期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
电子束光刻技术与图形数据处理技术
被引量:
13
1
作者
陈宝钦
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011年第6期345-352,共8页
介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转...
介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转换技术以及电子束邻近效应校正图形数据处理技术。重点推荐应用于电子束光刻的几种常用抗蚀剂的主要工艺条件与参考值,同时推荐了可以在集成电路版图编辑软件L-Edit中方便调用的应用于绘制含有任意角度单元图形和任意函数曲线的复杂图形编辑模块。
展开更多
关键词
电子束
直写(EBDW)
电子束
邻近
效应
校正
(
epc
)
匹配与混合光刻
图形数据处理
L-Edit图形编辑器
下载PDF
职称材料
高线密度X射线双光栅的研制
被引量:
2
2
作者
何宽
易涛
+3 位作者
刘慎业
牛洁斌
陈宝钦
朱效立
《微纳电子技术》
北大核心
2014年第6期381-385,共5页
研究了采用高分辨率的100 kV电子束光刻和光学光刻系统相结合制作高线密度X射线双光栅的工艺技术,并且分析了电子束邻近效应校正技术在高线密度光栅制备中的应用。首先,利用电子束曝光和纳米电镀技术在同一衬底上制备两种不同线密度光...
研究了采用高分辨率的100 kV电子束光刻和光学光刻系统相结合制作高线密度X射线双光栅的工艺技术,并且分析了电子束邻近效应校正技术在高线密度光栅制备中的应用。首先,利用电子束曝光和纳米电镀技术在同一衬底上制备两种不同线密度光栅图形;然后,利用光学光刻在2 000 lp/mm光栅上制备了自支撑加强筋结构。通过此技术制备的X射线双光栅成功集成了高线密度5 000 lp/mm透射光栅和2 000 lp/mm自支撑透射光栅,其栅线宽度分别为100和250 nm,金吸收体厚度达到400 nm。
展开更多
关键词
X射线双光栅
自支撑透射光栅
电子束
光刻
纳米电镀
电子束
邻近
效应
校正
(
epc
)
下载PDF
职称材料
题名
电子束光刻技术与图形数据处理技术
被引量:
13
1
作者
陈宝钦
机构
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011年第6期345-352,共8页
基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB0N0604)
国家自然科学基金资助项目(61078060)
基础科研项目(B1020090022)
文摘
介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转换技术以及电子束邻近效应校正图形数据处理技术。重点推荐应用于电子束光刻的几种常用抗蚀剂的主要工艺条件与参考值,同时推荐了可以在集成电路版图编辑软件L-Edit中方便调用的应用于绘制含有任意角度单元图形和任意函数曲线的复杂图形编辑模块。
关键词
电子束
直写(EBDW)
电子束
邻近
效应
校正
(
epc
)
匹配与混合光刻
图形数据处理
L-Edit图形编辑器
Keywords
electron beam direct writing(EBDW)
electron-beam proximity effect correction(
epc
)
match and mixed lithography
pattern data process
L-Edit pattern editor
分类号
TN305.6 [电子电信—物理电子学]
TN305.7
下载PDF
职称材料
题名
高线密度X射线双光栅的研制
被引量:
2
2
作者
何宽
易涛
刘慎业
牛洁斌
陈宝钦
朱效立
机构
中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成实验室
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2014年第6期381-385,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2012AA040405)
国家自然科学基金创新群体资助项目(61221004)
文摘
研究了采用高分辨率的100 kV电子束光刻和光学光刻系统相结合制作高线密度X射线双光栅的工艺技术,并且分析了电子束邻近效应校正技术在高线密度光栅制备中的应用。首先,利用电子束曝光和纳米电镀技术在同一衬底上制备两种不同线密度光栅图形;然后,利用光学光刻在2 000 lp/mm光栅上制备了自支撑加强筋结构。通过此技术制备的X射线双光栅成功集成了高线密度5 000 lp/mm透射光栅和2 000 lp/mm自支撑透射光栅,其栅线宽度分别为100和250 nm,金吸收体厚度达到400 nm。
关键词
X射线双光栅
自支撑透射光栅
电子束
光刻
纳米电镀
电子束
邻近
效应
校正
(
epc
)
Keywords
X-ray dual grating
self-standing transmission grating
electron beam lithography
nano plating
electron beam proximity effect correction (
epc
)
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子束光刻技术与图形数据处理技术
陈宝钦
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011
13
下载PDF
职称材料
2
高线密度X射线双光栅的研制
何宽
易涛
刘慎业
牛洁斌
陈宝钦
朱效立
《微纳电子技术》
北大核心
2014
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部