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降压变换器片内集成软启动电路设计 被引量：5
1
作者 袁冰 来新泉 +2 位作者 李演明 叶强 贾新章 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期2069-2073,共5页
针对电流模降压变换器的集成化趋势,提出了一种可片内集成的软启动电路.该结构利用芯片振荡器产生的窄脉冲信号,控制微电流对片内电容间歇充电得到斜坡电压,并巧妙地利用复合比较器以较小的功耗实现了对峰值电流的限制,避免了浪涌电流,... 针对电流模降压变换器的集成化趋势,提出了一种可片内集成的软启动电路.该结构利用芯片振荡器产生的窄脉冲信号,控制微电流对片内电容间歇充电得到斜坡电压,并巧妙地利用复合比较器以较小的功耗实现了对峰值电流的限制,避免了浪涌电流,完成了软启动功能.提出的软启动电路结构简单、易于实现,减少了芯片引脚数目,降低了PCB面积,并在一款基于0.5μmCMOS工艺设计的降压型DC-DC中进行了投片验证.测试结果表明,3.6V输入1.8V输出600mA负载电流在使能140μs后芯片成功实现了软启动. 展开更多
关键词 软启动电路 降压变换器 电流模控制 浪涌电流 片内集成
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51单片机串口应用 被引量：6
2
作者 张幼麟 《内江科技》 2019年第10期32-32,12,共2页
51系列单片机被大量使用在现场控制环境中,而单片机片内集成的串口模块负责单片机控制系统与外界的数据通信。本文对单片机串口模块的工作原理及工作模式做了简单介绍,通过例子说明了串口的设置和应用。
关键词 51系列单片机 单片机控制系统 51单片机 现场控制 串口 数据通信 片内集成
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一种片内集成的高精度振荡器
3
作者 律博 《电子器件》 CAS 2024年第1期31-35,共5页
在传统的RC振荡器结构基础上提出了一种片内集成的高精度振荡器电路,采用温度补偿电路对充电电流进行温度补偿。采用电容校准电路对输出频率进行校正。采用延迟消除电路减少比较器的延迟。最终达到振荡器高精度高稳定性的要求。基于CSMC... 在传统的RC振荡器结构基础上提出了一种片内集成的高精度振荡器电路,采用温度补偿电路对充电电流进行温度补偿。采用电容校准电路对输出频率进行校正。采用延迟消除电路减少比较器的延迟。最终达到振荡器高精度高稳定性的要求。基于CSMC的0.18μm BCD工艺,在电压4 V、温度27℃、TT条件下,输出频率为2 MHz,占空比为50%,通过频率校准,精度最终可达到±0.2%。该振荡器具有高精度、高稳定性、体积小、易于集成的特点,能够满足大多数片内集成芯片的需求。 展开更多
关键词 片内集成 温度补偿 频率校准 高精度
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一种用于CMOS图像传感器的锁相环设计 被引量：5
4
作者 阳怡伟 张靖 +2 位作者 吴治军 刘昌举 熊平 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第2期322-326,共5页
设计了一种用于CMOS图像传感器时钟产生的电荷泵锁相环（CPPLL）电路。基于0.18μm CMOS工艺,系统采用常规鉴频鉴相器、电流型电荷泵、二阶无源阻抗型低通滤波器、差分环形压控振荡器以及真单相时钟结构分频器与CMOS图像传感器片内集成... 设计了一种用于CMOS图像传感器时钟产生的电荷泵锁相环（CPPLL）电路。基于0.18μm CMOS工艺,系统采用常规鉴频鉴相器、电流型电荷泵、二阶无源阻抗型低通滤波器、差分环形压控振荡器以及真单相时钟结构分频器与CMOS图像传感器片内集成。系统电路结构简洁实用、功耗低,满足CMOS图像传感器对锁相环低功耗、低噪声、输出频率高及稳定的要求。在输入参考频率为5MHz时,压控振荡器（VOC）输出频率范围为40~217MHz,系统锁定频率为160MHz,锁定时间为16.6μs,功耗为2.5mW,环路带宽为567kHz,相位裕度为57°,相位噪声为-105dBc/Hz@1MHz。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 锁相环 频率综合器 片内集成
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简介51单片机的定时器/计数器 被引量：2
5
作者 张幼麟 《内江科技》 2018年第12期109-109,95,共2页
单片机被大量使用在工作生活的各个领域,而定时器/计数器是单片机芯片内集成的一个重要的功能模块。本文对单片机内部定时器/计数器的工作原理及工作模式做了简单介绍,通过例子说明了单片机的设置和应用。
关键词 定时器/计数器 51单片机 片内集成 市场占有率 功能模块 单片机芯 工作原理 性能稳定
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一种显示控制与驱动芯片中的高速双端口SRAM设计 被引量：1
6
作者 陈亮 陈志良 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第1期98-101,共4页
文章详细描述了一种集成在OLED显示控制驱动芯片中的双端口SRAM的设计,从电路和版图两方面对SRAM的核心部分进行了详细描述,并且设计了一种可用于OLED显示控制驱动芯片中的96×64×16位的双端口SRAM,最后给出了测试结果,验证了... 文章详细描述了一种集成在OLED显示控制驱动芯片中的双端口SRAM的设计,从电路和版图两方面对SRAM的核心部分进行了详细描述,并且设计了一种可用于OLED显示控制驱动芯片中的96×64×16位的双端口SRAM,最后给出了测试结果,验证了设计的正确性。 展开更多
关键词 SRAM 双端口 片内集成 OLED
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用于OLED显示驱动芯片的双端口SRAM设计 被引量：1
7
作者 邱安平 陈志良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期635-638,共4页
详细描述了一种集成在OLED显示驱动芯片中的双端口SRAM设计。从电路和版图两方面对SRAM的核心部分进行了详细描述,并且设计了一种用于灰度OLED显示驱动芯片的132×64×6 bit的双端口SRAM。基于0.35μm CMOS工艺进行了芯片流片... 详细描述了一种集成在OLED显示驱动芯片中的双端口SRAM设计。从电路和版图两方面对SRAM的核心部分进行了详细描述,并且设计了一种用于灰度OLED显示驱动芯片的132×64×6 bit的双端口SRAM。基于0.35μm CMOS工艺进行了芯片流片及测试,得到了正确的测试结果并已成功应用于一款OLED显示驱动芯片中。 展开更多
关键词 静态随机存取记忆体 双端口 片内集成 有机发光二极管显示器 灰度
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紫外光通信用日盲型LED研究进展
8
作者 郭春辉 孙雪娇 +7 位作者 郭凯 张晓娜 王兵 魏同波 王申 苏晋荣 闫建昌 刘乃鑫 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1849-1861,共13页
紫外光通信在激光雷达、战术通信、航空航天内部安全通讯和片上集成通信等领域有着重要应用前景。传统的紫外光通信LED光源的调制带宽窄、输出光功率低和制造工艺复杂等缺点限制了它在长距离、高速率通信和片上集成通信领域的广泛应用... 紫外光通信在激光雷达、战术通信、航空航天内部安全通讯和片上集成通信等领域有着重要应用前景。传统的紫外光通信LED光源的调制带宽窄、输出光功率低和制造工艺复杂等缺点限制了它在长距离、高速率通信和片上集成通信领域的广泛应用。实验表明,增加单个器件发光面积可提升光输出功率,但增加的器件电容对带宽提升是不利的,因此紫外光通信LED未来的重要研究方向是提升并优化带宽的同时增加器件的光功率密度。UVC Micro-LED器件有着光提取效率高、时间常数小、载流子寿命短、调制速率快及工作电流密度高等出色性能,因此在通讯领域受到科研界和工业界的广泛青睐。本文总结了紫外LED、特别是UVC MicroLED的相关研究进展,并重点介绍了它们在光通信及其片上集成互联方面的应用。研究发现,对UVC MicroLED及其阵列制备与性能提升加强研究,是未来提升自由空间和片上互联紫外通信系统性能的最佳解决方案之一。 展开更多
关键词 紫外光通信 微尺寸发光二极管 调制速率 片内集成光通信 光提取效率
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