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V,Cr掺杂CdSe铁磁半导体的电子能态密度和半金属性质研究 被引量：4
1
作者 周清 张俊峰 陈洪 《西南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期68-71,共4页
在共轭梯度近似(GGA)下,采用第一性原理平面波赝势方法,对V和Cr掺杂闪锌矿CdSe半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究.结果表明,掺入磁性过渡金属V和Cr后的CdSe明显具有铁磁性,每个超晶胞的总磁矩为3.0和4.0μB,而且呈现出显著的半... 在共轭梯度近似(GGA)下,采用第一性原理平面波赝势方法,对V和Cr掺杂闪锌矿CdSe半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究.结果表明,掺入磁性过渡金属V和Cr后的CdSe明显具有铁磁性,每个超晶胞的总磁矩为3.0和4.0μB,而且呈现出显著的半金属特征.这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值. 展开更多
关键词 第一性原理 稀磁半导体 电子能态密度 半金属相
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利用Materials Studio软件进行光催化降解有机染料的机理研究
2
作者 翁景峥 李颖 《海峡科学》 2009年第2期6-9,共4页
光催化是一门新型技术,它为人类开发利用太阳能开辟了崭新的途径。与常用的处理方法比较,光催化有许多优点。该文简要介绍了光催化机理,并利用Materials Studio 4.0软件对TiO2和ZnO的能带、电子能态密度进行计算,并将结果和实验值进行... 光催化是一门新型技术,它为人类开发利用太阳能开辟了崭新的途径。与常用的处理方法比较,光催化有许多优点。该文简要介绍了光催化机理,并利用Materials Studio 4.0软件对TiO2和ZnO的能带、电子能态密度进行计算,并将结果和实验值进行了对比。计算结果表明,计算值和实验值吻合良好。 展开更多
关键词 光催化 TIO2 ZNO 能带 电子能态密度
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V,Cr掺杂AlP稀磁半导体的电子能态密度和磁性研究
3
作者 周清 《西南大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期27-31,共5页
在共轭梯度近似(GGA)下,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对V,Cr掺杂闪锌矿AlP半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究.结果表明,掺入V和Cr后的AlP明显具有铁磁性,每个超晶胞总磁矩为2.0和3.0μB,并具有显著的半金... 在共轭梯度近似(GGA)下,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对V,Cr掺杂闪锌矿AlP半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究.结果表明,掺入V和Cr后的AlP明显具有铁磁性,每个超晶胞总磁矩为2.0和3.0μB,并具有显著的半金属特征.这对在半导体工业中实现自旋载流子的注入具有一定的理论价值. 展开更多
关键词 第一性原理 稀磁半导体 电子能态密度 半金属相 磁性
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