掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究 被引量：3

1

作者 程翔 陈朝 +1 位作者 徐富春 刘铁林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1264-1268,共5页

采用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF- PECVD)法携带 N2 或 NH3制备掺氮的类金刚石 (DL C∶ N)薄膜 ,对不同掺杂方法得到 DL C∶ N薄膜进行电化学 C- V测量 .I- V和 C- V曲线表明 ,不论是采用 N2 或是 NH3进行掺杂都得到 n型的 DL C薄... 采用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF- PECVD)法携带 N2 或 NH3制备掺氮的类金刚石 (DL C∶ N)薄膜 ,对不同掺杂方法得到 DL C∶ N薄膜进行电化学 C- V测量 .I- V和 C- V曲线表明 ,不论是采用 N2 或是 NH3进行掺杂都得到 n型的 DL C薄膜 ,掺 NH3的样品载流子浓度能达到更高 .根据样品的电化学 C- V测量结果并结合 X射线光电子能谱 ,详细研究了 DL C∶ N薄膜载流子浓度的纵向分布 。 展开更多

关键词 掺氮类金刚石薄膜 电化学c—v X射线光电子能谱

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InGaAs/InP材料的Zn扩散技术 被引量：4

2

作者 刘英斌 陈宏泰 +2 位作者 林琳 杨红伟 郑晓光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期610-612,共3页

使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩... 使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩散现象可以用填隙-替位模型解释。样品经过快速退火过程,获得了极高的空穴浓度。InP的空穴浓度达到7.7×1018/cm3,而InGaAs材料达到7×1019/cm3。在优化的扩散条件下,Zn扩散的深度和浓度精确可控,材料的均匀性好,工艺重复性好,能够应用于光电探测器或其他器件。 展开更多

关键词 金属有机化学气相淀积 锌扩散 退火 电化学c-v 光电探测器

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InP基异质结界面暗电流C-V测试分析

3

作者 林琳 刘英斌 +2 位作者 陈宏泰 王晶 崔琦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期769-771,779,共4页

采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术,对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和XRD测试,得到了InP向InGaAs界面转换采用中断生长、InGaAs... 采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术,对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和XRD测试,得到了InP向InGaAs界面转换采用中断生长、InGaAs向InP界面转换采用As/P直接切换的优化生长方式。用逐层化学腐蚀的方法,对比分析了I-V特性与XRD测试结果的关系,论证了I-V测试结果的有效性,指出了表征异质结界面电学质量的简洁方法。 展开更多

关键词 暗电流 电化学c-v I-v特性 异质结界面

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用电化学C－V技术研究Ga　In　P／GaAs异质结界面特性 被引量：1

4

作者 朱文珍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期56-58,共3页

本文用电化学Ｃ－Ｖ剖面技术研究了接近器件结构的ｎ－ｎＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ／ＧａＡｓ同型异质结的界面特性，测量了载流子浓度分布，用多项式逐段拟合的方法，计算得到异质结界面电势差ＶΦ为４９１ｍｅＶ，界面固定电荷σ为－４... 本文用电化学Ｃ－Ｖ剖面技术研究了接近器件结构的ｎ－ｎＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ／ＧａＡｓ同型异质结的界面特性，测量了载流子浓度分布，用多项式逐段拟合的方法，计算得到异质结界面电势差ＶΦ为４９１ｍｅＶ，界面固定电荷σ为－４．４６×１０１１ｃｍ－２，并推算出导带差△Ｅｃ为１２６ｍｅＶ，相应于△Ｅｃ＝０．２８△Ｅｇ。 展开更多

关键词 异质结界面 导带差 电化学c-v GAINP 砷化镓

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GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量

5

作者 孙永伟 张秀兰 +2 位作者 杨国华 叶晓军 陈良惠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期593-595,共3页

以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进行不同浓度的Si掺杂,然后用电化学C-V的方法确定各层中的载流子浓度,一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的... 以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进行不同浓度的Si掺杂,然后用电化学C-V的方法确定各层中的载流子浓度,一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的温度之间的关系曲线。本文还介绍了如何采用控制生长的条件得到陡峭的界面,使不同掺杂浓度的层与层之间的界面变化非常明显。 展开更多

关键词 分子束外延MBE 硅掺杂 砷化镓 电化学c—v

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电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布

6

作者 徐继平 程凤伶 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2347-2351,共5页

电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析。研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可... 电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析。研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据。 展开更多

关键词 电化学c-v MOcvD GAAS 载流子浓度

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闭管扩散Zn对InP表面性质的影响

7

作者 吕衍秋 庄春泉 +2 位作者 黄杨程 李萍 龚海梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期105-108,共4页

利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线.结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩... 利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线.结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降,InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度,扩散深度随着扩散时间的增长而变大,InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级.另外对扩散后的样品进行光致发光(PL)测试,表明在保证表面载流子浓度的同时,适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响. 展开更多

关键词 闭管扩散 电化学c-v 二次离子质谱 光致发光

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电化学C-V法测量化合物半导体载流子浓度的研究进展 被引量：5

8

作者 李晓云 牛萍娟 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2007年第2期106-110,共5页

电化学C-V(ECV)法是当前测量化合物半导体载流子浓度分布的非常重要的方法。从ECV法的原理、设备、电解液的选择以及测量精度的保证四个方面对ECV法进行了分析和总结,对于不同材料电解液的选择提供了参考。

关键词 电化学c-v法 载流子浓度 电解液

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GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布 被引量：3

9

作者 张秀兰 朱文珍 黄大定 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期288-291,共4页

通过实验确定了一种与 Gex Si1 - x合金表面具有良好电化学界面的电解液 ,利用电化学 C- V方法研究了多层Gex Si1 - x/ Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 .实验结果表明 :采用这种电解液 ,利用电化学 C- V载流子浓度纵向分布测量仪检... 通过实验确定了一种与 Gex Si1 - x合金表面具有良好电化学界面的电解液 ,利用电化学 C- V方法研究了多层Gex Si1 - x/ Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 .实验结果表明 :采用这种电解液 ,利用电化学 C- V载流子浓度纵向分布测量仪检测 Gex Si1 - x/ Si异质材料的载流子浓度纵向分布 ,重复性好 。 展开更多

关键词 电解液 电化学c-v法 硅化锗 载流子浓度 多层异质外延

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电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布 被引量：2

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作者 张秀兰 张富强 +4 位作者 宋书林 陈诺夫 王占国 胡文瑞 林兰英 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第17期1299-1301,共3页

采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布,所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置,并在GaSb中形成了浅受主能级。

关键词 电化学c-v法 GaMnSb/GaSb单晶 载流子浓度 纵向分布 磁性半导体 稀磁半导体 闪锌矿结构

原文传递

电化学C-V法测量AlGaAs材料载流子浓度分布

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作者 颜慧 《石油石化物资采购》 2020年第11期97-98,共2页

电化学C-V测量是半导体行业常用的一种测试方法,通过循环腐蚀-测量的过程能够得到载流子的纵向分布曲线。使用电化学C-V测量对AlGaAs材料掺杂浓度进行测试,在测试过程中对耗散因子、测试频率和腐蚀电流进行优化选择,能够准确地对AlGaAs... 电化学C-V测量是半导体行业常用的一种测试方法,通过循环腐蚀-测量的过程能够得到载流子的纵向分布曲线。使用电化学C-V测量对AlGaAs材料掺杂浓度进行测试,在测试过程中对耗散因子、测试频率和腐蚀电流进行优化选择,能够准确地对AlGaAs材料的掺杂浓度进行纵向剖析,通过测量曲线的分析来指导外延层浓度的设计和优化,进一步提高器件性能。 展开更多

关键词 电化学c-v测量 AlGaAs材料 载流子浓度

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