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200 mm硅外延片时间雾的产生机理及管控方法研究 被引量：1
1
作者 刘勇 仇光寅 +2 位作者 邓雪华 杨帆 金龙 《电子与封装》 2022年第7期49-52,共4页
针对硅外延加工过程及所处环境,研究了200 mm硅外延片时间雾产生的原因,分析了环境湿度、外延反应前后排外能力以及洁净厂房环境阳离子浓度等影响因素,提出了硅外延反应副产物氯化氢(HCl)和环境中的阳离子是导致硅外延片表面产生时间雾... 针对硅外延加工过程及所处环境,研究了200 mm硅外延片时间雾产生的原因,分析了环境湿度、外延反应前后排外能力以及洁净厂房环境阳离子浓度等影响因素,提出了硅外延反应副产物氯化氢(HCl)和环境中的阳离子是导致硅外延片表面产生时间雾的主要原因。通过增强硅外延设备排外能力降低环境中的阳离子浓度,可有效降低时间雾产生的概率。 展开更多
关键词 硅外延 时间雾 环境阳离子 载片腔 氯化氢
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