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电极化对FBAR应力负载效应影响的分析
被引量：
1
1
作者
张大鹏
高杨
+1 位作者
王宇航
文数文
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期366-369,共4页
基于薄膜体声波谐振器(FBAR)的力学传感器有很大的应用潜力,但其应力负载效应的敏感机理尚不明确。电极化效应可能是应力负载效应的敏感机理之一。为了研究电极化效应对谐振频率的影响,提出了电极化效应的解析模型。首先根据在理想FBAR...
基于薄膜体声波谐振器(FBAR)的力学传感器有很大的应用潜力,但其应力负载效应的敏感机理尚不明确。电极化效应可能是应力负载效应的敏感机理之一。为了研究电极化效应对谐振频率的影响,提出了电极化效应的解析模型。首先根据在理想FBAR中并联谐振频率与纵波声速的关系,推导出并联谐振频率关于压电层材料参数的表达式;然后根据直流电压主要对FBAR的弹性常数和厚度的影响,推导出并联谐振频率与直流电压的关系;最后利用压电效应,得到了力载荷与并联谐振频率的关系。代入数值计算得到并联谐振频率的相对偏移量为+1.003%@400V,对比测试结果,并联谐振频率的相对偏移量为+0.90%@400V,验证了模型的正确性。计算了力载荷为1mN时,电极化效应导致谐振频率的偏移量约为0.5kHz。对比实验测得的应力负载效应对谐振频率的偏移量最低约为262kHz,证明了在应力负载效应中,电极化效应对谐振频率偏移的影响可忽略。
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关键词
微机
电
系统
力学传感器
薄膜体声波谐振器
应力负载
效应
电
极化效应
解析模型
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职称材料
相位共轭波与简并四波混频的探析
2
作者
张循利
《滨州师专学报》
2001年第2期40-41,共2页
研究了相位共轭波间的根本特点 。
关键词
相位共轭波
非线性介质
四波混频
光学
非线性
电
极化效应
传播方法
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职称材料
逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结2DEG特性的影响
3
作者
李若凡
武一宾
+2 位作者
马永强
张志国
杨瑞霞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期56-58,72,共4页
从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发，通过自洽求解一维Poisson-Schrtidinger方程，研究了逆压电极化效应对AlGaN／GaN异质结中2DEG浓度的影响。计算结果显示，逆压电极化明显影响2DEG性质，当Al组分x=0．3，AlGaN层厚度为20nm时...
从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发，通过自洽求解一维Poisson-Schrtidinger方程，研究了逆压电极化效应对AlGaN／GaN异质结中2DEG浓度的影响。计算结果显示，逆压电极化明显影响2DEG性质，当Al组分x=0．3，AlGaN层厚度为20nm时，不考虑逆压电极化，2DEG浓度为1．53×10^13cm^-2；当等效外加电压分别为10和15v时，2DEG浓度降低至1．04×10^13cm^-2和0．789×10^13cm^-2，可见当等效外电压由0～15V变化时，2DEG浓度下降了48．4％。
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关键词
氮化镓
Poisson-Schrfidinger方程
逆压
电
极化效应
2DEG浓度
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职称材料
题名
电极化对FBAR应力负载效应影响的分析
被引量：
1
1
作者
张大鹏
高杨
王宇航
文数文
机构
西南科技大学信息工程学院
中国工程物理研究院电子工程研究所
核探测与核电子学国家重点实验室(中国科学院高能物理研究所)
重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期366-369,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(61574131)
核探测与核电子学国家重点实验室开放课题基金资助项目(2016KF-02)
特殊环境机器人技术四川省重点实验室(西南科技大学)开放基金资助项目(14ZXTK01)
文摘
基于薄膜体声波谐振器(FBAR)的力学传感器有很大的应用潜力,但其应力负载效应的敏感机理尚不明确。电极化效应可能是应力负载效应的敏感机理之一。为了研究电极化效应对谐振频率的影响,提出了电极化效应的解析模型。首先根据在理想FBAR中并联谐振频率与纵波声速的关系,推导出并联谐振频率关于压电层材料参数的表达式;然后根据直流电压主要对FBAR的弹性常数和厚度的影响,推导出并联谐振频率与直流电压的关系;最后利用压电效应,得到了力载荷与并联谐振频率的关系。代入数值计算得到并联谐振频率的相对偏移量为+1.003%@400V,对比测试结果,并联谐振频率的相对偏移量为+0.90%@400V,验证了模型的正确性。计算了力载荷为1mN时,电极化效应导致谐振频率的偏移量约为0.5kHz。对比实验测得的应力负载效应对谐振频率的偏移量最低约为262kHz,证明了在应力负载效应中,电极化效应对谐振频率偏移的影响可忽略。
关键词
微机
电
系统
力学传感器
薄膜体声波谐振器
应力负载
效应
电
极化效应
解析模型
Keywords
MEMS
mechanical sensor
thin film bulk acoustic wave resonator
stress-loading effect
charge polarization effect
analytical model
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
TP212.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
相位共轭波与简并四波混频的探析
2
作者
张循利
机构
滨州师范专科学校
出处
《滨州师专学报》
2001年第2期40-41,共2页
文摘
研究了相位共轭波间的根本特点 。
关键词
相位共轭波
非线性介质
四波混频
光学
非线性
电
极化效应
传播方法
Keywords
phase conjugation wave
Four-wave mixing
nonlinear medium
分类号
O437.1 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结2DEG特性的影响
3
作者
李若凡
武一宾
马永强
张志国
杨瑞霞
机构
河北工业大学
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期56-58,72,共4页
基金
国家973项目(51327030402)
文摘
从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发，通过自洽求解一维Poisson-Schrtidinger方程，研究了逆压电极化效应对AlGaN／GaN异质结中2DEG浓度的影响。计算结果显示，逆压电极化明显影响2DEG性质，当Al组分x=0．3，AlGaN层厚度为20nm时，不考虑逆压电极化，2DEG浓度为1．53×10^13cm^-2；当等效外加电压分别为10和15v时，2DEG浓度降低至1．04×10^13cm^-2和0．789×10^13cm^-2，可见当等效外电压由0～15V变化时，2DEG浓度下降了48．4％。
关键词
氮化镓
Poisson-Schrfidinger方程
逆压
电
极化效应
2DEG浓度
Keywords
GaN
Poisson-Schrfdinger equation
inverse piezoelectric polarization
the density of 2DEG
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
TN325.3
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电极化对FBAR应力负载效应影响的分析
张大鹏
高杨
王宇航
文数文
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
下载PDF
职称材料
2
相位共轭波与简并四波混频的探析
张循利
《滨州师专学报》
2001
0
下载PDF
职称材料
3
逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结2DEG特性的影响
李若凡
武一宾
马永强
张志国
杨瑞霞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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