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稀土化合物浆料对CVD金刚石厚膜的刻蚀 被引量：5
1
作者 王佳宇 金爱子 +2 位作者 白亦真 纪红 金曾孙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期172-174,共3页
ＣＶＤ金刚石厚膜具有极高的硬度，使得对其进行表面抛光极为困难．传统的机械抛光方法既不经济又耗费时间，而一些新的抛光技术又由于实验条件限制而难以推广．针对以上情况，我们寻求到一种新的化学刻蚀方法，即利用稀土化合物浆料对... ＣＶＤ金刚石厚膜具有极高的硬度，使得对其进行表面抛光极为困难．传统的机械抛光方法既不经济又耗费时间，而一些新的抛光技术又由于实验条件限制而难以推广．针对以上情况，我们寻求到一种新的化学刻蚀方法，即利用稀土化合物浆料对金刚石厚膜生长表面进行刻蚀，破坏表面的晶粒使之成为晶骸，降低表面的耐磨性，以提高表面粗糙的金刚石厚膜的抛光效率． 展开更多
关键词 CVD 金刚石厚膜 刻蚀 稀土化合物浆料 表面形貌 生长表面 镜面抛光效率
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多层次可拓物元基因概念设计方法的研究 被引量：3
2
作者 李文强 孙文磊 熊艳 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2008年第2期414-416,共3页
面对现有概念设计方法创新层次和可操作性时常不能兼顾的困境,合理地将可拓学的冲突解决理论和生物生长中的中心法则引入概念设计过程中,以多层次产品分解粒度作为设计信息表达载体,借助可拓变换的推理机制提出了一种多层次可拓基因推... 面对现有概念设计方法创新层次和可操作性时常不能兼顾的困境,合理地将可拓学的冲突解决理论和生物生长中的中心法则引入概念设计过程中,以多层次产品分解粒度作为设计信息表达载体,借助可拓变换的推理机制提出了一种多层次可拓基因推理的概念设计方法,较好地解决了兼顾问题。讨论了设计方法的总体框架和相应原型系统,实例化地验证了方法和系统的可行性。 展开更多
关键词 生长表面 双次可拓推理 层次评价 原型系统
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生长表面中的点缺陷对表面生长行为的影响
3
作者 马本堃 楚卫东 唐刚 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期204-207,共4页
采用修正的KPZ方程和动力学重整化群技术，求解生长表面或界面中存在点缺陷或杂质时的标度指数x和z，所得结果表明点缺陷与杂质的存在倾向于使生长表面更加粗糙化．
关键词 点缺陷 重整化群 表面界面生长 生长表面
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多晶Si薄膜的低温生长及其表面反应的控制
4
作者 贺德衍 罗靖 程文娟 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 2000年第z2期643-645,共3页
本文报道用反应气体SiF4和H2的微波等离子体化学气相沉积法低温(360℃)生长多晶Si(poly-Si)薄膜及其生长表面反应控制.实验发现,生长压力对晶粒的结晶取向有很大影响.改变SiF4与H2的流量比以选择等离子体中的活性集团,并结合外加偏压抑... 本文报道用反应气体SiF4和H2的微波等离子体化学气相沉积法低温(360℃)生长多晶Si(poly-Si)薄膜及其生长表面反应控制.实验发现,生长压力对晶粒的结晶取向有很大影响.改变SiF4与H2的流量比以选择等离子体中的活性集团,并结合外加偏压抑制带电粒子对薄膜生长表面的轰击是控制生长表面反应、制备高质量poly-Si薄膜的有效方法.用这种方法制备了H含量低达～1.0at.%、拉曼特征峰半高宽仅为～4.4 cm-1的poly-Si薄膜. 展开更多
关键词 poly-Si薄膜 生长表面反应 微波等离子体CVD
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掺V6H-SiC单晶生长表面V析出相研究
5
作者 洪颖 郝建民 +2 位作者 冯玢 王香泉 章安辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期124-126,143,共4页
采用扫描电镜(SEM)和光学显微镜(OM)观察物理气相传输(PVT)法生长掺V6H-SiC单晶新鲜表面时,发现具有特定形状的析出相,经SEM能谱(EDX)测试确定析出相的主要成分是V,推断其在单晶生长结束后的降温过程中产生。通过对V析出相的进一步研究... 采用扫描电镜(SEM)和光学显微镜(OM)观察物理气相传输(PVT)法生长掺V6H-SiC单晶新鲜表面时,发现具有特定形状的析出相,经SEM能谱(EDX)测试确定析出相的主要成分是V,推断其在单晶生长结束后的降温过程中产生。通过对V析出相的进一步研究发现其在数量、尺寸以及方向上都与单晶生长中心具有一定的关系,具有特定的分布规律,任何一个视场,析出相的取向只有两种,且数量相当,这一结果说明结晶动力学对V的掺入具有一定的影响;当结晶温度较高时,这种影响不明显,但随着结晶区温度的降低,影响加剧,从而出现析出相,且析出相的结晶行为完全受晶体表面形貌的制约。 展开更多
关键词 6H-SIC 掺钒 单晶生长表面 钒析出相 分布规律
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植物体氮素的挥发损失——Ⅳ.玉米生长过程中挥发损失的氮素 被引量：5
6
作者 田霄鸿 李生秀 《西北农林科技大学学报（自然科学版）》 CSCD 1992年第S1期18-24,共7页
把玉米植株和用经磷酸甘油液浸泡的塑料泡沫覆盖的生长介质(土壤)同置于密闭的生长室中,捕获测定了玉米整个生育过程中挥发的氨气。结果表明,玉米能挥发出少量的氨,中后期62d挥发量约为200g/ha;后期挥发量较前期大,约6g/d·ha(N)。... 把玉米植株和用经磷酸甘油液浸泡的塑料泡沫覆盖的生长介质(土壤)同置于密闭的生长室中,捕获测定了玉米整个生育过程中挥发的氨气。结果表明,玉米能挥发出少量的氨,中后期62d挥发量约为200g/ha;后期挥发量较前期大,约6g/d·ha(N)。温度、叶子衰老程度、施氮水平对氨气挥发量未表现出明显影响。玉米挥发的氨量不稳定,变异较大。 展开更多
关键词 玉米 氨挥发 生长介质表面处理 纳氏比色法
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