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微电子生产工艺可靠性评价与控制 被引量：7
1
作者 孔学东 恩云飞 +1 位作者 章晓文 张晓明 《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第3期1-5,共5页
简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时间有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)效应的评价试验方法及实例。REM技术与工艺过程控制(PCM)、统计工艺控制(SPC)技术结合起来就可以实现对... 简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时间有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)效应的评价试验方法及实例。REM技术与工艺过程控制(PCM)、统计工艺控制(SPC)技术结合起来就可以实现对工艺的可靠性评价与控制,某集成电路生产公司将它应用于金属化工艺中,确定了工艺输入变量与电迁移可靠性的相关性,优化了金属化工艺试验条件,提高了金属化系统的抗电迁移能力。 展开更多
关键词 可靠性评估 与时间有关的栅氧化层击穿 热载流子注入效应 电迁移效应 工艺过程控制
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集成电路可靠性评价技术 被引量：4
2
作者 孔学东 章晓文 恩云飞 《中国集成电路》 2005年第1期83-86,共4页
对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取器件的可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流... 对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取器件的可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子注入效应、金属化电迁移效应和氧化层的TDDB击穿。本文对这三种失效机理分别进行了介绍,对各自对应的可靠性模型进行了说明,强调了可靠性评价的重要性,给出了可靠性评价在工艺中的应用流程图。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 TDDB 电迁移效应 热载流子注入效应 圆片级 可靠性评价 失效机理 可靠性模型 可靠性测试 测试结构
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微电子工艺技术可靠性 被引量：1
3
作者 章晓文 《电子质量》 2003年第9期U011-U013,共3页
对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子注入... 对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子注入效应、金属化电迁移效应和氧化层的TDDB击穿,本文对这三种失效机理分别进行了介绍,对各自对应的可靠性模型进行了说明,列举了热载流子汪入效应的寿命评价实例,说明了可靠性评价的重要性,给出了可靠性评价在工艺中的应用流程图。 展开更多
关键词 微电子工艺 可靠性 超大规模集成电路 失效机理 热载流子注入效应 金属化电迁移效应 氧化层
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22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究 被引量：1
4
作者 王保顺 崔江维 +4 位作者 郑齐文 席善学 魏莹 雷琪琪 郭旗 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第5期384-388,共5页
为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器... 为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器件热载流子退化减弱;总剂量辐照后,器件电学参数发生退化,主要表现为阈值电压正向漂移及饱和电流增大,这些参数变化主要与辐照在FinFET氧化物中引入的陷阱电荷相关。 展开更多
关键词 鳍式场效应晶体管 热载流子注入效应 总剂量效应
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热载流子注入效应的可靠性评价技术研究 被引量：1
5
作者 章晓文 陈鹏 +1 位作者 恩云飞 张晓雯 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期876-880,共5页
研究了热载流子注入效应的可靠性评价方法,利用对数正态拟合的中位失效时间,提取加速寿命试验的模型参数。利用这些模型参数,分别评价了0.18μm CMOS工艺薄栅和厚栅器件的可靠性。结果表明,HCI效应仍然制约着0.18μm CMOS工艺的可靠性... 研究了热载流子注入效应的可靠性评价方法,利用对数正态拟合的中位失效时间,提取加速寿命试验的模型参数。利用这些模型参数,分别评价了0.18μm CMOS工艺薄栅和厚栅器件的可靠性。结果表明,HCI效应仍然制约着0.18μm CMOS工艺的可靠性水平。鉴于热载流子注入效应仍对深亚微米CMOS工艺的可靠性构成威胁,因此,要使产品的使用可靠性得到保证,必须对工艺线失效机理的可靠性进行有效的监测和评价,以保证生产出的产品满足使用方的要求。 展开更多
关键词 CMOS工艺 加速寿命试验 热载流子注入效应 可靠性评价
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基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法
6
作者 冯慧 安霞 +5 位作者 杨东 谭斐 黄良喜 武唯康 张兴 黄如 《中国科学：信息科学》 CSCD 2014年第7期912-919,共8页
自热效应SHE(self-heating effect)是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI(hot carrier injection)应力下会导致自热效应加剧,低估器件工作寿命,使得寿命预测不准.本文提出了一种基于直流HCI应力下的0.18μmPD-SOINM... 自热效应SHE(self-heating effect)是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI(hot carrier injection)应力下会导致自热效应加剧,低估器件工作寿命,使得寿命预测不准.本文提出了一种基于直流HCI应力下的0.18μmPD-SOINMOSFETs可靠性寿命预测方法.通过栅电阻法提取沟道中因自热效应产生的温度,采用自热修正后的衬底电流/漏电流比率模型预测PD-SOI NMOSFETs在正常工作电压下的寿命值,预测结果与未消除自热影响预测出的寿命值存在较大差异,说明自热修正在寿命预测中不可忽略,否则会低估器件的工作寿命. 展开更多
关键词 自热效应 热载流子注入效应 热电阻 SOI 寿命预测
原文传递
SOI MOSFET器件的热载流子退化机理
7
作者 章晓文 恩云飞 +1 位作者 赵文彬 李恒 《电子产品可靠性与环境试验》 2006年第4期9-13,共5页
介绍了绝缘体上硅(SOI)材料的制作方法,阐述了SOI MOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理。研究表明:前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI器件的特有现象,对SOI器件的退化构成潜在的威胁。虽然失效机理比体硅器件复杂,但并不会阻碍高性能... 介绍了绝缘体上硅(SOI)材料的制作方法,阐述了SOI MOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理。研究表明:前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI器件的特有现象,对SOI器件的退化构成潜在的威胁。虽然失效机理比体硅器件复杂,但并不会阻碍高性能、低电压ULSI SOI电路的发展。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 热载流子注入效应 失效机理 可靠性
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