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电子断层扫描技术在催化纳米材料重构中的研究
被引量：
2
1
作者
张浩
黄亦
+1 位作者
梁超伦
赵文霞
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期219-225,共7页
揭示纳米尺度下催化材料结构与性能之间的关系,透射电镜技术是一种不可或缺的表征方法。本文通过透射电镜形貌像、高分辨透射电子显微(high resolution transmission electron microscopy,HRTEM)像及高角环形暗场(high angle annular da...
揭示纳米尺度下催化材料结构与性能之间的关系,透射电镜技术是一种不可或缺的表征方法。本文通过透射电镜形貌像、高分辨透射电子显微(high resolution transmission electron microscopy,HRTEM)像及高角环形暗场(high angle annular dark field,HAADF)方法,并运用电子断层扫描技术(electron tomography,ET),揭示了Pt Co合金纳米颗粒的物相结构以及表面包围晶面形态信息,重构出催化剂纳米颗粒的凹面六四面体的三维形态结构。此外,本文将电子断层扫描技术扩展到负载型多孔沸石咪唑脂骨架结构材料(ZIF-8)和介孔Al_2O_3分子筛两种材料的分析研究,在一定程度上弥补了常规透射电镜显微成像仅能提供二维投影信息的不足。最后基于目前ET技术的优势和不足,讨论并展望了透射电镜相关ET硬件技术的发展和应用前景。
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关键词
电子
断层扫描
(
et
)
催化材料
PtCo纳米粒子
多孔沸石咪唑脂骨架结构材料
介孔分子筛
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职称材料
运用互补性显微术在终极尺度上三维重构并分析同一个纳米级样品
2
作者
A.Grenier
R.Serra
+8 位作者
G Audoit
J.P.Barnes
D.Cooper
S.Duguay
D.Blavette
N.Rolland
F Vurpillot
P.Morin
Pascal Gouraud
《中国集成电路》
2015年第8期54-58,79,共6页
运用两种不同的纳米尺度或原子尺度测量分析方法分析同一个样品,对完全掌握一种材料或产品的属性至关重要,这种优势互补的分析方法特别适用于测定MOSFET、FINFET等新一代纳米级晶体管的掺杂分布情况。本文综合电子断层扫描技术（ET）与...
运用两种不同的纳米尺度或原子尺度测量分析方法分析同一个样品,对完全掌握一种材料或产品的属性至关重要,这种优势互补的分析方法特别适用于测定MOSFET、FINFET等新一代纳米级晶体管的掺杂分布情况。本文综合电子断层扫描技术（ET）与原子探针层析技术（APT）两种表征方法,研究纳米级晶体管中硼原子空间分布特征。
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关键词
电子
断层扫描
(
et
)
原子探针层析(APT)
CMOS器件
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职称材料
题名
电子断层扫描技术在催化纳米材料重构中的研究
被引量：
2
1
作者
张浩
黄亦
梁超伦
赵文霞
机构
中山大学测试中心
南方科技大学物理系
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期219-225,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.41273039)
文摘
揭示纳米尺度下催化材料结构与性能之间的关系,透射电镜技术是一种不可或缺的表征方法。本文通过透射电镜形貌像、高分辨透射电子显微(high resolution transmission electron microscopy,HRTEM)像及高角环形暗场(high angle annular dark field,HAADF)方法,并运用电子断层扫描技术(electron tomography,ET),揭示了Pt Co合金纳米颗粒的物相结构以及表面包围晶面形态信息,重构出催化剂纳米颗粒的凹面六四面体的三维形态结构。此外,本文将电子断层扫描技术扩展到负载型多孔沸石咪唑脂骨架结构材料(ZIF-8)和介孔Al_2O_3分子筛两种材料的分析研究,在一定程度上弥补了常规透射电镜显微成像仅能提供二维投影信息的不足。最后基于目前ET技术的优势和不足,讨论并展望了透射电镜相关ET硬件技术的发展和应用前景。
关键词
电子
断层扫描
(
et
)
催化材料
PtCo纳米粒子
多孔沸石咪唑脂骨架结构材料
介孔分子筛
Keywords
et
catalytic materials
PtCo alloy nanoparticles
ZIF-8
mesoporous molecular sieves
分类号
TG115.215.3 [金属学及工艺—物理冶金]
TN16 [金属学及工艺—金属学]
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职称材料
题名
运用互补性显微术在终极尺度上三维重构并分析同一个纳米级样品
2
作者
A.Grenier
R.Serra
G Audoit
J.P.Barnes
D.Cooper
S.Duguay
D.Blavette
N.Rolland
F Vurpillot
P.Morin
Pascal Gouraud
机构
Univ.Grenoble Alpes
GPM UMR
STMicroelectronics
出处
《中国集成电路》
2015年第8期54-58,79,共6页
基金
RechercheTechnologique de Base(RTB)和法国国家研究局APTITUDE项目(ANR-12-NANO-0001)
文摘
运用两种不同的纳米尺度或原子尺度测量分析方法分析同一个样品,对完全掌握一种材料或产品的属性至关重要,这种优势互补的分析方法特别适用于测定MOSFET、FINFET等新一代纳米级晶体管的掺杂分布情况。本文综合电子断层扫描技术（ET）与原子探针层析技术（APT）两种表征方法,研究纳米级晶体管中硼原子空间分布特征。
关键词
电子
断层扫描
(
et
)
原子探针层析(APT)
CMOS器件
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子断层扫描技术在催化纳米材料重构中的研究
张浩
黄亦
梁超伦
赵文霞
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
下载PDF
职称材料
2
运用互补性显微术在终极尺度上三维重构并分析同一个纳米级样品
A.Grenier
R.Serra
G Audoit
J.P.Barnes
D.Cooper
S.Duguay
D.Blavette
N.Rolland
F Vurpillot
P.Morin
Pascal Gouraud
《中国集成电路》
2015
0
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