GaN HEMT栅驱动技术研究进展 被引量：8

1

作者 周德金 何宁业 +5 位作者 宁仁霞 许媛 徐宏 陈珍海 黄伟 卢红亮 《电子与封装》 2021年第2期35-46,I0002,共13页

GaN HEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景。栅驱动芯片对于GaN HEMT器件应用起着至关重要的作用。介绍了GaN HEMT器件特性和驱动要求,对其栅驱动芯片的典型架构和每种芯片... GaN HEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景。栅驱动芯片对于GaN HEMT器件应用起着至关重要的作用。介绍了GaN HEMT器件特性和驱动要求,对其栅驱动芯片的典型架构和每种芯片架构各自的关键实现技术研究现状进行了综述。同时介绍了GaN基单片集成功率IC的发展状况,对栅驱动芯片的实现技术进行了总结。 展开更多

关键词 GaN HEMT 栅驱动电路 电平移位 绝缘隔离 半桥

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LDMOS低功耗自恢复电平移位电路设计 被引量：5

2

作者 邓兰萍 王纪民 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期2028-2031,共4页

设计了一个新型的薄栅氧、低功耗、自恢复的电平移位栅电压控制电路.在20V工作电压下,n沟道和p沟道LDMOS高压器件的栅源电压Vgs分别保持在±5V.当一个选址周期结束后,电路能自动复位而不需增加任何复位器件和电路.该电路为高低压兼... 设计了一个新型的薄栅氧、低功耗、自恢复的电平移位栅电压控制电路.在20V工作电压下,n沟道和p沟道LDMOS高压器件的栅源电压Vgs分别保持在±5V.当一个选址周期结束后,电路能自动复位而不需增加任何复位器件和电路.该电路为高低压兼容,采用标准0.5μmCMOSLDMOS兼容工艺制造,可用于OLED显示的驱动控制. 展开更多

关键词 薄栅氧 低功耗 自恢复 电平移位 LDMOS

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一种输出低电平可调的高边电平移位驱动电路

3

作者 杨丰 聂长敏 +3 位作者 张荣晶 张青 仲舒曼 廖鹏飞 《中国集成电路》 2024年第5期46-49,56,共5页

为满足宽输入范围DC/DC芯片的需求,本文设计了一种可调输出低电平电压的高边电平移位驱动电路。该电路无需使用二极管和双极型器件,通过MOS管配置高边驱动信号的低电平电压,并将其应用于高压DC/DC转换器芯片。芯片采用0.35μm BCD工艺流... 为满足宽输入范围DC/DC芯片的需求,本文设计了一种可调输出低电平电压的高边电平移位驱动电路。该电路无需使用二极管和双极型器件,通过MOS管配置高边驱动信号的低电平电压,并将其应用于高压DC/DC转换器芯片。芯片采用0.35μm BCD工艺流片,实验结果表明DC/DC转换器芯片工作正常,验证了本文设计的高边电平移位驱动电路。 展开更多

关键词 DC/DC转换器 电平移位 高边驱动电路

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基于FSBB20CH60的高性能功率模块设计 被引量：2

4

作者 邵明双 孙军 《电源技术应用》 2006年第1期16-20,共5页

叙述了具有集成驱动、保护和系统控制功能的智能功率模块FSBB20CH60。实现了一种基于 FSBB20CH60的高性能隔离驱动的功率模块。将该功率模块应用于变频空调,降低了成本,提高了可靠性。

关键词 智能功率模块 门极驱动 电平移位 自举 变频空调

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一种用于智能高边功率IC的负载开路检测电路 被引量：5

5

作者 张小琴 蔡小五 +4 位作者 曾传滨 闫薇薇 赵海涛 刘海南 罗家俊 《微电子学与计算机》 北大核心 2020年第12期17-21,共5页

基于BCD工艺,设计了一种用于智能高边功率开关的新型开态负载开路检测电路.采用双重判决电路,解决了传统检测方法所带来的额外电压降和小电流检测误差太大的问题,提高了负载开路检测的精度和可靠性,且能实现1 mA^10 mA的低阈值电流检测.... 基于BCD工艺,设计了一种用于智能高边功率开关的新型开态负载开路检测电路.采用双重判决电路,解决了传统检测方法所带来的额外电压降和小电流检测误差太大的问题,提高了负载开路检测的精度和可靠性,且能实现1 mA^10 mA的低阈值电流检测.Cadence Spectre仿真表明,在开路检测阈值电流为3 mA的情况下,检测精度达98%;在电源电压为24 V的情况下,电荷泵输出电压为27.67 V,充电时间为16.89μs,放电时间为20.3μs,此智能高边功率电路开关时间远远小于英飞凌同类型产品100μs左右的开关时间. 展开更多

关键词 智能功率集成电路 驱动电路 电平移位 开路检测

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用于APFC的低功耗MOSFET驱动电路设计 被引量：5

6

作者 史凌峰 王庆斌 +1 位作者 许文丹 苗紫晖 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期54-58,65,共6页

设计了一款用于驱动有源功率因数校正外部功率MOSFET的驱动电路.该电路包括电平移位和图腾柱输出级两个部分.电平移位采用电流镜结构,通过控制偏置电流降低电路功耗.图腾柱输出级通过加入死区时间降低功耗,并将高压P管的栅电压箝位在6 V... 设计了一款用于驱动有源功率因数校正外部功率MOSFET的驱动电路.该电路包括电平移位和图腾柱输出级两个部分.电平移位采用电流镜结构,通过控制偏置电流降低电路功耗.图腾柱输出级通过加入死区时间降低功耗,并将高压P管的栅电压箝位在6 V和11 V之间,不仅能够降低功耗,也节省了版图面积.基于0.4μm BCD工艺,采用HSPICE仿真结果表明,在VDD为14 V,开关频率为75 kHz时,整体电路的功耗约为7.34 mW,并节约了15%的版图面积. 展开更多

关键词 有源功率因数校正 低功耗 电平移位 功率MOSFET

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一种同步降压型DC-DC转换器驱动电路设计 被引量：4

7

作者 苏丹 胡永贵 徐辉 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期709-712,717,共5页

设计了一种适用于同步整流降压型DC-DC转换器的驱动电路,包含电平移位、死区时间控制及过零检测等模块。分析了电路整体及各个模块的结构和工作原理,并基于0.35μm BCD工艺模型库,通过Cadence Spectre进行仿真验证。仿真结果表明,本电... 设计了一种适用于同步整流降压型DC-DC转换器的驱动电路,包含电平移位、死区时间控制及过零检测等模块。分析了电路整体及各个模块的结构和工作原理,并基于0.35μm BCD工艺模型库,通过Cadence Spectre进行仿真验证。仿真结果表明,本电路可以有效地控制死区时间,抑制反向电流,提高转换器的效率。 展开更多

关键词 同步整流 驱动电路 电平移位 死区时间 过零检测

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IGBT驱动器的隔离技术分析 被引量：3

8

作者 张黎 尹向阳 《电源世界》 2007年第6期44-46,43,共4页

文章详细说明了IGBT驱动器中常用隔离技术的基本原理与特点,通过比较给出各自不同的应用领域,指出了在驱动器的隔离设计中需要注意的问题。分析了两种新的驱动隔离方式,并对驱动器隔离技术的发展趋势进行了总结。

关键词 IGBT驱动器 隔离 电平移位 空芯变压器 压电变压器

原文传递

新型的电平移位电路设计 被引量：4

9

作者 范涛 黄强 +1 位作者 杜波 袁国顺 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期138-141,共4页

针对高压驱动电路控制提出了新的具有很大驱动电流和很小静态功耗电平移位栅电压控制电路。该电路主要利用二极管的反向工作特性,结合正反馈电路,分别为输出级PMOS管和NMOS管提供可靠栅驱动信号。该电路采用CSMC的0.5μm工艺实现,测试... 针对高压驱动电路控制提出了新的具有很大驱动电流和很小静态功耗电平移位栅电压控制电路。该电路主要利用二极管的反向工作特性,结合正反馈电路,分别为输出级PMOS管和NMOS管提供可靠栅驱动信号。该电路采用CSMC的0.5μm工艺实现,测试结果表明,所设计的电平转换功能得到实现,且转换速度快。 展开更多

关键词 驱动电路 半桥驱动器 低功耗 电平移位 薄栅氧

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基于皮尔斯振荡器的8 MHz晶振电路设计 被引量：3

10

作者 邵颖飞 鲁征浩 《电子与封装》 2021年第2期90-95,共6页

分析了石英晶体的等效模型和性能参数,设计了一款基于皮尔斯振荡器的8 MHz晶振电路,主要包括皮尔斯电路、使能控制及隔离电路、偏置电路和整形及电平移位电路。针对数字电路时钟为方波且数字电压域与模拟电压域不同的问题,设计了一个整... 分析了石英晶体的等效模型和性能参数,设计了一款基于皮尔斯振荡器的8 MHz晶振电路,主要包括皮尔斯电路、使能控制及隔离电路、偏置电路和整形及电平移位电路。针对数字电路时钟为方波且数字电压域与模拟电压域不同的问题,设计了一个整形及电平移位电路,将晶体振荡器输出的正弦波整形成方波,且电路实现了双电压域工作。基于华宏0.11μm 4P5M CMOS工艺,使用Cadence Spectre对设计的电路进行仿真。结果显示,当电源电压为3.3 V时,该晶振电路的输出频率为8 MHz,起振时间为0.35 ms,输出波形的占空比为49.89%,工作电流为350μA。 展开更多

关键词 晶振电路 整形电路 电平移位

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用于GaN半桥驱动器的高速电平移位电路 被引量：2

11

作者 李亮 周德金 +1 位作者 黄伟 陈珍海 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期873-878,890,共7页

设计了一种GaN半桥驱动器高性能电平移位电路,一方面采用短脉冲控制的高速镜像噪声电流与噪声电流相互抵消的方法消除共模噪声,另一方面采用脉冲宽度调制(PWM)控制的正反馈互锁电路,该电路不含RC滤波,用来消除由于工艺偏差造成的差模噪... 设计了一种GaN半桥驱动器高性能电平移位电路,一方面采用短脉冲控制的高速镜像噪声电流与噪声电流相互抵消的方法消除共模噪声,另一方面采用脉冲宽度调制(PWM)控制的正反馈互锁电路,该电路不含RC滤波,用来消除由于工艺偏差造成的差模噪声,以保证输出信号稳定。抗负压电路采用降压电平移位电路实时监测高侧电压浮动状态并反馈回自举充电回路,使充电时间避开负压时间。在0.18μm 85 V BCD工艺下完成设计,工作频率达到5 MHz,上升时间为4.1 ns,下降时间为3.8 ns,满足高频GaN栅驱动应用需求。 展开更多

关键词 GAN 半桥驱动器 电平移位 瞬态噪声抑制 正反馈互锁

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变频空调中基于FSBB20CH60的高性能功率模块设计 被引量：3

12

作者 邵明双 孙军 《自动化技术与应用》 2006年第1期28-31,共4页

叙述了智能功率模块FSBB20CH60,对其实施了隔离式的外驱动设计。实现了一种高性能功率模块。将其应用于变频空调,降低了成本,提高了可靠性。目前已投入批量生产,取得了预期的效果。

关键词 智能功率模块 门极驱动 电平移位 自举 变频空调 FSBB20CH60

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一种新型高速低功耗电平移位电路 被引量：2

13

作者 王霞 周泽坤 +1 位作者 王卓 张波 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第11期158-161,共4页

设计了一种电平移位电路,包括快速响应电路和低功耗电平维持电路,通过快速响应电路的快速响应输入的低压控制信号,产生一窄脉冲来驱动输出信号电平的建立;然后通过低功耗电平维持电路在窄脉冲结束后维持输出信号的电平.该电路适用于新... 设计了一种电平移位电路,包括快速响应电路和低功耗电平维持电路,通过快速响应电路的快速响应输入的低压控制信号,产生一窄脉冲来驱动输出信号电平的建立;然后通过低功耗电平维持电路在窄脉冲结束后维持输出信号的电平.该电路适用于新一代功率器件的驱动电路,具有响应速度快和低功耗的特点,可以充分发挥新一代功率器件高工作频率和低功耗的优势.基于HHNEC 0.35μm 80VCD工艺,对提出的电平移位电路进行仿真验证,结果表明所设计的电平移位电路响应时间为2.8ns左右,功耗为21.5μA左右. 展开更多

关键词 电平移位 快速响应 低功耗

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一种适用于氮化镓半桥结构的高可靠性差分电流补偿电平移位电路

14

作者 赵鹏 姜梅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期2561-2567,共7页

为了提高氮化镓半桥结构的抗dv/dt特性,提出了一种适用于氮化镓半桥结构的高可靠性差分电流补偿新颖电平移位电路.该电路在自举电容作用下,将0 V~5 V输入电压转换为35 V~40 V输出电压,并且在浮点电压快速变化过程中,输出的驱动电压均保... 为了提高氮化镓半桥结构的抗dv/dt特性,提出了一种适用于氮化镓半桥结构的高可靠性差分电流补偿新颖电平移位电路.该电路在自举电容作用下,将0 V~5 V输入电压转换为35 V~40 V输出电压,并且在浮点电压快速变化过程中,输出的驱动电压均保持稳定.电路采用电流镜结构传输信号,能够实现电平信号的快速传递,有效地减小传输延迟.对于浮点电压的快速变化导致移位电平器输出变化的问题,采用新颖的差分电流结构进行电流补偿,提高电路的抗dv/dt特性,获得高可靠性的输出电压.本电路基于标准0.35μm BCD工艺40 V的LDMOS耐压器件,对该电平移位电路在1 MHz频率下进行验证.结果表明上升沿响应延迟为587.184 ps,下降沿响应延迟为832.144 ps,抗正的dv/dt变化为116 V/ns以及对负dv/dt变化不敏感,该电路具有高速,高可靠性优点. 展开更多

关键词 氮化镓 电平移位 电流补偿 半桥结构 自举电容 降压式变换电路

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电化学测量适配器的研制与应用 被引量：1

15

作者 陈民助 何玉萼 《化学世界》 CAS CSCD 1998年第1期41-44,共4页

本文研制了一种可用于电化学测量的适配器。当测量信号源阻抗与记录仪的输入阻抗不相匹配，或检测信号弱且叠加于一较强基础直流电位上时，利用该适配器可进行准确检测。应用表明，该适配器使用方便，测量精度高，造价低，易于推广。

关键词 电化学测量 阻抗匹配 电平移位 适配器

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用于PFC的快速、低功耗栅驱动电路的设计

16

作者 贾舒方 李威 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2014年第1期152-155,共4页

在功率因数校正电路设计中，栅驱动电路需要有非常快的转换速度和低的功率消耗．为了满足这些要求，对传统的推挽输出电路做了修改，并利用结构简单的电平移位电路，设计了一款新的栅驱动电路．基于0．35μmBCD工艺，采用Hspice仿真工... 在功率因数校正电路设计中，栅驱动电路需要有非常快的转换速度和低的功率消耗．为了满足这些要求，对传统的推挽输出电路做了修改，并利用结构简单的电平移位电路，设计了一款新的栅驱动电路．基于0．35μmBCD工艺，采用Hspice仿真工具，结果表明，在17V电源，4．7nF负载电容，固定开关频率65kHz的条件下，驱动脉冲2-12V上升时间25ns，12～2V的下降时间35ns，驱动模块在高压管导通和关断时的瞬时功耗分别为24．3mW和13．1mW，验证了设计的有效性． 展开更多

关键词 功率因数校正 功耗 栅驱动 电平移位

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一种提高SOA能力的厚膜SOI-LDMOS结构

17

作者 周峰 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第3期436-440,共5页

在高压驱动芯片中,厚膜SOI-LDMOS能起到电平移位的作用。为确保芯片能够长时间稳定工作,需要LDMOS具有大范围的SOA能力。提出一种在源端N+区域引入PN间隔技术的新结构。通过研究,确定了最优PN间隔比例。对最优结构进行测试,结果表明,器... 在高压驱动芯片中,厚膜SOI-LDMOS能起到电平移位的作用。为确保芯片能够长时间稳定工作,需要LDMOS具有大范围的SOA能力。提出一种在源端N+区域引入PN间隔技术的新结构。通过研究,确定了最优PN间隔比例。对最优结构进行测试,结果表明,器件的开态击穿电压为475 V,反向击穿电压为657 V,相比于传统结构,分别提高了69.6%和20.6%。新型器件的SOA能力得到较大提升。 展开更多

关键词 SOI-LDMOS PN间隔 SOA能力 电平移位

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传感器接口技术讲座：第三讲 电平移位和线性化技术接口设计问题

18

作者 吴贤彪 《仪表技术》 1992年第2期38-43,共6页

关键词 传感器 接口 电平移位 线性化 设计

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一种抗辐照485总线接收器设计

19

作者 李飞 宣志斌 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期692-696,共5页

采用0.5μm CMOS工艺,设计了一种能够在γ射线辐射和中子辐射环境下正常工作的RS-485总线接收器。内部结构包含输入电平移位电路、输入缓冲器、输入滤波器、迟滞比较器四部分。流片测试及辐照试验结果均表明,设计的接收器在满足RS-485... 采用0.5μm CMOS工艺,设计了一种能够在γ射线辐射和中子辐射环境下正常工作的RS-485总线接收器。内部结构包含输入电平移位电路、输入缓冲器、输入滤波器、迟滞比较器四部分。流片测试及辐照试验结果均表明,设计的接收器在满足RS-485总线标准的同时,具备抗γ射线辐射250Gy(Si)、抗中子注量2.5×1013 n/cm2的性能,适用于低剂量核辐射环境。 展开更多

关键词 RS-485 电平移位 迟滞 γ射线辐射 中子辐射

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低电压、低功耗模拟电路的探讨

20

作者 曹爱飞 《宿州教育学院学报》 2004年第4期97-99,共3页

本着从电路的结构来突破其阀值电压的限制,改善电路的性能,可以利用器件的固有参数特征做成电平移位电路,利用器件特定的工作状态做成亚阀电路,利用电路处理的信号不同其特性不同等,以达到低电压、低功耗的目的。

关键词 低电压 低功耗 电平移位 亚阀 电路 电流

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