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碳化硅MOSFET开关瞬态模型 被引量：9
1
作者 夏逸骁 陶雪慧 《电子设计工程》 2021年第1期152-156,共5页
在碳化硅MOSFET大范围应用下,其开关瞬态过程愈发引人关注。由于碳化硅比起硅器件有更高的开关频率,因此其开关特性受到结电容和杂散电感的影响。对碳化硅MOSFET开关过程进行瞬态分析,推导了它的开关模型。通过开关模型提取出其电压变... 在碳化硅MOSFET大范围应用下,其开关瞬态过程愈发引人关注。由于碳化硅比起硅器件有更高的开关频率,因此其开关特性受到结电容和杂散电感的影响。对碳化硅MOSFET开关过程进行瞬态分析,推导了它的开关模型。通过开关模型提取出其电压变化率和电流变化率,在考虑杂散参数的基础之上寻找其与电压及电流变化率之间的联系。仿真及实验通过搭建buck电路平台,测试其开通和关断波形,提取出开关过程各阶段电压电流的变化率,进一步验证理论分析过程和模型建立的准确性。 展开更多
关键词 碳化硅MOSFET 开关模型 电压电流变化率 杂散参数
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一种基于卡尔曼滤波的电能质量扰动检测新方法 被引量：19
2
作者 聂晓华 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第22期6649-6658,共10页
基于正弦波/指数函数自相关的运动状态估计模型,提出一种基于卡尔曼滤波(Kalman filter,KF)的电能质量扰动(power quality disturbances,PQD)检测方法(KFPQD检测方法)。提出方法针对基波频率的纯正弦电压信号模型,以及基波频率纯正弦信... 基于正弦波/指数函数自相关的运动状态估计模型,提出一种基于卡尔曼滤波(Kalman filter,KF)的电能质量扰动(power quality disturbances,PQD)检测方法(KFPQD检测方法)。提出方法针对基波频率的纯正弦电压信号模型,以及基波频率纯正弦信号叠加指数衰减的电流信号模型,选取电压信号及其一阶导数形成二维电压状态向量,选取电流信号及其一阶导数、衰减直流分量形成三维电流状态向量,进行状态空间建模,离散化后采用KF算法对电压/电流及其变化率进行状态估计,跟踪检测基波电压/电流信号的跳变。仿真和微电网PQD检测实验结果表明:提出方法在跟踪精度、抗干扰性和敏感性方面均优于传统KFPQD方法,提高对电压与电流跳变的跟踪性能。 展开更多
关键词 电能质量扰动检测 状态空间模型 电压/电流信号模型 卡尔曼滤波 电压/电流变化率
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基于电压对电流变化率的IGBT结温变化机理及监测方法 被引量：15
3
作者 罗毅飞 汪波 +1 位作者 刘宾礼 夏燕飞 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期38-43,共6页
为了有效监测IGBT的工作结温,通过机理分析提出了一种基于电压对电流变化率的结温在线监测方法。首先基于半导体物理论述了IGBT饱和压降UCE与电流ICE的关系,得到了UCE、ICE与结温的对应关系,然后分析了结温对d UCE/d ICE的影响机理,进... 为了有效监测IGBT的工作结温,通过机理分析提出了一种基于电压对电流变化率的结温在线监测方法。首先基于半导体物理论述了IGBT饱和压降UCE与电流ICE的关系,得到了UCE、ICE与结温的对应关系,然后分析了结温对d UCE/d ICE的影响机理,进一步得到d UCE/d ICE随结温的变化规律,且所得规律不受电压、电流绝对值以及负载的影响。实验结果表明:在IGBT饱和工作区内随着结温的升高,d UCE/d ICE呈正比例增大,d UCE/d ICE与结温之间表现出良好的线性唯一对应关系,UCE在电流不变的条件下与结温也呈线性关系,并进一步得到了完整的UCE、ICE与结温的3维关系曲线,验证了机理分析。因此可通过监测d UCE/d ICE的值来有效表征IGBT的实时结温,该方法不受负载影响,更易实现。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 电压对电流变化率 结温监测 饱和压降 基区压降 PN结压降 饱和工作区
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