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基于第一性原理计算的Sr_(2)MgSi_(2)O_(7):Eu^(2+),Dy^(3+)长余辉材料持续发光机理 被引量：1
1
作者 杨晓宇 王翔昱 +2 位作者 曹雪娟 唐伯明 袁颖 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期775-782,共8页
长余辉材料应用广泛,但种类繁多、发光机理难以被普遍阐释。针对发光–余辉性能好的Sr_(2)MgSi_(2)O_(7):Eu^(2+),Dy^(3+)硅酸盐长余辉材料,构建Sr_(2)MgSi_(2)O_(7)基质、Eu掺杂及(Eu,Dy)共掺杂Sr_(2)MgSi_(2)O_(7)的分子模型,进行第... 长余辉材料应用广泛,但种类繁多、发光机理难以被普遍阐释。针对发光–余辉性能好的Sr_(2)MgSi_(2)O_(7):Eu^(2+),Dy^(3+)硅酸盐长余辉材料,构建Sr_(2)MgSi_(2)O_(7)基质、Eu掺杂及(Eu,Dy)共掺杂Sr_(2)MgSi_(2)O_(7)的分子模型,进行第一性原理计算。从电子结构角度解译电子跃迁俘获路径,并阐释Sr_(2)MgSi_(2)O_(7):Eu^(2+),Dy^(3+)的持续发光机理。结果表明:Eu、Dy离子的掺入使Sr_(2)MgSi_(2)O_(7)由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体;Dy 5d态主要位于Fermi能级与Eu 5d态之间,并与Eu 5d态存在能量重叠,这证实了Dy3+作为电子陷阱的合理性。Sr_(2)MgSi_(2)O_(7):Eu^(2+),Dy^(3+)发光过程的揭示有助于后续光学性能的调控与提升。 展开更多
关键词 硅酸镁锶长余辉材料 第一性原理计算 发光机理 电子跃迁俘获
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