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脉冲偏压下电弧离子镀等离子体负载的等效电路模型及其定量表征
被引量：
2
1
作者
戚栋
王宁会
+1 位作者
林国强
董闯
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期176-180,共5页
为了解决电弧离子镀(AIP)工艺中脉冲偏压电源与AIP等离子体负载间的匹配问题,结合脉冲偏压下AIP工艺实验,运用等离子体鞘层理论、电路理论和仿真模拟技术,得到AIP等离子体负载本质上是由鞘层引起的容性负载,在电路中可以等效为电容和电...
为了解决电弧离子镀(AIP)工艺中脉冲偏压电源与AIP等离子体负载间的匹配问题,结合脉冲偏压下AIP工艺实验,运用等离子体鞘层理论、电路理论和仿真模拟技术,得到AIP等离子体负载本质上是由鞘层引起的容性负载,在电路中可以等效为电容和电阻相并联的单元;根据AIP等离子体鞘层演化的特性,将AIP等离子体负载的等效电容表征为与时间无关而只与脉冲偏压幅度和等离子体相关参数有关的量,AIP等离子体负载的等效电阻,可以在直流偏压下通过测量与脉冲偏压幅值对应的AIP等离子体负载电流来确定。经验证,本文建立的AIP等离子体负载的等效电路模型及其定量表征是有效的。
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关键词
电弧
离子镀
等离子体
负载
脉冲偏压
电路模型
定量表征
鞘层
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职称材料
脉冲偏压下电弧离子镀等离子体负载的等效电路模型及其定量表征
2
作者
戚栋
王宁会
+1 位作者
林国强
董闯
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期654-658,共5页
为了解决电弧离子镀(AIP)工艺中脉冲偏压电源与AIP等离子体负载间的匹配问题,结合脉冲偏压下AIP工艺实验,运用等离子体鞘层理论、电路理论和仿真模拟技术,得到AIP等离子体负载本质上是由鞘层引起的容性负载,在电路中可以等效为电容和电...
为了解决电弧离子镀(AIP)工艺中脉冲偏压电源与AIP等离子体负载间的匹配问题,结合脉冲偏压下AIP工艺实验,运用等离子体鞘层理论、电路理论和仿真模拟技术,得到AIP等离子体负载本质上是由鞘层引起的容性负载,在电路中可以等效为电容和电阻相并联的单元;根据AIP等离子体鞘层演化的特性,将AIP等离子体负载的等效电容表征为与时间无关而只与脉冲偏压幅度和等离子体相关参数有关的量,AIP等离子体负载的等效电阻,可以在直流偏压下通过测量与脉冲偏压幅值对应的AIP等离子体负载电流来确定.经验证,本文建立的AIP等离子体负载的等效电路模型及其定量表征是有效性的.
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关键词
电弧
离子镀
等离子体
负载
脉冲偏压
电路模型
定量表征
鞘层
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职称材料
题名
脉冲偏压下电弧离子镀等离子体负载的等效电路模型及其定量表征
被引量：
2
1
作者
戚栋
王宁会
林国强
董闯
机构
大连理工大学电气工程系
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期176-180,共5页
基金
国家高技术研究发展计划资助项目(No.2002AA302507)
文摘
为了解决电弧离子镀(AIP)工艺中脉冲偏压电源与AIP等离子体负载间的匹配问题,结合脉冲偏压下AIP工艺实验,运用等离子体鞘层理论、电路理论和仿真模拟技术,得到AIP等离子体负载本质上是由鞘层引起的容性负载,在电路中可以等效为电容和电阻相并联的单元;根据AIP等离子体鞘层演化的特性,将AIP等离子体负载的等效电容表征为与时间无关而只与脉冲偏压幅度和等离子体相关参数有关的量,AIP等离子体负载的等效电阻,可以在直流偏压下通过测量与脉冲偏压幅值对应的AIP等离子体负载电流来确定。经验证,本文建立的AIP等离子体负载的等效电路模型及其定量表征是有效的。
关键词
电弧
离子镀
等离子体
负载
脉冲偏压
电路模型
定量表征
鞘层
Keywords
AIP plasma load, Pulsed-bias voltage, Circuit model, Quantitative indication, Sheath
分类号
TN702 [电子电信—电路与系统]
O539 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
脉冲偏压下电弧离子镀等离子体负载的等效电路模型及其定量表征
2
作者
戚栋
王宁会
林国强
董闯
机构
大连理工大学电气工程系
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期654-658,共5页
基金
国家高技术研究发展计划资助项目(2002AA302507)
文摘
为了解决电弧离子镀(AIP)工艺中脉冲偏压电源与AIP等离子体负载间的匹配问题,结合脉冲偏压下AIP工艺实验,运用等离子体鞘层理论、电路理论和仿真模拟技术,得到AIP等离子体负载本质上是由鞘层引起的容性负载,在电路中可以等效为电容和电阻相并联的单元;根据AIP等离子体鞘层演化的特性,将AIP等离子体负载的等效电容表征为与时间无关而只与脉冲偏压幅度和等离子体相关参数有关的量,AIP等离子体负载的等效电阻,可以在直流偏压下通过测量与脉冲偏压幅值对应的AIP等离子体负载电流来确定.经验证,本文建立的AIP等离子体负载的等效电路模型及其定量表征是有效性的.
关键词
电弧
离子镀
等离子体
负载
脉冲偏压
电路模型
定量表征
鞘层
Keywords
AIP plasma load
pulsed - bias voltage
circuit model
quantitative indication
sheath
分类号
TN702 [电子电信—电路与系统]
O539 [理学—等离子体物理]
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职称材料
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1
脉冲偏压下电弧离子镀等离子体负载的等效电路模型及其定量表征
戚栋
王宁会
林国强
董闯
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
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职称材料
2
脉冲偏压下电弧离子镀等离子体负载的等效电路模型及其定量表征
戚栋
王宁会
林国强
董闯
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
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