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智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块 被引量:19
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作者 刘国友 黄建伟 +2 位作者 覃荣震 罗海辉 朱利恒 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第10期2784-2792,共9页
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片... 基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能。基于该芯片制造出的1 500 A/3 300 V高功率密度IGBT模块,相对于优化前其额定电流从1 200 A上升到了1 500 A(上升了25%),同时导通压降从2.8 V下降到了2.4 V(下降了14%),最高工作结温从125℃提升到150℃。反偏安全工作区(reverse biased safe operation area,RBSOA)与短路安全工作区(short-circuit safe operation area,SCSOA)测试显示,该模块能在集电极电压为2 000 V的情况下关断3 000 A的电流,并且在栅电压为15 V、集电极电压为2 000 V的短路条件下的安全工作时间超过10?s。测试结果显示,该模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 智能电网 电子注增强 台面栅 IGBT模块 短路安全工作区
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Electron Injection Enhancement by Diamond-Like Carbon Film in Polymer Electroluminescence Devices
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作者 李宏建 闫玲玲 +4 位作者 黄伯云 易丹青 胡锦 何英旋 彭景翠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期30-34,共5页
A diamond-like carbon (DLC) film is deposited as an electron injection layer between the polymer light-emitting layer(MEH-PPV) and aluminum (Al) cathode electrode in polymer electroluminescence devices (PLEDs)... A diamond-like carbon (DLC) film is deposited as an electron injection layer between the polymer light-emitting layer(MEH-PPV) and aluminum (Al) cathode electrode in polymer electroluminescence devices (PLEDs) using a radio frequency plasma deposition system. The source material of the DLC is n-butylamine. The devices consist of indium tin oxide (ITO)/MEH-PPV/DLC/Al. Electron injection properties are investigated through I-V characteristics,and the mechanism of electron injection enhancement due to a thin DLC layer has been studied. It is found that: (1) a DLC layer thinner than 1.0nm leads to a higher turn-on voltage and decreased electroluminescent (EL) efficiency; (2) a 5.0nm DLC layer significantly enhances the electron injection and results in the lowest turn-on voltage and the highest EL efficiency; (3) DLC layer that exceeds 5.0nm results in poor device performance;and(4) EL emission can hardly be detected when the layer exceeds 10.0nm. The properties of ITO/MEH-PPV/DLC/Al and ITO/MEH-PPV/LiF/Al are investigated comparatively. 展开更多
关键词 diamond-like carbon polymer electroluminescence device electron injection enhancement
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IEGT——适用于STATCOM的新型大功率开关器件 被引量:7
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作者 刘文华 刘炳 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2001年第4期45-47,50,共4页
IEGT(InjectionEnhancedGateTransistor) ,即电子注入增强门极晶体管 ,是东芝公司于 1993年开发出的新一代电力电子器件。它具有通态压降低、门极驱动简单、开关损耗小、串联运行容易等诸多优点。可以确信 ,它将会替代IGBT和GTO ,并广... IEGT(InjectionEnhancedGateTransistor) ,即电子注入增强门极晶体管 ,是东芝公司于 1993年开发出的新一代电力电子器件。它具有通态压降低、门极驱动简单、开关损耗小、串联运行容易等诸多优点。可以确信 ,它将会替代IGBT和GTO ,并广泛应用于大功率电力电子设备 ,特别是FACTS设备。就其基本结构、工作原理和应用范围作了简要的介绍。 展开更多
关键词 逆变器 电子注增强门极晶体管 静止无功发生器 大功率开关器件 IGT STATCOM
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高压大容量静止同步补偿器功率开关器件选用分析 被引量:15
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作者 欧阳旭东 彭程 +3 位作者 胡广振 张海涛 姜齐荣 李旷 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2013年第2期113-118,共6页
在电力电子装置中,大功率开关器件很大程度上决定设备的技术经济指标。以南方电网35kV/±200Mvar链式静止同步补偿器(STATCOM)工程应用为背景,介绍了电子注入增强门极晶体管(IEGT)的基本结构、工作原理和性能特性分析,并与绝缘栅双... 在电力电子装置中,大功率开关器件很大程度上决定设备的技术经济指标。以南方电网35kV/±200Mvar链式静止同步补偿器(STATCOM)工程应用为背景,介绍了电子注入增强门极晶体管(IEGT)的基本结构、工作原理和性能特性分析,并与绝缘栅双极性晶体管(IGBT)与集成门极换向晶闸管(IGCT)的参数进行对比,阐述了基于IEGT的功率相模块结构及工作原理,并对其进行了试验验证。试验结果表明IEGT具有优越性,可作为高压大容量STATCOM功率开关器件的首选。所得结论经南方电网STATCOM实际工程应用验证,可供高压大容量STATCOM设计借鉴。 展开更多
关键词 高压大功率器件 电子注增强门极晶体管(IEGT) 集成门极换向晶闸管(IGCT) 静止同步补偿器(STATCOM)
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高压大功率电网新型MMC-STATCOM结构直流融冰装置研究 被引量:13
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作者 马冰 陈忠华 +2 位作者 刘红恩 杨慕紫 付京 《电力系统保护与控制》 EI CSCD 北大核心 2015年第11期101-108,共8页
通过改进MMC-STATCOM结构可使其具有直流输出能力,实现高压大功率电网的直流融冰功能。运用三相模块化多电平换流器(Modular Multi-level Converter,MMC)的公共直流端以及MMC各相之间能量能够相互流动的特点,实现四象限运行,且模块化的... 通过改进MMC-STATCOM结构可使其具有直流输出能力,实现高压大功率电网的直流融冰功能。运用三相模块化多电平换流器(Modular Multi-level Converter,MMC)的公共直流端以及MMC各相之间能量能够相互流动的特点,实现四象限运行,且模块化的设计适合用于高压、大功率的场合。应用耐压高,驱动功率小的电子注入增强栅晶体管(Injection Enhanced Gate Transistor,IEGT)作为功率子模块的开关器件,能够使装置容量得到更好的扩充,实现大电流的直流融冰和大功率的无功补偿功能。静止同步补偿器(Static Synchronous Compensator,STATCOM)也为无功补偿提供更准确和快捷的补偿能力。最后利用Matlab等仿真软件搭建三相MMC-STATCOM结构融冰装置仿真模型进行模拟仿真,结果证明此结构在电网中可稳定且快速地运行。 展开更多
关键词 模块化多电平换流器 四象限运行 直流融冰 无功补偿 电子注增强栅晶体 静止同步补偿器
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一种具有n型隐埋载流子存储层的BRT新结构
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作者 张超 王彩琳 +2 位作者 刘园园 杨武华 苏乐 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第4期306-310,共5页
提出了一种具有n型隐埋载流子存储层的基极电阻控制晶闸管(BRT)新结构。利用TCAD仿真软件对其工作机理和静态特性进行了分析,并与双栅BRT进行了性能对比。结果表明,新器件导通时会产生电子注入增强效应,由绝缘栅双极晶体管模式快速转换... 提出了一种具有n型隐埋载流子存储层的基极电阻控制晶闸管(BRT)新结构。利用TCAD仿真软件对其工作机理和静态特性进行了分析,并与双栅BRT进行了性能对比。结果表明,新器件导通时会产生电子注入增强效应,由绝缘栅双极晶体管模式快速转换成晶闸管模式,当n型隐埋层浓度为8×10^(15)cm^(-3),隐埋层与p基区相接并与p++分流区距离接近时,能够有效抑制器件中的电压折回现象,获得良好的导通特性。新器件的导通压降为3.84 V,比传统器件减少了26%。 展开更多
关键词 基极电阻控制晶闸管(BRT) 电子注增强效应(IE) 载流子存储(CS)
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基于电力电技术的柔性交流传输设备(FACTS)
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作者 黄顺礼 《核工业自动化》 2003年第1期23-26,共4页
电力电子技术的发展,尤其是其中关银器件GTO(可关断晶闸管)、LTT(光控晶闸管)及IEGT(电子注入增强门板晶体管)向高电压、大功率方向的迅速发展,出现了一类为适应电力系统向远距离大容量输电而需要对其参数实施快速控制的大功率电力... 电力电子技术的发展,尤其是其中关银器件GTO(可关断晶闸管)、LTT(光控晶闸管)及IEGT(电子注入增强门板晶体管)向高电压、大功率方向的迅速发展,出现了一类为适应电力系统向远距离大容量输电而需要对其参数实施快速控制的大功率电力电子设备——柔性交流传输设备(Flexible AC Transmission Systems),国际简称为FACTS,国内有的翻译为柔性交流输电技术,还有翻译为灵活交流输电系统,尽管其中的静止无功补偿器(SVC)早已出现,但FACTS更广阔的含义最先是由美国电力研究院(EPRI)提出的,它可使输电线路上的负荷接近其内部热极限功率,并能快速响应瞬时扰动,改善整个系统的稳定性。 展开更多
关键词 可关断晶闸管 光控晶闸管 电子注增强门板晶体管 电力电子设备 柔性交流传输设备 柔性交流输电技术 电力技术
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高压大容量链式STATCOM中IEGT功率模块的仿真分析
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作者 路圆圆 包讯泽 《辽宁科技大学学报》 CAS 2015年第5期370-375,共6页
为了提高链式STATCOM的运行性能和可靠性,针对用于高压大容量STATCOM链节中的新型大功率器件IEGT功率模块进行仿真研究。依据生产厂家所给的典型IEGT导通特性曲线,采用线性插值方法,分析了工程中设备实际运行温度的IEGT导通特性;建立了I... 为了提高链式STATCOM的运行性能和可靠性,针对用于高压大容量STATCOM链节中的新型大功率器件IEGT功率模块进行仿真研究。依据生产厂家所给的典型IEGT导通特性曲线,采用线性插值方法,分析了工程中设备实际运行温度的IEGT导通特性;建立了IEGT功能模型。根据实际工程设计参数对带有缓冲电路的IEGT功率模块进行了仿真分析,讨论缓冲电路参数变化的影响。结果表明,功率模块缓冲电路中电容和电感参数变化对IEGT关断电压尖峰影响大,电阻增大尖峰的峰值明显增大,而出现尖峰的时间基本不变,这一结果可以作为STATCON工程设计中器件选用和缓冲参数优化设计的参考。 展开更多
关键词 静态无功补偿装置 电子注增强型门极晶体管 功率模块 缓冲电路 仿真
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IEGT的高温特性与闩锁失效分析(英文)
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作者 王彩琳 贺东晓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期130-135,共6页
介绍了平面栅电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)的闩锁效应,讨论了温度对关键特性参数如通态压降、正向阻断电压及开关时间的影响。利用ISE软件模拟了IEGT在高温下的导通特性、阻断特性和开关特性,分析了IEGT在高温下的失效原因,提出了改... 介绍了平面栅电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)的闩锁效应,讨论了温度对关键特性参数如通态压降、正向阻断电压及开关时间的影响。利用ISE软件模拟了IEGT在高温下的导通特性、阻断特性和开关特性,分析了IEGT在高温下的失效原因,提出了改善其高温安全工作区(SOA)的措施。 展开更多
关键词 功率半导体器件 电子注增强型栅极晶体管 高温 闩锁 失效分析
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