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GaN外延片中载流子浓度的纵向分布 被引量：1
1
作者 方文卿 李述体 +1 位作者 刘和初 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期505-509,共5页
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布。探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分... 采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布。探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考。还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030℃)硅在GaN中的扩散系数,并由此估算了硅在GaN外延片中的扩散宽度。该结果可为GaN外延层结构设计提供参考。 展开更多
关键词 硅扩散 氮化镓 电化学电容电压
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退火对AlGaInP/GaInP多量子阱LED外延片性能的影响
2
作者 李述体 范广涵 +4 位作者 周天明 孙慧卿 王浩 郑树文 郭志友 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期510-514,共5页
采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。研究表明退火对外延片性能有重要影响。与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaIn... 采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。研究表明退火对外延片性能有重要影响。与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6.0×1017cm-3增大到1.1×1018cm-3。但退火温度为780℃时,p型GaP层和p型AlGaInP层的空穴浓度分别下降至8×1017cm-3和1.7×1017cm-3,且Mg原子在AlGaInP系材料中的扩散加剧,导致未掺杂AlGaInP/GaInP多量子阱呈现p型电导。在460～700℃退火范围内,并没有使AlGaInP/GaInP多量子阱的发光性能发生明显变化。但退火温度为780℃时,AlGaInP/GaInP多量子阱的发光强度是退火前的2倍。 展开更多
关键词 MGaInP AlGaInP/GaInP多量子阱 金属有机化学气相沉积 电化学电容电压分析 光致发光
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电化学电容-电压(ECV)法对高铝组分AlGaAs化合物半导体载流子浓度的测量 被引量：1
3
作者 李刚 《标准科学》 2022年第S01期284-287,共4页
电化学电容-电压(ECV)法对测量化合物半导体载流子浓度纵向分布具有重要意义。本文用乙二胺四乙酸二钠(EDTA)电解液对高铝组分AlGaAs化合物半导体单层样品测试,相比钛试剂(Tiron)电解液因为优化了腐蚀均匀性提高了测试的精确度。但对低... 电化学电容-电压(ECV)法对测量化合物半导体载流子浓度纵向分布具有重要意义。本文用乙二胺四乙酸二钠(EDTA)电解液对高铝组分AlGaAs化合物半导体单层样品测试,相比钛试剂(Tiron)电解液因为优化了腐蚀均匀性提高了测试的精确度。但对低铝组分AlGaAs化合物半导体单层样品材料测试时,EDTA电解液因腐蚀速率过快不能准确测量载流子浓度,无法替代Tiron电解液进行测试。于是对EDTA电解液进行稀释改良,通过减缓腐蚀速率来实现对低铝组分AlGaAs化合物半导体单层样品材料的载流子浓度测量。分布式布拉格(DBR)样品同时包含高铝组分AlGaAs和低铝组分AlGaAs,笔者实现用EDTA单一电解液对载流子浓度的测量,与二次离子质谱(SIMS)测试比较具有高度一致。本文为ECV对高铝组分AlGaAs化合物半导体材料体系的载流子浓度测量提供了新方法。 展开更多
关键词 电化学电容-电压 化合物半导体 载流子浓度 电解液
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InP材料Zn扩散的新方法
4
作者 谢生 陈朝 毛陆虹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期360-361,368,共3页
为了在InP材料中获得精确的浅结扩散和低的接触电阻,同时防止InP表面层分解,提出了一种以Zn膜作扩散源、用快速热处理工艺进行Zn扩散的新方法。实验结果表明,该方法不仅可以获得约5×1018cm-3的空穴浓度,而且扩散界面平坦、无尖峰。... 为了在InP材料中获得精确的浅结扩散和低的接触电阻,同时防止InP表面层分解,提出了一种以Zn膜作扩散源、用快速热处理工艺进行Zn扩散的新方法。实验结果表明,该方法不仅可以获得约5×1018cm-3的空穴浓度,而且扩散界面平坦、无尖峰。用SiNx/SiO2和Al2O3图形掩膜制备的p-n结二极管的反向击穿电压分别为28和37V,进一步验证了扩散界面良好的电学特性。 展开更多
关键词 锌扩散 磷化铟 电化学电容-电压 电流-电压特性
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电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结
5
作者 武慧珍 茹国平 +5 位作者 张永刚 金成国 水野文二 蒋玉龙 屈新萍 李炳宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1966-1969,共4页
采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻... 采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用. 展开更多
关键词 电化学电容-电压 超浅结 杂质浓度
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4H-Si_(1-y)C_y合金的生长及特性
6
作者 俞斐 吴军 +9 位作者 韩平 王荣华 葛瑞萍 赵红 俞慧强 谢自力 徐现刚 陈秀芳 张荣 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期290-293,共4页
用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压(ECV)方法,以及俄歇电子能谱(AES)等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜晶... 用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压(ECV)方法,以及俄歇电子能谱(AES)等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜晶体取向单一;SEM结果显示Si1-yCy合金薄膜表面平整,晶粒大小均匀。利用ECV方法得到样品中的载流子浓度分布,由衬底至表面呈n型导电。外延层中(表面除外)的载流子浓度分布是与C的深度分布相关的,表面部分的载流子浓度分布则与背景非故意掺杂相关。 展开更多
关键词 化学气相淀积 4H-Si1-yCy合金 电化学腐蚀电容电压 载流子浓度分布
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电化学C-V测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度的分布 被引量：1
7
作者 文尚胜 王朝阳 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期85-87.9,共4页
在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AIGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液——0.5 mol HCI溶液.综合利用平带电位值(F.B.P)、耗散因子和测量电流等3个测量判据,合理选取测量电压、腐蚀电流... 在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AIGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液——0.5 mol HCI溶液.综合利用平带电位值(F.B.P)、耗散因子和测量电流等3个测量判据,合理选取测量电压、腐蚀电流等测量参数,获得了速度快、重复性好和数据准确可靠的测试效果. 展开更多
关键词 载流子浓度 ALGAINP LED外延片 电解液 电化学电容-电压测量法 平带电位值 耗散因子 发光二极管
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太阳电池工艺中链式扩散与管式扩散对比研究 被引量：1
8
作者 王星谕 蔡昭 +1 位作者 张光春 李果华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期855-859,共5页
简要介绍链式和管式扩散的基本原理,并通过实验,给出扩散后硅片表面磷浓度、pn结结深、方阻不均匀度和电池片电性能等方面的对比分析,验证相比于管式扩散,链式扩散所具有的优劣势。链式扩散在拥有提高产量、降低生产成本和减少环境污染... 简要介绍链式和管式扩散的基本原理,并通过实验,给出扩散后硅片表面磷浓度、pn结结深、方阻不均匀度和电池片电性能等方面的对比分析,验证相比于管式扩散,链式扩散所具有的优劣势。链式扩散在拥有提高产量、降低生产成本和减少环境污染的优势条件下,虽然开路电压略有降低,但电池片光电转换效率仍能和采用传统管式扩散工艺制备的电池片相持平,技术水平已适用于大规模产业化生产。 展开更多
关键词 太阳电池 链式扩散 磷酸 电化学电容-电压法(ECV)
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