-
题名基于MOS场效应晶体管的高精度可变电阻器
- 1
-
-
作者
霍显杰
田力学
李永刚
李颖弢
-
机构
兰州大学物理科学与技术学院
-
出处
《物理与工程》
2021年第6期50-56,62,共8页
-
基金
甘肃省科技计划项目(20JR5RA307)
甘肃省委组织部甘肃省重点人才项目。
-
文摘
本文介绍了一种有源可变电阻器的实现方法,该电阻器使用MOS场效应晶体管作为开关器件,通过控制MOS场效应晶体管是否导通来控制与之并联的电阻是否接入电路,电阻逐个使用2^(n)Ω。基于电阻分压定律,微控制器(MCU)控制电压控制的电压源(VCVS)的电压来等效模拟电阻分压以达到模拟电阻的目的,本设计引入了比例积分PI控制,很好地消除了误差电阻的影响,提高了电阻精度,且具有良好的抗干扰性能和温度补偿性能。相较已有的一些变阻器,该变阻器具有体积小、精度高、易集成和电阻连续可控等优点,可以广泛应用于电路设计、通信工程、控制工程等领域,在大学物理实验中亦有广泛的用途。
-
关键词
MOS场效应晶体管
可变电阻
比例积分控制(PI控制)
微控制器(MCU)
电压控制的电压源(vcvs)
-
Keywords
MOSFET
variable resistor
PI control
MCU
VCV
-
分类号
TM546
[电气工程—电器]
-
