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考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析 被引量:2
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作者 周守利 崇英哲 +1 位作者 黄永清 任晓敏 《电子器件》 CAS 2004年第4期559-563,共5页
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩 ,从而产生能带变窄效应 ( BGN)。对于因重掺杂 NPN突变 Al Ga As/Ga As HBT,而引起 BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果 ,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于 Jain-Roul... 重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩 ,从而产生能带变窄效应 ( BGN)。对于因重掺杂 NPN突变 Al Ga As/Ga As HBT,而引起 BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果 ,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于 Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射——扩散载流子输运机制 ,对考虑自热效应下的重掺杂 Al Ga As/Ga-As HBT电流特性进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种 BGN模型比较得出 :为了更好描述电流传输 ,利用 Jain-Roulston的 BGN模型 ,考虑导带。 展开更多
关键词 发射扩散 能带变窄效应(BGN) 效应 Jain—Roulston模型
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禁带变窄效应对突变AlGaAs/GaAs HBT电流影响的研究 被引量:1
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作者 周守利 崔海林 +1 位作者 黄永清 任晓敏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期152-156,共5页
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生禁带变窄效应(BGN)。对于基区重掺杂Npn突变AlGaAs/GaAsHBT,BGN引起导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生了改变,这对基区、集电区电流产生重要的影响。文中基于Jain-Roulston禁带收... 重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生禁带变窄效应(BGN)。对于基区重掺杂Npn突变AlGaAs/GaAsHBT,BGN引起导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生了改变,这对基区、集电区电流产生重要的影响。文中基于Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射-扩散载流子输运机制,对这一现象进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种BGN模型比较得出为了更好描述电流传输,利用Jain-Roulston的BGN模型,考虑禁带变窄量在导带、价带有不同的分配,从而对电流有不同的影响是必要的。 展开更多
关键词 发射扩散 禁带变窄效应 Jain-Roulston模型
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基区重掺杂对突变AlGaAs/GaAs HBT电学性能的影响
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作者 周守利 崇英哲 +1 位作者 黄永清 任晓敏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期489-492,共4页
 基区重掺杂不仅使基区能带发生变窄效应(BGN),且使突变结界面势垒形状及高度均发生了扰动,这两种因素都对电流输运特性产生重要的影响。基于热场发射 扩散模型,分析了基区重掺杂突变AlGaAs/GaAsHBT中的电流传输特性。结果表明:为了精...  基区重掺杂不仅使基区能带发生变窄效应(BGN),且使突变结界面势垒形状及高度均发生了扰动,这两种因素都对电流输运特性产生重要的影响。基于热场发射 扩散模型,分析了基区重掺杂突变AlGaAs/GaAsHBT中的电流传输特性。结果表明:为了精确描述电流传输,必须考虑突变结界面势垒形状及高度扰动所引起的电流变化。 展开更多
关键词 发射扩散 能带变窄效应 Jain—Roulston模型
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重掺杂突变InP/InGaAs HBT界面势垒扰动对电流传输的影响
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作者 周守利 崇英哲 +1 位作者 黄永清 任晓敏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期20-23,共4页
基区重掺杂使HBT 突变结界面势垒形状及高度发生了扰动,这种扰动对电流输运特性有重要的影响。本文基于热场发射- 扩散模型,分析了基区重掺杂突变InP/InGaAs HBT 中的电流传输特性,并同实验测试数据进行了比较。结果表明:为了精确地描... 基区重掺杂使HBT 突变结界面势垒形状及高度发生了扰动,这种扰动对电流输运特性有重要的影响。本文基于热场发射- 扩散模型,分析了基区重掺杂突变InP/InGaAs HBT 中的电流传输特性,并同实验测试数据进行了比较。结果表明:为了精确地描述电流传输特性,基区重掺杂情况下,必须考虑突变结界面势垒形状及高度扰动所引起的电流变化。 展开更多
关键词 HBT 发射扩散 重掺杂效应
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界面极化效应对AlGaN/4H-SiC HBT器件性能影响研究
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作者 周守利 李伽 +1 位作者 梁显锋 安军社 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期49-52,共4页
AlGaN/4H-SiC异质结界面存在大的自发和压电极化效应,从而使界面出现较多数量的极化电荷,这导致器件电学性能的改变。利用热场发射-扩散模型,基于数值模拟方法研究了异质结界面极化效应产生的极化电荷对AlGaN/4H-SiC HBT器件直流性能和... AlGaN/4H-SiC异质结界面存在大的自发和压电极化效应,从而使界面出现较多数量的极化电荷,这导致器件电学性能的改变。利用热场发射-扩散模型,基于数值模拟方法研究了异质结界面极化效应产生的极化电荷对AlGaN/4H-SiC HBT器件直流性能和高频性能的影响。得到了AlGaN/4H-SiC异质结界面极化效应引诱的正极性极化界面电荷削弱了异质结的内建电场,加速了载流子的扩散运动,因而能促进载流子的输运,从而使器件的直流特性和高频特性得到改善。 展开更多
关键词 ALGAN 4H-SIC HBT 异质结界面极 化效应 发射-扩散
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异质结耗尽层基区侧复合对突变HBT重要性分析
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作者 周守利 任晓敏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期741-745,共5页
基于热场发射-扩散载流子输运模型,在电流连续性方程中包含异质结(E-B结)耗尽层基区侧复合电流的前提下,推导出了描述突变HBT电流特性的新解析方程.在此基础上,探讨了对E-B结耗尽层基区侧复合电流各不同考虑情况下的HBT电流计算结果的... 基于热场发射-扩散载流子输运模型,在电流连续性方程中包含异质结(E-B结)耗尽层基区侧复合电流的前提下,推导出了描述突变HBT电流特性的新解析方程.在此基础上,探讨了对E-B结耗尽层基区侧复合电流各不同考虑情况下的HBT电流计算结果的差异程度.结果表明:在较高集电极电流密度处,E-B结耗尽层基区侧的复合电流很重要;此外,在电流连续性方程中包含E-B结耗尽层基区侧的复合电流,这在更高集电极电流密度处也是必要的. 展开更多
关键词 HBT 发射-扩散 复合电流 电流连续性方程
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