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硫氰酸银钾复合薄膜的制备及其电存储特性 被引量：1
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作者 季欣 董元伟 徐伟 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第1期230-236,共7页
采用真空热蒸镀法在银电极上蒸镀硫氰酸钾薄膜,并通过界面反应在银电极表面上形成AgK2(SCN)3复合薄膜.采用可见光谱、X射线光电子能谱(XPS)、激光拉曼光谱和X射线多晶衍射谱(XRD)对薄膜进行表征.研究发现,Al/AgK2(SCN)3/Ag器件具有稳定... 采用真空热蒸镀法在银电极上蒸镀硫氰酸钾薄膜,并通过界面反应在银电极表面上形成AgK2(SCN)3复合薄膜.采用可见光谱、X射线光电子能谱(XPS)、激光拉曼光谱和X射线多晶衍射谱(XRD)对薄膜进行表征.研究发现,Al/AgK2(SCN)3/Ag器件具有稳定的可逆电双稳特性,高、低电阻状态的电阻比高达106,并能实现连续"写-读-擦-读"操作.器件的可逆擦写特性归因于外电场作用下AgK2(SCN)3复合介质层内导电通道的形成-断裂;电流-电压曲线拟合显示,低电阻状态符合欧姆传输,而高电阻状态表现出空间电荷限制电流传输模式.在导电通道断裂的过程中,电离作用和焦耳热效应会共同起作用. 展开更多
关键词 电化学电离 电双稳态 导电通道 界面反应 真空热蒸发 焦耳热效应
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