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GaN/GaAlN宽量子阱的二类激子特征(英文) 被引量：5
1
作者 郭子政 梁希侠 班士良 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1303-1306,1310,共5页
考虑了内建电场的影响 ,用变分法计算了 Ga N/Ga Al N量子阱 (QW)的电子子带和激子结合能。结果表明 ,对于阱宽较大情形 ,电子和空穴高度局域在 QW边沿附近。内建电场造成的电子空穴空间的较大分离使 QW激子表现出二类阱特征。重空穴基... 考虑了内建电场的影响 ,用变分法计算了 Ga N/Ga Al N量子阱 (QW)的电子子带和激子结合能。结果表明 ,对于阱宽较大情形 ,电子和空穴高度局域在 QW边沿附近。内建电场造成的电子空穴空间的较大分离使 QW激子表现出二类阱特征。重空穴基态结合能对 展开更多
关键词 量子阱 内建电场 激子 电子子带 变分法
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质量效应对抛物量子阱中电子子带的影响
2
作者 李玉现 刘建军 +1 位作者 霍吉良 孔小均 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2000年第2期182-183,208,共3页
考虑有效质量随空间位置的变化 ( SDEM效应 ) ,计算了垂直磁场作用下量子阱中电子的第一子带 ,与不考虑 SDEM效应的结果做了比较 。
关键词 电子子带 束缚能 质量效应 抛物量子阱 半导体
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第I类广义Fibonacci准周期半导体超晶格的电子子带
3
作者 郭子政 张九安 《河北师范学院学报（自然科学版）》 1993年第4期46-54,共9页
关键词 半导体 超晶格 QSS 电子子带
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混相ZnO/ZnMgO多量子阱中电子子带间跃迁光吸收 被引量：1
4
作者 侯晓敏 班士良 《内蒙古大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2020年第5期479-486,共8页
考虑内建电场的作用,讨论ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱(MQW)阱间耦合、尺寸和三元混晶效应对电子子带间跃迁光吸收的影响。利用有限差分法自洽求解导带中电子的Schrodinger方程和Poisson方程,获得MQW体系电子在基态、第一激发态、第二激发态... 考虑内建电场的作用,讨论ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱(MQW)阱间耦合、尺寸和三元混晶效应对电子子带间跃迁光吸收的影响。利用有限差分法自洽求解导带中电子的Schrodinger方程和Poisson方程,获得MQW体系电子在基态、第一激发态、第二激发态能级和相应的波函数。采用费米黄金法则分别求出纤锌矿和闪锌矿两种结构子带间跃迁光吸收系数,并采用权重模型,拟合两种结构在0.37<x<0.62的混相区间光吸收系数。结果表明:在内建电场的作用下,量子阱数目(Nqw)、尺寸和混晶组分可有效调节MQW结构的光吸收系数,提高光电器件的光吸收效率。光吸收系数峰值随着Nqw的增加先发生红移然后蓝移,随着阱宽和组分的增加而发生蓝移。所得结果可为红外光电器件的制备和相关实验提供参考。 展开更多
关键词 多量子阱 电子子带间跃迁光吸收 混相 量子阱数目 尺寸和三元混晶效应
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用推广的平面波展开法检验平面内极化的电子子带跃迁
5
作者 张满红 朱邦芬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期393-399,共7页
把平面波展开包络函数的方法推广到求解８带的哈密顿量，使它同时包括Г１＾ｃ和Г１５＾ｖ。在这种方法里，可以考虑反演不对称性、能带的非抛物性、有效质量不连续性以及自旋－轨道耦合等效应的影响。作为应用，计算了两个量子阱结构... 把平面波展开包络函数的方法推广到求解８带的哈密顿量，使它同时包括Г１＾ｃ和Г１５＾ｖ。在这种方法里，可以考虑反演不对称性、能带的非抛物性、有效质量不连续性以及自旋－轨道耦合等效应的影响。作为应用，计算了两个量子阱结构的子带和光跃迁概率。实验上在这两个结构中观察到了平面内极化的电子子带跃迁。计算表明这种跃迁的概率很小。实验上观察到的平面内极化的电子子带吸收可能有其他的机制。 展开更多
关键词 电子子带跃迁 半导体 量子阱 平面内极化
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缓冲层对量子阱二能级系统中电子子带间跃迁光吸收的影响
6
作者 李群 屈媛 班士良 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期376-381,共6页
由于ZnO缓冲层对纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致阱和右垒的尺寸、Mg组分值等因素将影响系统中形成二能级.本文考虑内建电场、导带弯曲及材料掺杂对实际异质结势的影响,利用有限差分法数值求解Schr?dinge... 由于ZnO缓冲层对纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致阱和右垒的尺寸、Mg组分值等因素将影响系统中形成二能级.本文考虑内建电场、导带弯曲及材料掺杂对实际异质结势的影响,利用有限差分法数值求解Schr?dinger方程,获得电子的本征能级和波函数,探讨ZnO缓冲层对此类量子阱形成二能级系统的尺寸效应及三元混晶效应的影响;利用费米黄金法则探讨缓冲层、左垒、阱及右垒宽度和三元混晶效应对此类量子阱电子子带间跃迁光吸收的影响.计算结果显示:对于加入ZnO缓冲层的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O有限深单量子阱二能级系统,左垒宽度临界值会随着阱宽和Mg组分值的增大而逐渐减小,随着右垒宽度和缓冲层厚度的增大而逐渐增大;量子阱中电子子带间跃迁光吸收峰会随着左垒、右垒尺寸以及Mg组分的增大发生蓝移,随着阱宽增大而发生红移.本文所得结果可为改善异质结器件的光电性能提供理论指导. 展开更多
关键词 ZnO缓冲层 ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱二能级系统 电子子带间跃迁 三元混晶
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