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串联电容式RF-MEMS开关的研制
被引量：
5
1
作者
孙建海
崔大付
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期2445-2448,共4页
研制了一种高电容率的电容式RFMEMS开关.与普通电容式开关设计不同的是,在CPW信号线上的绝缘层上表面覆盖了一层金属板,使开关在downstate时,上电极能与介质膜紧密接触,而在upstate时,金属板分别与上电极及信号线平面构成一组串联电容,...
研制了一种高电容率的电容式RFMEMS开关.与普通电容式开关设计不同的是,在CPW信号线上的绝缘层上表面覆盖了一层金属板,使开关在downstate时,上电极能与介质膜紧密接触,而在upstate时,金属板分别与上电极及信号线平面构成一组串联电容,大大降低了Cup值,从而提高了开关的电容率.与相同条件制得的普通电容式开关相比,其电容率要高出一个数量级,达到1000以上.由测试可知,所设计的串联电容式开关其隔离度在8GHz时可达42dB,明显优于普通电容式开关.
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关键词
电容式
rf
-
mems
开关
电容
率
插入损耗
隔离度
下载PDF
职称材料
基于DE-QPSO算法的MKRVM对电容式RF-MEMS开关的寿命预测方法
被引量：
5
2
作者
何怡刚
白月皎
鲁力
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2020年第12期66-75,共10页
为进一步研究电容式RF-MEMS开关在实际应用中存在的可靠性问题,提出一种基于差分进化的量子粒子群算法(DE-QPSO)的多核相关向量机(MKRVM)方法对开关寿命进行预测。首先采用了限制带宽经验模态分解(BREMD)来对实验过程中获得的寿命数据...
为进一步研究电容式RF-MEMS开关在实际应用中存在的可靠性问题,提出一种基于差分进化的量子粒子群算法(DE-QPSO)的多核相关向量机(MKRVM)方法对开关寿命进行预测。首先采用了限制带宽经验模态分解(BREMD)来对实验过程中获得的寿命数据进行去噪处理,提高数据的可靠性;其次采用DE-QPSO获取MKRVM的最优稀疏权重,并利用MKRVM算法对此类开关进行寿命预测;最后利用实验获取的实际数据对所用方法的准确性进行测试。实验结果表明,MKRVM能在0.21 s的时间内得到预测结果,所得数据的均方根为3.1043×10^(6)s,最接近原始数据的3.0657×10^(6)s;DE-QPSO能在0.45 s内得到优化结果,方差为7×10^(-5)。同时得到弹性系数在4~16 N/m的范围内取值时开关寿命最长的结论。
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关键词
电容式
rf
-
mems
开关
BREMD
MKRVM
DE-QPSO
寿命预测
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职称材料
题名
串联电容式RF-MEMS开关的研制
被引量：
5
1
作者
孙建海
崔大付
机构
中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期2445-2448,共4页
文摘
研制了一种高电容率的电容式RFMEMS开关.与普通电容式开关设计不同的是,在CPW信号线上的绝缘层上表面覆盖了一层金属板,使开关在downstate时,上电极能与介质膜紧密接触,而在upstate时,金属板分别与上电极及信号线平面构成一组串联电容,大大降低了Cup值,从而提高了开关的电容率.与相同条件制得的普通电容式开关相比,其电容率要高出一个数量级,达到1000以上.由测试可知,所设计的串联电容式开关其隔离度在8GHz时可达42dB,明显优于普通电容式开关.
关键词
电容式
rf
-
mems
开关
电容
率
插入损耗
隔离度
Keywords
capacitive
rf
-
mems
switches
capacitance ratio
isolation
insertion loss
分类号
TM564 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
基于DE-QPSO算法的MKRVM对电容式RF-MEMS开关的寿命预测方法
被引量：
5
2
作者
何怡刚
白月皎
鲁力
机构
合肥工业大学电气与自动化工程学院
出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2020年第12期66-75,共10页
基金
国家自然科学基金(51577046)
国家自然科学基金重点项目(51637004)
+1 种基金
国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”项目(2016YFF0102200)
装备预先研究重点项目(41402040301)资助。
文摘
为进一步研究电容式RF-MEMS开关在实际应用中存在的可靠性问题,提出一种基于差分进化的量子粒子群算法(DE-QPSO)的多核相关向量机(MKRVM)方法对开关寿命进行预测。首先采用了限制带宽经验模态分解(BREMD)来对实验过程中获得的寿命数据进行去噪处理,提高数据的可靠性;其次采用DE-QPSO获取MKRVM的最优稀疏权重,并利用MKRVM算法对此类开关进行寿命预测;最后利用实验获取的实际数据对所用方法的准确性进行测试。实验结果表明,MKRVM能在0.21 s的时间内得到预测结果,所得数据的均方根为3.1043×10^(6)s,最接近原始数据的3.0657×10^(6)s;DE-QPSO能在0.45 s内得到优化结果,方差为7×10^(-5)。同时得到弹性系数在4~16 N/m的范围内取值时开关寿命最长的结论。
关键词
电容式
rf
-
mems
开关
BREMD
MKRVM
DE-QPSO
寿命预测
Keywords
capacitive
rf
-
mems
switch
BREMD
MKRVM
DE-QPSO
life prediction
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP211 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
串联电容式RF-MEMS开关的研制
孙建海
崔大付
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
5
下载PDF
职称材料
2
基于DE-QPSO算法的MKRVM对电容式RF-MEMS开关的寿命预测方法
何怡刚
白月皎
鲁力
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2020
5
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职称材料
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