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6英寸高压晶闸管的研制 被引量：28
1
作者 刘国友 黄建伟 +3 位作者 舒丽辉 李世平 邹冰艳 王大江 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2007年第2期90-92,共3页
基于5英寸换流阀晶闸管的设计和工艺技术平台,通过优化杂质扩散工艺、光刻版设计和台面造型保护工艺,保证了掺杂分布的均匀性、重复性和可控性,以及器件良好的阻断特性,确保器件获得较高的电流上升率、电压上升率,研制出了6英寸4000A/80... 基于5英寸换流阀晶闸管的设计和工艺技术平台,通过优化杂质扩散工艺、光刻版设计和台面造型保护工艺,保证了掺杂分布的均匀性、重复性和可控性,以及器件良好的阻断特性,确保器件获得较高的电流上升率、电压上升率,研制出了6英寸4000A/8000V高压晶闸管样品。并采用电子辐照技术得到进一步优化,对器件的通态压降与反向恢复电荷的折衷关系。 展开更多
关键词 6英寸晶闸管 特高压直流输电 换流阀 电子辐照
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±1100kV特高压直流输电用6英寸晶闸管及其设计优化 被引量：25
2
作者 丁荣军 刘国友 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第29期5180-5187,共8页
为满足国家±1 100 kV特高压直流的应用需求,适应换流阀用晶闸管向更高电压等级、更大电流容量、更高可靠性发展趋势,基于中国南车现有6英寸晶闸管成熟技术基础,通过计算机仿真与试验相结合的方法,优化晶闸管芯片结构设计,改善了晶... 为满足国家±1 100 kV特高压直流的应用需求,适应换流阀用晶闸管向更高电压等级、更大电流容量、更高可靠性发展趋势,基于中国南车现有6英寸晶闸管成熟技术基础,通过计算机仿真与试验相结合的方法,优化晶闸管芯片结构设计,改善了晶闸管芯片边缘电场分布和电压稳定性,改善器件内部热分布与外部散热,提高了晶闸管电流容量;优化晶闸管芯片放大门极结构设计,改善了器件的动态特性;采用先进的电子辐照技术,通过试验优化辐照工艺,进一步改善了晶闸管静态参数与动态特性折衷关系;研究开发出6英寸5 000 A/8 500 V晶闸管,器件的所有静、动态参数达到设计指标,通过了可靠性试验,满足±1 100 kV特高压直流输电换流阀的应用要求。 展开更多
关键词 晶闸管 特高压直流输电 台面造型 放大门极图形 热分布 电子辐照
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不同剂量电子辐照对小麦品质影响的研究 被引量：15
3
作者 卢志恒 王安泉 《中国粮油学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期20-22,共3页
研究结果表明 ,经过 1～ 10kGy辐照后小麦基本营养成份没有变化。但是 ,经过 5kGy和 10kGy辐照的样品的面团流变学特性、面筋指数和气味色泽明显变坏。为保持基本的营养品质 ,2 .
关键词 小麦 电子辐照 营养品质 贮藏 剂量
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6英寸晶闸管的研究开发与特性控制 被引量：16
4
作者 刘国友 黄建伟 +3 位作者 舒丽辉 李世平 邹冰艳 王大江 《变流技术与电力牵引》 2007年第6期32-35,共4页
基于5英寸晶闸管设计与工艺制造技术,通过优化芯片参数,包括扩散杂质分布、光刻版设计、台面终端电场强度的控制及芯片封装结构的改进,设计并制造了用于特高压直流输电的,额定电流电压等级为4000A/8000V的6英寸晶闸管。采用电子辐照技术... 基于5英寸晶闸管设计与工艺制造技术,通过优化芯片参数,包括扩散杂质分布、光刻版设计、台面终端电场强度的控制及芯片封装结构的改进,设计并制造了用于特高压直流输电的,额定电流电压等级为4000A/8000V的6英寸晶闸管。采用电子辐照技术,实现了静态参数与动态特性的有效折衷。成功研制的这种器件具有短路电流高、动态特性好等特点,并在6英寸换流阀晶闸管测试试验平台上进行了各种试验和检验。 展开更多
关键词 晶闸管 特高压直流输电 电子辐照 测试试验
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空间材料深层充放电效应试验研究 被引量：14
5
作者 张振龙 韩建伟 +1 位作者 全荣辉 安广朋 《航天器环境工程》 2009年第3期210-213,197,共4页
利用电子枪发射的单能电子束、以及放射源发射的能谱结构接近空间电子环境的β射线电子,模拟试验了几种常用空间介质材料和某卫星部件的深层充电过程;结合对放电电流脉冲和电场脉冲的测量,观测了深层放电脉冲信号及其对试验电路的影响... 利用电子枪发射的单能电子束、以及放射源发射的能谱结构接近空间电子环境的β射线电子,模拟试验了几种常用空间介质材料和某卫星部件的深层充电过程;结合对放电电流脉冲和电场脉冲的测量,观测了深层放电脉冲信号及其对试验电路的影响。试验结果表明,在类似实际空间强度的pA量级电子束辐照下,介质材料可以累积大量电荷,其表面电位可以达到近万V;随后发生的介质材料放电可产生高强度的放电电流脉冲和电场脉冲,放电脉冲对试验电路造成较强的干扰。 展开更多
关键词 空间材料 深层充放电 电子辐照 模拟试验
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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照损伤效应 被引量：12
6
作者 胡建民 吴宜勇 +2 位作者 钱勇 杨德庄 何世禹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期5051-5056,共6页
研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐照下剂量为1×1015cm-2时,... 研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐照下剂量为1×1015cm-2时,与辐照前相比最大功率衰降了17.7%.暗I-V特性分析表明,高能电子辐照下三结电池串、并联电阻的变化是引起太阳电池电学性能衰降的重要原因.光谱响应分析结果表明,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池电学性能发生明显衰降的主要原因是其GaAs子电池的严重损伤造成的,而GaAs子电池的损伤主要表现为基区底部光生载流子收集效率的明显衰降.提高GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池抗辐照能力的关键在于尽可能地减小GaAs子电池的基区损伤. 展开更多
关键词 GaInP/GaAs/Ge太阳电池 电子辐照 电学性能 光谱响应
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GaN基紫外探测器的电子辐照效应 被引量：12
7
作者 白云 邵秀梅 +3 位作者 陈亮 张燕 李向阳 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期270-273,共4页
用能量为0.8 MeV的电子对非故意掺杂的GaN材料进行了辐照,光致发光谱(PL谱)表明,辐照使PL谱的强度随电子注量依次降低,且主发光峰蓝移,在注量较高时,在3.36 eV附近,出现新的发光峰。制备了SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,通过测量... 用能量为0.8 MeV的电子对非故意掺杂的GaN材料进行了辐照,光致发光谱(PL谱)表明,辐照使PL谱的强度随电子注量依次降低,且主发光峰蓝移,在注量较高时,在3.36 eV附近,出现新的发光峰。制备了SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,通过测量C-V曲线计算得到SiN/GaN之间的界面态随着电子辐照注量的增加而增加。制备了GaN基p-i-n结构可见盲正照射紫外探测器并进行电子辐照,测量了辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线。实验表明,小注量的电子辐照对器件的反向暗电流影响不大,当电子注量≥5×1016 n/cm2时才使器件的暗电流增大一个数量级。辐照前后器件的光谱响应曲线表明,电子辐照对器件的响应率没有产生明显的影响。利用GaN材料和MIS结构的辐照效应分析了器件的辐照失效机理。 展开更多
关键词 GAN PL MIS结构 PIN 电子辐照
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电子辐照能量对Kapton/Al热控涂层光学性能的影响 被引量：9
8
作者 李春东 杨德庄 +1 位作者 何世禹 M.M.Mikhailov 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期741-745,共5页
　研究了电子辐照时,电子能量与累积通量对Kapton/Al热控涂层光学性能的影响。采用原位测量的手段记录了辐照前后的光谱反射系数。试验结果表明,电子辐照后Kapton/Al热控涂层的反射性能,在太阳光谱辐射强度较大的300～1200nm波长区间产... 　研究了电子辐照时,电子能量与累积通量对Kapton/Al热控涂层光学性能的影响。采用原位测量的手段记录了辐照前后的光谱反射系数。试验结果表明,电子辐照后Kapton/Al热控涂层的反射性能,在太阳光谱辐射强度较大的300～1200nm波长区间产生较大程度退化。在电子辐照作用下,作为离子导电型聚合物的Kapton薄膜表面没有发现辐照充电效应。辐照后涂层材料存在"退火效应",或称"漂白效应"。Kapton/Al涂层太阳吸收比的变化量与电子辐照累积通量的变化关系成幂函数形式,其系数与指数的极大值与极小值分别出现在电子能量为50keV附近。在辐照累积通量相同时,该变化量随辐照电子能量的提高而增大。 展开更多
关键词 Kapton/Al 热控涂层 电子辐照 光学性能 空间环境 地面模拟
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电子通量对ZnO/K_2SiO_3热控涂层光学性能的影响 被引量：9
9
作者 王旭东 何世禹 杨德庄 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期476-480,共5页
研究了电子通量对 Zn O/ K2 Si O3热控涂层光学性能的影响。分别采用通量为 5× 10 1 1 / cm2·s,8× 10 1 1 / cm2 · s,1× 10 1 2 / cm2 · s和 5× 10 1 2 / cm2 · s的电子对试样进行辐照。电子... 研究了电子通量对 Zn O/ K2 Si O3热控涂层光学性能的影响。分别采用通量为 5× 10 1 1 / cm2·s,8× 10 1 1 / cm2 · s,1× 10 1 2 / cm2 · s和 5× 10 1 2 / cm2 · s的电子对试样进行辐照。电子辐照下涂层的光学性能发生了退化 ,并且发现了退化涂层在空气中的“漂白”现象。分析了 Zn O/ K2 Si O3热控涂层光学性能的退化机制 ,同时讨论了电子通量对太阳光谱吸收系数的影响。实验结果发现 ,在 5× 10 1 1～ 1× 10 1 2 / cm2·s的电子通量范围内 ,电子通量对 Zn O/ K2 Si O3热控涂层光学性能的影响相同。因此在这个电子通量范围内 ,采用加速地面试验来模拟空间的电子辐照效应是有效的。 展开更多
关键词 电子通量 ZnO/K2SiO3 电子辐照 热控涂层 光学性能 空间环境 航天器 氧化锌 地面模拟试验 亚硫酸钾 热控制系统
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CMOS运算放大器的电子和^(60)COγ辐照效应及退火特性 被引量：9
10
作者 陆妩 任迪远 +3 位作者 郭旗 余学锋 张国强 严荣良 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期323-328,共6页
研究了LF7650CMOS运算放大器电路在1MeV电子和~60Coγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对其电高辐照敏感参数，辐照后在室温和100℃高温条件下，随时间变化关系的分析，探讨了引起电参数失效的机理。结果表明，由于电离... 研究了LF7650CMOS运算放大器电路在1MeV电子和~60Coγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对其电高辐照敏感参数，辐照后在室温和100℃高温条件下，随时间变化关系的分析，探讨了引起电参数失效的机理。结果表明，由于电离辐射产生的界面态增加，引起的多数载流子迁移率的减小，导致MOSFET跨导的下降，是造成CMOS运算放大器电路失效的主要机制，也是引起1MeV电子辐照的损伤敏感度明显大于~60Coγ射线的原因所在。 展开更多
关键词 CMOS 运算放大器 电子辐照 退火
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太阳帆表面薄膜空间电子辐照性能研究 被引量：9
11
作者 黄小琦 王立 +5 位作者 刘宇飞 高鸿 王永建 田海 冯展祖 柳青 《真空与低温》 2014年第3期154-157,共4页
太阳帆是十分有利于深空探测的一种新型飞行器,帆面采用超轻薄的薄膜材料,提高飞行器的推进性能。帆面材料长期暴露在空间,由于长期受到空间粒子辐射环境的影响,性能发生退化影响在空间的应用。研究空间电子与薄膜相互作用的机理,分析... 太阳帆是十分有利于深空探测的一种新型飞行器,帆面采用超轻薄的薄膜材料,提高飞行器的推进性能。帆面材料长期暴露在空间,由于长期受到空间粒子辐射环境的影响,性能发生退化影响在空间的应用。研究空间电子与薄膜相互作用的机理,分析电子沉积剂量,通过地面模拟不同剂量的空间电子辐照环境,对辐照后新型超薄帆面材料力学性能的研究,满足太阳帆在空间应用要求。结果表明:超薄聚酰亚胺薄膜材料,在厚度及辐照力学性能得到了较大的突破,但断裂伸长率仍需提升,电子辐照后性能略有下降,耐辐照性能也需进一步提高。 展开更多
关键词 太阳帆 聚酰亚胺薄膜 电子辐照 力学性能
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电子辐照对ZnO/K_2SiO_3型热控涂层光学性能的影响 被引量：7
12
作者 王旭东 何世禹 杨德庄 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期431-435,共5页
研究了电子辐照对 Zn O/K2 Si O3 型热控涂层光学性能的影响。采用 1 0 ,3 0 ,50和 70 ke V的电子对试样进行辐照。在辐照前后对每一个试样的光谱反射系数进行了原位测量。根据 Johnson太阳光谱分布计算了涂层的太阳光谱吸收系数。分析... 研究了电子辐照对 Zn O/K2 Si O3 型热控涂层光学性能的影响。采用 1 0 ,3 0 ,50和 70 ke V的电子对试样进行辐照。在辐照前后对每一个试样的光谱反射系数进行了原位测量。根据 Johnson太阳光谱分布计算了涂层的太阳光谱吸收系数。分析了电子能量对光谱反射系数和太阳光谱吸收系数的影响 ,并对红外区光谱反射系数的变化结果进行了讨论。实验结果发现电子辐照后 Zn O/K2 Si O3 涂层的光学性能发生严重退化 ,退化程度取决于电子能量 ,随电子能量的增大而增大。 展开更多
关键词 电子辐照 热控涂层 光学性能 空间环境 测量 航天器
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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术研究进展 被引量：6
13
作者 王祖军 王兴鸿 +7 位作者 晏石兴 唐宁 崔新宇 张琦 石梦奇 黄港 聂栩 赖善坤 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第3期490-504,共15页
文章首先重点介绍了国内外开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子、质子及其他辐射粒子或射线辐照实验的研究进展,然后从辐照损伤效应的仿真模拟研究、抗辐射加固技术、损伤预估方法等方面综述了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应... 文章首先重点介绍了国内外开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子、质子及其他辐射粒子或射线辐照实验的研究进展,然后从辐照损伤效应的仿真模拟研究、抗辐射加固技术、损伤预估方法等方面综述了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术的研究进展,最后梳理了当前GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应研究中亟待解决的关键技术问题,为深入开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应实验方法标准制定、损伤机理分析、在轨寿命预估及抗辐射加固技术研究提供了理论指导和实验技术支持。 展开更多
关键词 GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池 辐照损伤 位移效应 抗辐射加固 电子辐照 质子辐照
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电子辐照Kapton/Al薄膜力学性能退化规律与机理研究 被引量：8
14
作者 沈自才 牟永强 吴宜勇 《装备环境工程》 CAS 2015年第3期42-44,69,共4页
目的为航天器用Kapton/Al薄膜材料的选用提供数据支撑和高性能Kapton/Al薄膜材料的研制提供理论支持。方法用综合辐照试验装置对Kapton/Al薄膜材料进行电子辐照,用拉力试验机对Kapton/Al薄膜材料开展力学性能拉伸试验,用XPS对其成分和... 目的为航天器用Kapton/Al薄膜材料的选用提供数据支撑和高性能Kapton/Al薄膜材料的研制提供理论支持。方法用综合辐照试验装置对Kapton/Al薄膜材料进行电子辐照,用拉力试验机对Kapton/Al薄膜材料开展力学性能拉伸试验,用XPS对其成分和微观结构进行测试分析。结果Kapton/Al薄膜材料的抗拉强度和断裂伸长率随着拉伸速度的增加而降低,随着电子辐照注量的增加呈指数减小,在电子辐照下,薄膜材料分子键发生断裂和交联,C—CO和C—N键断裂发生脱氧和脱氮反应,C—H基团相对含量增大。结论电子辐照将造成Kapton/Al薄膜材料力学性能降低,薄膜材料分子价健的断裂和交联是薄膜力学性能降低的主要原因。 展开更多
关键词 薄膜材料 力学性能 电子辐照
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电子辐照金刚石的光致发光研究 被引量：8
15
作者 王凯悦 李志宏 +1 位作者 高凯 朱玉梅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期459-463,共5页
本文利用488 nm及325 nm激光器比较了超纯、氮掺杂及硼掺杂三种金刚石经电子辐照所形成的光学中心.结果表明,金刚石中引入施主或受主原子后,形成了新的光学中心,如NV,DB1中心.
关键词 金刚石 电子辐照 光致发光
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1.7MeV电子束在VO_2热致相变薄膜中引起的结构和光电性能的变化 被引量：5
16
作者 卢勇 林理彬 +2 位作者 邹萍 卢铁城 何捷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期525-528,共4页
利用能量为 1.7MeV、注量分别为 10 13 ～ 10 15/cm2 的电子辐照VO2 薄膜 ,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响。结果表明电子辐照在V... 利用能量为 1.7MeV、注量分别为 10 13 ～ 10 15/cm2 的电子辐照VO2 薄膜 ,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响。结果表明电子辐照在VO2 薄膜中出现变价效应 ,产生新的X射线衍射峰 ,带来薄膜化学成分的变化。电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2 展开更多
关键词 结构 相变性能 电子辐照 热致相变 二氧化钡薄膜
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金刚石集群NV色心的光谱特征及浓度定量分析 被引量：8
17
作者 王芳 马宗敏 +5 位作者 赵敏 林朝东 张少文 曲章 刘俊 李艳君 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期1477-1481,共5页
金刚石NV-色心具有优越的光致发光特性,可实现高灵敏度物理量探测。其中,NV-色心的浓度是影响其宏观领域物理量探测灵敏度的重要因素之一。分析了金刚石在NV-色心制备过程中产生的发光缺陷,研究了不同的电子注入剂量与NV-色心浓度的关... 金刚石NV-色心具有优越的光致发光特性,可实现高灵敏度物理量探测。其中,NV-色心的浓度是影响其宏观领域物理量探测灵敏度的重要因素之一。分析了金刚石在NV-色心制备过程中产生的发光缺陷,研究了不同的电子注入剂量与NV-色心浓度的关系。首先,对金刚石进行电子辐照并高温真空退火,制备了NV-色心;然后,利用拉曼光谱仪测试了金刚石在电子辐照前、电子辐照后及退火后三个阶段中的荧光光谱,分析了金刚石在NV-色心制备过程中的光谱特性;最后,对生成的NV-色心的浓度进行了估算,并探究了不同电子注入剂量对NV-色心浓度的影响规律。结果表明,金刚石经电子注入后生成了524.7,541.1,578和648.1nm发光中心。其中,HPHT合成金刚石经电子注入后普遍存在524.7nm中心。电子注入后的金刚石经高温(≥800℃)真空(≥10-7 Pa)退火后,空位自由移动,不稳定的缺陷消失,当空位靠近氮原子时被束缚而形成氮空位色心。对于氮含量100ppm的金刚石,当电子注入产生的空位含量小于120ppm(2.1×1019 cm-3)时,NV-色心浓度与电子注入生成空位的含量的关系符合Boltzmann分布。该研究为利用氮含量100ppm的金刚石实现定量NV-色心浓度的制备提供了参考依据,为NV-色心在宏观物理量精密测量的应用奠定了基础。 展开更多
关键词 NV色心 荧光光谱 电子辐照 制备
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环氧树脂耐电子辐照性能 被引量：8
18
作者 刘瑞霞 赵晓娟 +1 位作者 尚呈元 黄伟 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期64-68,共5页
研究了电子辐照对几种44,'-二氨基二苯甲烷固化的环氧树脂造成的破坏效应。结果表明:在1.4 MeV电子辐照时,环氧树脂会变色、失重、开裂,同时力学性能下降。实验结果表明:双酚A二缩水甘油醚(DGEBA),N,N,N',N'-四缩水甘油基-4... 研究了电子辐照对几种44,'-二氨基二苯甲烷固化的环氧树脂造成的破坏效应。结果表明:在1.4 MeV电子辐照时,环氧树脂会变色、失重、开裂,同时力学性能下降。实验结果表明:双酚A二缩水甘油醚(DGEBA),N,N,N',N'-四缩水甘油基-4,4'-二氨基二苯甲烷(TGDDM),对氨基苯酚三缩水甘油环氧树脂(TGPAP),DGEBA/TGDDM和DGEBA/TGPAP共混物均能承受106 Gy的吸收剂量。而DGEBA/TGPAP共混物,能承受107 Gy的吸收剂量。环氧树脂抗辐照性能的次序为DGEBA/TGPAP>DGEBA/TGDDM>TGPAP≈TGDDM>DGEBA。环氧树脂经电子辐照后压缩模量增加,表明在辐照效应中交联机理占主导,DMA和DSC分析也证实了这一点。 展开更多
关键词 环氧树脂 电子辐照 破坏 压缩强度 交联
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1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响 被引量：7
19
作者 乔辉 贾嘉 +2 位作者 陈新禹 李向阳 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期172-175,共4页
研究了 1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响 .通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数 ,结果发现经过电子辐照 ,器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动 .在辐照剂量大于 10 15... 研究了 1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响 .通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数 ,结果发现经过电子辐照 ,器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动 .在辐照剂量大于 10 15/cm2 时 ,器件的室温电阻和响应率明显下降 . 展开更多
关键词 碲镉汞 光导型探测器 电子辐照 辐照效应 电流响应率 响应光谱
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CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究 被引量：7
20
作者 李豫东 郭旗 +3 位作者 陆妩 周东 何承发 余学峰 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期346-350,共5页
对TCD1209线阵CCD进行能量为1.1MeV的电子辐照试验,采用两种不同的注量率辐照后,对器件进行常温退火试验,在辐照与退火过程中考察CCD的光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律。结果表明,CCD受电子辐照后主要产... 对TCD1209线阵CCD进行能量为1.1MeV的电子辐照试验,采用两种不同的注量率辐照后,对器件进行常温退火试验,在辐照与退火过程中考察CCD的光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律。结果表明,CCD受电子辐照后主要产生电离总剂量损伤,在不同注量率电子辐照下的辐射损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应。 展开更多
关键词 线阵CCD 电子辐照 电离总剂量效应 时间相关效应
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