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短沟道MOS阈值电压物理模型 被引量：2
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作者 谢晓锋 张文俊 杨之廉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期155-158,共4页
通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道 MOS的阈值电压模型 ,得到的 DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。模拟的结果能很好地与数值模拟器
关键词 短沟道 阀值电压 金属—氧化物—半导体场效应晶体管 MOS 电压物理模型
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