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热超声键合PZT阻抗和功率动态特性研究 被引量：8
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作者 隆志力 吴运新 +1 位作者 韩雷 钟掘 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期396-400,共5页
鉴于热超声芯片封装工艺的键合点空间高度局部化和时间瞬态性等特点,通过分析系统前端PZT阻抗和功率的动态变化规律,研究了芯片金球凸点与基板的键合过程及键合质量。结果表明:对于恒压源的键合系统,PZT换能器电流、阻抗及功率信号可表... 鉴于热超声芯片封装工艺的键合点空间高度局部化和时间瞬态性等特点,通过分析系统前端PZT阻抗和功率的动态变化规律,研究了芯片金球凸点与基板的键合过程及键合质量。结果表明:对于恒压源的键合系统,PZT换能器电流、阻抗及功率信号可表征键合过程的动态变化,且可将金球凸点与基板键合过程分为初始、平稳、结束三个阶段;键合环境的变化反映在PZT阻抗和功率变化之中,且PZT阻抗和功率与键合强度存在直接关系。试验及分析表明,PZT换能器阻抗和功率变化反映了金球凸点与基板键合过程及键合质量的差别,可用以分析整个键合系统。 展开更多
关键词 PZT阻抗特性 PZT功率特性 键合过程 键合质量 热超声键合工艺
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