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含单负材料光子晶体隧穿模的偏振特性 被引量:7
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作者 李文胜 张琴 +2 位作者 黄海铭 付艳华 是度芳 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第8期2033-2037,共5页
为探讨含磁单负材料光子晶体的偏振特性,构造了由普通材料A(SiO2)和磁单负材料B组成的(AB)3(BA)3对称型一维光子晶体。数值计算结果表明,垂直入射时,原禁带的1 907 nm处出现了一个十分尖锐的隧穿模。对TE波,入射角θ增加、B介质的介电... 为探讨含磁单负材料光子晶体的偏振特性,构造了由普通材料A(SiO2)和磁单负材料B组成的(AB)3(BA)3对称型一维光子晶体。数值计算结果表明,垂直入射时,原禁带的1 907 nm处出现了一个十分尖锐的隧穿模。对TE波,入射角θ增加、B介质的介电常数εB或几何厚度减少时,禁带边缘蓝移,宽度变窄,隧穿模的透射率和半峰全宽保持不变,但其位置蓝移。上述3个参数分别变化时,TM波的透射谱及隧穿模的变化规律与TE波的相同,只是入射角增加时,TM波禁带长波边缘的蓝移量小于TE波的。隧穿模的这些偏振特性对高品质滤波器的设计具有指导意义。 展开更多
关键词 光子晶体 材料 偏振 隧穿模
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含特异材料光子晶体隧穿模的偏振特性 被引量:5
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作者 李文胜 罗时军 +2 位作者 黄海铭 张琴 是度芳 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期150-155,共6页
构造了由普通材料A(Si02)和电单负材料B组成的(AB)^N(BA)^N型一维光子晶体.数值计算表明原禁带的1907.3nm处出现了一个十分尖锐的隧穿模.入射角增加,该隧穿模的透射率和半峰全宽度均保持不变,但位置发生蓝移,入射角在15... 构造了由普通材料A(Si02)和电单负材料B组成的(AB)^N(BA)^N型一维光子晶体.数值计算表明原禁带的1907.3nm处出现了一个十分尖锐的隧穿模.入射角增加,该隧穿模的透射率和半峰全宽度均保持不变,但位置发生蓝移,入射角在15°-65°的区间内,移动率的绝对值|dλ/dθ|较大.当B介质的磁导率肛B从5增加到10时,只是隧穿模的位置发生了红移.介质的几何厚度增加时,隧穿模的透射率不变,但其位置红移明显,半峰全宽略有增加. 展开更多
关键词 光子晶体 材料 隧穿模 透射率
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在共面波导上加载集总电容电感制备单负材料 被引量:2
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作者 冯团辉 范丽波 +1 位作者 张春丽 冯志波 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期35-38,共4页
为了探索实现单负材料的方法,研究了在共面波导上加载集总电容和电感元件制备单负材料。首先通过理论分析和微波实验,证实了在共面波导上周期性地加载集总电容和电感元件能够实现两种单负材料(电单负材料和磁单负材料)。然后,针对该制... 为了探索实现单负材料的方法,研究了在共面波导上加载集总电容和电感元件制备单负材料。首先通过理论分析和微波实验,证实了在共面波导上周期性地加载集总电容和电感元件能够实现两种单负材料(电单负材料和磁单负材料)。然后,针对该制备方法,进一步研究了加载电容电感周期性的破坏及加载电感对称性的破坏对单负带隙的影响。结果表明:周期性的破坏对单负带隙基本没有影响;对称性被破坏后,如果电感分布在共面波导中心导带的两侧,仍然能够获得单负材料。 展开更多
关键词 材料 材料 材料 共面波导
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单负材料异质结中电磁波的传播特性研究 被引量:1
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作者 杨飞 冯团辉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第4期54-57,共4页
利用在共面波导传输线上加载电容电感实现了单负材料,对由电单负材料和磁单负材料组成的异质结中电磁波的传播特性进行了研究。结果表明:由于电磁波能够在由两种单负材料组成的异质结中发生隧穿,利用基于共面波导传输线的单负材料异质... 利用在共面波导传输线上加载电容电感实现了单负材料,对由电单负材料和磁单负材料组成的异质结中电磁波的传播特性进行了研究。结果表明:由于电磁波能够在由两种单负材料组成的异质结中发生隧穿,利用基于共面波导传输线的单负材料异质结则可以实现具有亚波长特性的谐振腔,并且加载电容电感周期性的破坏对异质结中电磁波隧穿现象的发生及隧穿频率没有影响。 展开更多
关键词 材料 材料 异质结 隧穿 亚波长 谐振腔
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新型电单负材料结构在天线互耦抑制中的应用 被引量:1
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作者 仇玉杰 姜兴 +1 位作者 彭麟 姜祥奔 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第5期996-1003,共8页
单负材料所具有的电磁禁带特性可应用于阵列天线中降低天线单元间的互耦.文中研究设计了一种电单负材料结构单元ENG-APSL,采用等效电路和波导传输法分析了ENG-APSL的电磁特性,并提取等效参数.然后,将基于ENG-APSL单元构成的隔离器用于... 单负材料所具有的电磁禁带特性可应用于阵列天线中降低天线单元间的互耦.文中研究设计了一种电单负材料结构单元ENG-APSL,采用等效电路和波导传输法分析了ENG-APSL的电磁特性,并提取等效参数.然后,将基于ENG-APSL单元构成的隔离器用于抑制微带阵列单元间的互耦.研究表明,天线阵列单元间距为0.37λ_0(λ_0为天线工作频率波长)条件下,加载隔离器后天线阵列单元的E面耦合度降低了21dB,并且在工作频率(5.1GHz)附近隔离度大于25dB的带宽达到5.1%.同时,该隔离器具有结构简单、尺寸小的突出优势. 展开更多
关键词 材料 阵列天线 互耦抑制 隔离器 展宽带宽
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