期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
Ni/4H-SiC肖特基二极管高温特性研究 被引量：7
1
作者 王悦湖 张义门 +3 位作者 张玉明 陈锐标 王雷 周拥华 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期63-66,75,共5页
采用自行研制的工作在800℃的半导体器件高温测试装置,对Ni/4H SiC肖特基二极管的伏安特性在常温297K至677K的温度范围内进行了测量,表明温度升高对正向特性的影响非常显著,而对较低偏置(30V以下)条件下的反向特性影响则比较小.对实验... 采用自行研制的工作在800℃的半导体器件高温测试装置,对Ni/4H SiC肖特基二极管的伏安特性在常温297K至677K的温度范围内进行了测量,表明温度升高对正向特性的影响非常显著,而对较低偏置(30V以下)条件下的反向特性影响则比较小.对实验结果进行了比较分析,I V特性测量说明镍4H SiC肖特基二极管有较好的整流特性,在正向偏压条件下,热电子发射是其主要的输运机理,理想因子在297～677K的温度范围内从1 165增加到1 872,肖特基势垒高度的变化范围为0 916～2 117eV,正向导通电压为0 5V. 展开更多
关键词 碳化硅 肖特基势垒二极管 伏安特性 热电子发射理论 高温特性 器件结构
下载PDF
浅析高温Ti4H-SiC肖特基势垒二极管的特性
2
作者 陈守迎 张聪 汤德勇 《电子世界》 2014年第10期499-499,共1页
SiC是新一代高温、高频、大功率和抗辐照半导体器件和集成电路的半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子漂移速率、高热导率及抗辐照能力强等一系列优点肖特基势垒二极管是实现各种SiC器件的基础,因此对SiC肖特基势垒二极管高温特性的... SiC是新一代高温、高频、大功率和抗辐照半导体器件和集成电路的半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子漂移速率、高热导率及抗辐照能力强等一系列优点肖特基势垒二极管是实现各种SiC器件的基础,因此对SiC肖特基势垒二极管高温特性的研究具有十分重要的理论和实际意义。 展开更多
关键词 碳化硅 肖特基势垒二极管 伏安特性 热电子发射理论
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部