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基于碳纳米管的片上微型热发射电子源
被引量：
2
1
作者
王雨薇
魏贤龙
《真空电子技术》
2020年第6期1-7,共7页
纳米科技的飞速发展和半导体微加工技术的日益成熟使热电子发射源的微型化、片上化、集成化成为可能。本文回顾总结了近年来基于碳纳米管材料制备片上微型热发射电子源的研究工作,包括碳纳米管侧壁热电子发射的机制研究、基于碳纳米管...
纳米科技的飞速发展和半导体微加工技术的日益成熟使热电子发射源的微型化、片上化、集成化成为可能。本文回顾总结了近年来基于碳纳米管材料制备片上微型热发射电子源的研究工作,包括碳纳米管侧壁热电子发射的机制研究、基于碳纳米管的微型热发射电子源器件阵列的片上集成与批量制备以及微型热发射电子源器件栅电极的单片集成。基于碳纳米管材料的片上微型热发射电子源具有低工作电压、高发射电流密度、高稳定性与可重复性、较低的真空度要求、高均匀性与高集成度等优点,是实用的微型电子源器件的一种可选途径。
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关键词
微型
电子
源
片上
电子
源
热
电子
发射
碳纳米管
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职称材料
片上电子源的研究现状(二)
被引量：
1
2
作者
杨威
魏贤龙
《真空》
CAS
2020年第1期1-10,共10页
本文主要回顾总结近数十年来片上电子源的研究工作及最新进展,包括场发射片上电子源、内场发射片上电子源以及新型热发射微型片上电子源。本文从这些片上电子源的基本原理、加工制备以及工作性能(包括工作电压、工作真空、发射电流、发...
本文主要回顾总结近数十年来片上电子源的研究工作及最新进展,包括场发射片上电子源、内场发射片上电子源以及新型热发射微型片上电子源。本文从这些片上电子源的基本原理、加工制备以及工作性能(包括工作电压、工作真空、发射电流、发射电流密度和发射效率)等方面进行比较,分析各种片上电子源的优劣点,为片上电子源的发展现状做一个简单的总结。
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关键词
片上
电子
源
场发射
内场发射
热发射
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职称材料
片上电子源的研究现状（一）
3
作者
杨威
魏贤龙
《真空》
CAS
2019年第6期16-26,共11页
本文主要回顾总结近数十年来片上电子源的研究工作及最新进展,包括场发射片上电子源、内场发射片上电子源以及新型热发射微型片上电子源。本文从这些片上电子源的基本原理、加工制备以及工作性能(包括工作电压、工作真空、发射电流、发...
本文主要回顾总结近数十年来片上电子源的研究工作及最新进展,包括场发射片上电子源、内场发射片上电子源以及新型热发射微型片上电子源。本文从这些片上电子源的基本原理、加工制备以及工作性能(包括工作电压、工作真空、发射电流、发射电流密度和发射效率)等方面进行比较,分析各种片上电子源的优劣点,为片上电子源的发展现状做一个简单的总结。
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关键词
片上
电子
源
场发射
内场发射
热发射
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职称材料
氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
4
作者
朱韬远
李志伟
+2 位作者
詹芳媛
杨威
魏贤龙
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第9期737-748,共12页
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空...
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空和时间响应快等优点,展现出较大的应用潜力。文章将从电子发射微观过程及理论模型、阵列化集成以及在真空电子器件中的应用三个方面系统介绍氧化硅水平隧穿结电子源,并对本课题组在该方向上所做的工作进行梳理与总结。
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关键词
氧化硅水平隧穿结
电子
源
片上
微型
电子
源
微型真空
电子
器件
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职称材料
片上电子源的真空阳极键合
被引量：
1
5
作者
陶俊明
刘文超
+3 位作者
郭等柱
赵振征
陈清
魏贤龙
《真空电子技术》
2020年第4期28-33,共6页
本文介绍了一种新型片上微型电子源的真空阳极键合方法,以构建一个和片上微型电子源集成在一起的片上微型真空腔室。采用导线搭接的方法完成了硅玻璃交替的多层键合结构,实现了包含五层键合结构的片上微型真空三极管。使用氦质谱检漏仪...
本文介绍了一种新型片上微型电子源的真空阳极键合方法,以构建一个和片上微型电子源集成在一起的片上微型真空腔室。采用导线搭接的方法完成了硅玻璃交替的多层键合结构,实现了包含五层键合结构的片上微型真空三极管。使用氦质谱检漏仪对键合界面进行真空漏率的检测,提出了一种可改善电极跨越键合界面引起界面漏气的简单方法。
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关键词
阳极键合
片上
微型
电子
源
微纳真空
电子
器件
片上
微型真空腔室
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职称材料
题名
基于碳纳米管的片上微型热发射电子源
被引量：
2
1
作者
王雨薇
魏贤龙
机构
北京大学电子学系纳米器件物理与化学教育部重点实验室
湖南大学电气与信息工程学院
出处
《真空电子技术》
2020年第6期1-7,共7页
基金
国家重点研发计划项目(2019YFA0210201)。
文摘
纳米科技的飞速发展和半导体微加工技术的日益成熟使热电子发射源的微型化、片上化、集成化成为可能。本文回顾总结了近年来基于碳纳米管材料制备片上微型热发射电子源的研究工作,包括碳纳米管侧壁热电子发射的机制研究、基于碳纳米管的微型热发射电子源器件阵列的片上集成与批量制备以及微型热发射电子源器件栅电极的单片集成。基于碳纳米管材料的片上微型热发射电子源具有低工作电压、高发射电流密度、高稳定性与可重复性、较低的真空度要求、高均匀性与高集成度等优点,是实用的微型电子源器件的一种可选途径。
关键词
微型
电子
源
片上
电子
源
热
电子
发射
碳纳米管
Keywords
On-chip electron source
Miniature electron source
Thermionic electron emission
Carbon nanotube
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
片上电子源的研究现状(二)
被引量：
1
2
作者
杨威
魏贤龙
机构
北京大学电子学系纳米器件物理和化学教育部重点实验室
出处
《真空》
CAS
2020年第1期1-10,共10页
基金
国家自然科学基金(61621061、11874608)
文摘
本文主要回顾总结近数十年来片上电子源的研究工作及最新进展,包括场发射片上电子源、内场发射片上电子源以及新型热发射微型片上电子源。本文从这些片上电子源的基本原理、加工制备以及工作性能(包括工作电压、工作真空、发射电流、发射电流密度和发射效率)等方面进行比较,分析各种片上电子源的优劣点,为片上电子源的发展现状做一个简单的总结。
关键词
片上
电子
源
场发射
内场发射
热发射
Keywords
on-chip electron sources
field emission
internal field emission
thermionic emission
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
片上电子源的研究现状（一）
3
作者
杨威
魏贤龙
机构
北京大学电子学系纳米器件物理和化学教育部重点实验室
出处
《真空》
CAS
2019年第6期16-26,共11页
基金
国家自然科学基金(61621061、11874608)
文摘
本文主要回顾总结近数十年来片上电子源的研究工作及最新进展,包括场发射片上电子源、内场发射片上电子源以及新型热发射微型片上电子源。本文从这些片上电子源的基本原理、加工制备以及工作性能(包括工作电压、工作真空、发射电流、发射电流密度和发射效率)等方面进行比较,分析各种片上电子源的优劣点,为片上电子源的发展现状做一个简单的总结。
关键词
片上
电子
源
场发射
内场发射
热发射
Keywords
on-chip electron sources
field emission
internal field emission
thermionic emission
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
4
作者
朱韬远
李志伟
詹芳媛
杨威
魏贤龙
机构
北京大学电子学院纳米器件物理和化学教育部重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第9期737-748,共12页
基金
国家自然科学基金项目(62350040)
国家重点研发计划项目(2019YFZ0210201)。
文摘
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空和时间响应快等优点,展现出较大的应用潜力。文章将从电子发射微观过程及理论模型、阵列化集成以及在真空电子器件中的应用三个方面系统介绍氧化硅水平隧穿结电子源,并对本课题组在该方向上所做的工作进行梳理与总结。
关键词
氧化硅水平隧穿结
电子
源
片上
微型
电子
源
微型真空
电子
器件
Keywords
Silicon oxide horizontal tunneling junction electron sources
On-chip micro-electron sources
Micro-vacuum electronic devices
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
片上电子源的真空阳极键合
被引量：
1
5
作者
陶俊明
刘文超
郭等柱
赵振征
陈清
魏贤龙
机构
北京大学电子学系纳米器件物理与化学教育部重点实验室
北京大学软件与微电子学院
北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
出处
《真空电子技术》
2020年第4期28-33,共6页
基金
国家重点研发计划项目(2019YFA0210201)。
文摘
本文介绍了一种新型片上微型电子源的真空阳极键合方法,以构建一个和片上微型电子源集成在一起的片上微型真空腔室。采用导线搭接的方法完成了硅玻璃交替的多层键合结构,实现了包含五层键合结构的片上微型真空三极管。使用氦质谱检漏仪对键合界面进行真空漏率的检测,提出了一种可改善电极跨越键合界面引起界面漏气的简单方法。
关键词
阳极键合
片上
微型
电子
源
微纳真空
电子
器件
片上
微型真空腔室
Keywords
Anode bonding
On-chip micro electron source
Micro-nano vacuum electronic device
On-chip micro vacuum chamber
分类号
O53 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于碳纳米管的片上微型热发射电子源
王雨薇
魏贤龙
《真空电子技术》
2020
2
下载PDF
职称材料
2
片上电子源的研究现状(二)
杨威
魏贤龙
《真空》
CAS
2020
1
下载PDF
职称材料
3
片上电子源的研究现状（一）
杨威
魏贤龙
《真空》
CAS
2019
0
下载PDF
职称材料
4
氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
朱韬远
李志伟
詹芳媛
杨威
魏贤龙
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
5
片上电子源的真空阳极键合
陶俊明
刘文超
郭等柱
赵振征
陈清
魏贤龙
《真空电子技术》
2020
1
下载PDF
职称材料
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