尖晶石型LiMn_2O_4晶体结构及锂离子筛H^+/Li^+交换性质研究 被引量：4

1

作者 刘肖丽 杨立新 +1 位作者 邬赛祥 李芬 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1673-1679,共7页

采用密度泛函理论平面波超软赝势和广义梯度近似法对尖晶石型LiMn2O4及其锂离子筛HMn2O4的晶体结构和性质进行了从头计算。PW91泛函最为有效,Li+被H+取代后HMn2O4晶胞收缩,点阵常数从LiMn2O4的0.823 nm减小至0.799 nm,其XRD峰也相应向... 采用密度泛函理论平面波超软赝势和广义梯度近似法对尖晶石型LiMn2O4及其锂离子筛HMn2O4的晶体结构和性质进行了从头计算。PW91泛函最为有效,Li+被H+取代后HMn2O4晶胞收缩,点阵常数从LiMn2O4的0.823 nm减小至0.799 nm,其XRD峰也相应向高角度方向明显位移。经同种格点原子的XRD分析表明,Mn、O两元素对XRD方式和强度起着决定作用。其中Li呈+1价完全离子化,可被H+彻底交换,H与周围O在等电子密度图中呈现电子云相互连接,只带有0.42个正电荷。价轨道分态密度表明,Mn-O之间强的共价键合主要归因于Mn-d和O-p在费米能级下-7.3^-1.6 eV间的轨道重叠,形成了有利于H+/Li+交换的骨架空穴隧道。阵点和空穴多面体的体积遵守如下顺序:V8a>V48f>V8b、V16c>V16d、V16c>V48f。Li+最易迁移至邻近的16c位置,碱金属离子的交换受到离子半径和作用能大小的限制。 展开更多

关键词 LIMN2O4 XRD计算 分态密度 电子布居 离子筛

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激光强度对电子在基态和激发态布居的影响

2

作者 杨晓华 苗向阳 《山西师范大学学报（自然科学版）》 2020年第4期15-18,共4页

本文通过求解含时薛定谔方程研究了激光强度对电子在基态和激发态布居的影响.计算结果表明,激光强度的变化引起了基态-激发态之间电子的跃迁行为.

关键词 激光强度 电子布居 氢分子离子

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NbSi_n,NbSi_n^+,NbSi_n^-(n=1～6)团簇稳定性和电子结构特性的研究

3

作者 赵普举 李婷 +1 位作者 郭平 任兆玉 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期900-904,共5页

目的研究NbSin,NbSin+以及NbSin-(n=1～6)团簇的稳定性和电子结构特性。方法基于从头算法框架下的密度泛函方法。结果对NbSin,NbSin+以及NbSin-(n=1～6)团簇的几何构型、总能量、分裂能、HOMO-LUMO能隙以及电子的自然布居和Mulliken布... 目的研究NbSin,NbSin+以及NbSin-(n=1～6)团簇的稳定性和电子结构特性。方法基于从头算法框架下的密度泛函方法。结果对NbSin,NbSin+以及NbSin-(n=1～6)团簇的几何构型、总能量、分裂能、HOMO-LUMO能隙以及电子的自然布居和Mulliken布居进行了计算和分析。结论使NbSin(n=1～6)团簇失去一个电子或得到一个电子都会对其热力学稳定性和化学稳定性产生较大影响;在Nb和Si结合成键的过程中,Nb原子只在Si原子数较少时才失去电子,表现出金属性。在绝大多数团簇中,Nb原子的4d轨道都是接受电子的。 展开更多

关键词 团簇 电子布居 分裂能 HOMO-LUMO能隙

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对过碳酸根离子结构问题的探讨 被引量：3

4

作者 程学礼 《泰山学院学报》 2007年第3期98-101,共4页

本文用Gaussian98程序优化了CO42-所有可能的几何构型,并用能量分析、振动模式分析和电子布居分析研究了含过氧键的CO42-的结构,进而分析了与过碳酸钠固体结构的关系.

关键词 过碳酸根离子 振动模式分析 电子布居分析

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几种含氧杂环化合物的芳香性:一个理论研究 被引量：3

5

作者 程学礼 李桂新 +3 位作者 王作茂 赵燕云 马秀华 王新利 《计算机与应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期838-842,共5页

使用Gaussian94程序包,在B3LYP／6-311++G**基组水平上对2,3-二氢呋喃、2,5-二氢呋喃四氢呋喃、1,3-二氧杂环戊二烯和苯并1,3-二氧杂环戊二烯进行了全优化,并应用结构分析、振动模式分析和电子布居分析对主题化合物进行了充分讨论。应... 使用Gaussian94程序包,在B3LYP／6-311++G**基组水平上对2,3-二氢呋喃、2,5-二氢呋喃四氢呋喃、1,3-二氧杂环戊二烯和苯并1,3-二氧杂环戊二烯进行了全优化,并应用结构分析、振动模式分析和电子布居分析对主题化合物进行了充分讨论。应用电子布居分析,得到了芳香性顺序:THF>BDO>2,3-二氢呋喃>1,3-二氧杂环戊二烯>2,5-二氢呋喃。而且,运用TAC的电子布居分析是研究分子结构和芳香性的一种好方法。 展开更多

关键词 芳香性 振动模式分析 电子布居分析

原文传递

BC_(2n)B(n=1-5)的理论研究(英文) 被引量：2

6

作者 程学礼 《计算机与应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1222-1226,共5页

用Gaussian94程序包,在B3LYP／6-311++G**上对线型碳链BC2nB(n=1-5)进行了研究。它们属于D∞h点群．具有特殊的结构,用电子布居分析和振动模式分析来研究这种特殊结构。振动分析表明,属于平面弯曲和面内摇摆的振动模式是简并的,并且属于... 用Gaussian94程序包,在B3LYP／6-311++G**上对线型碳链BC2nB(n=1-5)进行了研究。它们属于D∞h点群．具有特殊的结构,用电子布居分析和振动模式分析来研究这种特殊结构。振动分析表明,属于平面弯曲和面内摇摆的振动模式是简并的,并且属于g对称性的所有面内弯曲和对称伸缩模式都没有或仅有很弱的IR活性。非对称伸缩模式(∑(?))总是有特别高的IR活性。 展开更多

关键词 BC2nB 振动模式分析 电子布居分析

原文传递

CH_2ClO与NO自由基反应机理的量子化学研究 被引量：1

7

作者 程学礼 《泰山学院学报》 2008年第3期61-64,共4页

本文使用Gaussian98程序包,在B3LYP/6-311++G^(**)基组水平上,用振动模式分析和电子布居分析对CH_2 ClO与NO自由基反应体系的反应机理进行了量子化学研究.研究结果表明,CH_2ClO+NO→IM1→TS1→IM2→TS3→OCHCl+HNO为主反应通道,OCHCl+HN... 本文使用Gaussian98程序包,在B3LYP/6-311++G^(**)基组水平上,用振动模式分析和电子布居分析对CH_2 ClO与NO自由基反应体系的反应机理进行了量子化学研究.研究结果表明,CH_2ClO+NO→IM1→TS1→IM2→TS3→OCHCl+HNO为主反应通道,OCHCl+HNO为主产物. 展开更多

关键词 CH2ClO B3LYP 振动模式分析 电子布居分析

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硅和锗纳米线的原子排布和电荷分布的密度泛函紧束缚方法研究 被引量：1

8

作者 吴丽君 韩艳 +1 位作者 李美玲 张林 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2021年第5期85-93,共9页

低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值.采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~... 低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值.采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究.硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变.纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响.纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关.纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响. 展开更多

关键词 纳米线 表面重构 密度泛函紧束缚 Mülliken电子布居数

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GaN HFET沟道中的电子状态转移和非线性研究

9

作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期170-174,共5页

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因。分别研究了势垒层和沟道结构对波函数渗透和电子态转移的... 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因。分别研究了势垒层和沟道结构对波函数渗透和电子态转移的影响。通过势垒层和沟道结构的综合设计获得了在大栅压摆动下保持高跨导和线性的优化结构。提出了剪裁二维能带结构的新工艺方案。 展开更多

关键词 氮化镓 异质结场效应管 非线性 沟道电子态转移 电子波函数渗透 沟道电子布居率 能带剪裁

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基于密度泛函紧束缚方法的Ge_(10)团簇Mülliken交叠电子布居分析与解离行为研究

10

作者 吴丽君 陈建金 +1 位作者 沈龙海 张林 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2021年第4期79-86,共8页

随着微电子工业和纳米技术的不断发展,对低维锗材料物理和化学性质的研究正成为研发新型微纳电子器件的基础.采用遗传算法和密度泛函紧束缚方法相结合计算得到Ge_(10)团簇最低能量构型.通过对该团簇内局域原子堆积结构和基于Mülli... 随着微电子工业和纳米技术的不断发展,对低维锗材料物理和化学性质的研究正成为研发新型微纳电子器件的基础.采用遗传算法和密度泛函紧束缚方法相结合计算得到Ge_(10)团簇最低能量构型.通过对该团簇内局域原子堆积结构和基于Mülliken电子布居的电子性质分析,发现团簇内两个原子间成键的强弱受原子间距和这两个原子各自近邻原子的状况影响.团簇内部原子上的电子会向团簇外部原子转移.团簇的解离会以分成两个团簇和单个原子的方式进行.当以团簇方式解离时,出现两个Ge_(5)团簇或一个Ge_(3)和一个Ge_(7)团簇.位于团簇小表面上方的原子会首先从团簇解离出来,随后八面体顶点上的原子发生解离. 展开更多

关键词 团簇 电子性质 密度泛函紧束缚 Mülliken交叠电子布居数

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SixGey(n=x+y,n=2~5)团簇成键条件与解离行为的密度泛函紧束缚方法研究

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作者 吴丽君 李美玲 +2 位作者 迟宝倩 沈龙海 张林 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2020年第5期677-689,共13页

采用基于密度泛函理论的紧束缚方法和遗传算法相结合的方法对SixGey(x+y=n,n=2~5)二元团簇的低能稳定结构进行了全局搜索,分析了包含不同原子数目、不同组分团簇的几何构型、原子间交叠电子布居数及可能发生的解离行为.研究表明,包含2~... 采用基于密度泛函理论的紧束缚方法和遗传算法相结合的方法对SixGey(x+y=n,n=2~5)二元团簇的低能稳定结构进行了全局搜索,分析了包含不同原子数目、不同组分团簇的几何构型、原子间交叠电子布居数及可能发生的解离行为.研究表明,包含2~5原子团簇的Si-Si、Ge-Ge和Si-Ge键的成键距离分别为2.18?~3.10?、2.32?~3.64?和2.32?~3.38?;二元团簇的原子数目、组分对原子间键长、键角及Si/Ge原子在团簇中的占位、原子间相互作用有明显影响.通过团簇中各原子的Mülliken总交叠电子布居数分析,发现多数团簇中单独的Ge原子最容易被解离出来,随着团簇包含原子数目增多,出现了多种存在竞争机制的解离方式,可能同时存在解离出Si1Ge1、Si2Ge1和Ge原子的情况. 展开更多

关键词 团簇 电子性质 密度泛函紧束缚 Mülliken交叠电子布居数

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