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金刚石中的位错缺陷——天然与合成金刚石中位错的类型和分布特征
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作者 孙成阳(文/图) 陆太进(文/图) +2 位作者 宋中华(文/图) 张健(文/图) 邓怡(文/图) 《中国宝石》 2023年第3期217-221,共5页
金刚石,因其璀璨闪亮的外观,作为宝石深受人们的喜爱。同时,金刚石也是一种被广泛应用的工业材料,在尖端半导体和激光光学材料领域发挥着重要作用。考虑到金刚石晶体中存在的位错会对其电学和光学性能产生造成重大影响,本文对不同类型... 金刚石,因其璀璨闪亮的外观,作为宝石深受人们的喜爱。同时,金刚石也是一种被广泛应用的工业材料,在尖端半导体和激光光学材料领域发挥着重要作用。考虑到金刚石晶体中存在的位错会对其电学和光学性能产生造成重大影响,本文对不同类型金刚石中的位错类型及分布特征进行了系统介绍。 展开更多
关键词 合成金刚石 电学和光学性能 金刚石晶体 激光光学 位错缺陷 半导体
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温度梯度溶液法生长的Cr掺杂的ZnTe晶体的表征 被引量：1
2
作者 杨睿 介万奇 +3 位作者 孙晓燕 杨敏 呼唤 蔺云 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期401-407,共7页
以Cr Te作为掺杂源、以Te作为溶剂,用温度梯度溶液法生长了Cr掺杂的Zn Te晶锭。晶锭头部的晶粒尺寸较大(>10 mm×10 mm),且Te夹杂相较少。Te夹杂相的大小、形状和分布可以反映晶锭中的温场分布。晶锭的径向非对称温场导致富Te相... 以Cr Te作为掺杂源、以Te作为溶剂,用温度梯度溶液法生长了Cr掺杂的Zn Te晶锭。晶锭头部的晶粒尺寸较大(>10 mm×10 mm),且Te夹杂相较少。Te夹杂相的大小、形状和分布可以反映晶锭中的温场分布。晶锭的径向非对称温场导致富Te相沿径向非对称分布。Te夹杂相在温度梯度作用下的热迁移会导致其相互融合长大、变长。Te夹杂相也会在晶体中引入裂纹和空洞等缺陷。部分未被掺入Zn Te中的Cr Te富集于固液界面处,表明温度梯度溶液法生长晶体时具有一定的排杂作用。Cr掺杂的Zn Te晶体的电阻率(约1000?·cm)高于未掺杂的Zn Te(约300?·cm)。Cr掺杂晶体在约1750 nm处的吸收峰表明Cr2+离子被成功地掺入了Zn Te中。但是Cr掺杂后晶体的红外透过率降低,表明Cr掺杂引入了较多的缺陷。 展开更多
关键词 Cr掺杂ZnTe 晶体生长 Te夹杂相 电学和光学性能
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