能应用于GPS接收机的偶次谐波混频器,在RF输入端采用了电流复用电路提高混频器的转换增益和线性度,在LO输入端采用了倍频技术。同时,该拓扑结构还具有低功耗的优点。仿真结果表明:在1.8V电源电压下,RF频率1.575GHz,LO频率0.78... 设计了一种能应用于GPS接收机的偶次谐波混频器,在RF输入端采用了电流复用电路提高混频器的转换增益和线性度,在LO输入端采用了倍频技术。同时,该拓扑结构还具有低功耗的优点。仿真结果表明:在1.8V电源电压下,RF频率1.575GHz,LO频率0.7895 GHz,LO功率为-5 dBm时,该混频器的转换增益为20.848 dB,三阶交调截至点为-2.297 dBm。表现出了高增益、高线性度的性能。 展开更多
关键词 电流复用技术 倍频技术 偶次谐波混频器 CMOS
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一种可重构CMOS低噪声放大器的设计
9
作者 程鹏 段吉海 +1 位作者 徐卫林 韦保林 《桂林电子科技大学学报》 2019年第2期103-107,共5页
为了解决多模卫星导航系统中信号接收问题,基于0.18μmCMOS工艺设计了一种可重构低噪声放大器。低噪声放大器采用PCSNIM和电流复用技术,避免了巴伦的使用,并完成了单端至差分的转换,同时也解决了双频段的噪声和阻抗匹配问题。仿真结果表... 为了解决多模卫星导航系统中信号接收问题,基于0.18μmCMOS工艺设计了一种可重构低噪声放大器。低噪声放大器采用PCSNIM和电流复用技术,避免了巴伦的使用,并完成了单端至差分的转换,同时也解决了双频段的噪声和阻抗匹配问题。仿真结果表明,电源电压为1.8V,LNA在1.2GHz/1.57GHz频段的增益分别为14dB/19dB,噪声系数分别为1.6dB/2.0dB,三阶截点分别为-9.5dBm/-7.5dBm,输入反射系数分别为-13dB/-32dB,输出反射系数分别为-33dB/-35dB。该电路具有良好的性能指标满足导航系统的标准,具有一定的使用价值。 展开更多
关键词 低噪声放大器 电流复用技术 双频段 PCSNIM
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基于电流复用与有源电感的UWB LNA
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作者 赵彦晓 张万荣 +1 位作者 谢红云 赵飞义 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期87-90,共4页
设计了一款超宽带低噪声放大器(UWB LNA).采用Cascode-共基极电流复用结构,直流通路时能有效降低功耗,交流通路时增加了电路的增益,并且保持了Cascode结构高反向隔离性的优点.采用有源电感替代输出级的螺旋电感,减小了芯片面积,并且通... 设计了一款超宽带低噪声放大器(UWB LNA).采用Cascode-共基极电流复用结构,直流通路时能有效降低功耗,交流通路时增加了电路的增益,并且保持了Cascode结构高反向隔离性的优点.采用有源电感替代输出级的螺旋电感,减小了芯片面积,并且通过改变有源电感等效电感值的大小,实现UWB LNA增益的调节功能.基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用射频/微波集成电路仿真工具ADS对该UWB LNA进行了验证.结果表明:在3.1~10.6GHz频段内,增益大于14.1dB,噪声系数小于4.0dB,输入与输出反射系数均小于-10dB,频率为7GHz时输入三阶交调点为-11dBm,功耗为19.75mW. 展开更多
关键词 电流复用技术 有源电感 锗硅异质结双极晶体管 超宽带低噪声放大器 射频前端
原文传递
基于CMOS工艺的RFID双频低噪声放大器设计与仿真
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作者 裴世锋 南敬昌 毛陆虹 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2012年第6期23-27,共5页
设计出一种可应用于RFID系统,同时工作在915 MHz和2.45 GHz的双频段低噪声放大器.该设计以最大程度降低噪声为目标,采用并联LC网络替代传统单一高感值电感,并引入电流复用技术,最终实现高增益低功耗的双频段低噪声放大器的设计目标.仿... 设计出一种可应用于RFID系统,同时工作在915 MHz和2.45 GHz的双频段低噪声放大器.该设计以最大程度降低噪声为目标,采用并联LC网络替代传统单一高感值电感,并引入电流复用技术,最终实现高增益低功耗的双频段低噪声放大器的设计目标.仿真结果如下:在915MHz和2.45GHz的频率下,噪声系数均小于0.6dB;S(1,1)小于—15dB;S(2,2)小于—11dB;输入驻波比≤1.4;输出驻波比≤1.8;1dB压缩点约为—16.5dBm.仿真结果表明,在两个频段中的测试结果均优于预期指标的要求,为实际双频段低噪声放大器的设计及优化提供参考。 展开更多
关键词 RFID系统 双频段 低噪声放大器 并联LC网络 电流复用技术
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