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题名无源元件埋入积层板“B^2it”的开发
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作者
蔡积庆
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机构
南京无线电八厂
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出处
《印制电路信息》
2003年第8期55-61,共7页
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文摘
概述了埋入无源元件积层板“B2it”的开发及其类型,制造工艺和特性评价,适用于21世纪的系统电子机器的 高密度安装。
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关键词
无源元件
积层板
B^2it
制造工艺
电子机器
高密度安装
烧结胶
聚合物胶
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Keywords
passive component build-up board B2it polymer paste sintered paste
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名氮化镓器件芯片表面银迁移抑制方法研究
被引量：2
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作者
别业楠
裴轶
赵树峰
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机构
中兴通讯股份有限公司无线研究院
苏州能讯高能半导体有限公司
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出处
《中国集成电路》
2022年第10期55-60,共6页
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基金
国家重点研发计划项目(2021 YFB3602400)。
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文摘
封装贴片所用烧结银胶中的银元素有可能在高温高湿度条件下转化为离子并在高电场作用下沿芯片表面迁移从而导致器件电极间漏电甚至短路。本研究工作采用高加速应力实验(HAST)作为加速检验手段,通过对失效样品的物理分析,首先确认了银迁移是引起所观察到失效的根源。器件表面电场模拟结果显示,引入适当的环形屏蔽电极可以有效降低关键区域的电场强度。实验结果证实采用了带有优化设计屏蔽电极芯片的产品其芯片表面的银迁移现象得到了充分抑制,极大提高了采用烧结银胶贴片工艺生产的氮化镓器件的可靠性(栅漏电异常比例由48%降为0%),使其达到满足实际工业应用的水平。
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关键词
氮化镓
器件芯片
烧结银胶
银迁移
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Keywords
GaN HMET
Chip
Sintered Silver
Silver Migration
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
TN405
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题名高导热烧结银胶的可靠性研究
被引量：1
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作者
刘红军
任尚
王赵云
徐赛
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机构
长电科技(宿迁)有限公司
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出处
《电子质量》
2022年第12期35-39,共5页
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文摘
市场对功率半导体器件的导热和导电性能要求越来越高,经过调查评估找到了一款纳米级烧结银胶。对该纳米级烧结银胶的粘结强度、导电性、调入性和可靠性进行了研究,并与普通铅锡焊料及普通导电胶进行了对比分析,发现纳米级烧结银胶具备粘结强度超强、平均剪切强度稳定、导热导电性能高等特点,并且在经历严格的热应力和机械应力试验后,其粘结强度、导电导热性能保持稳定,没有下降的现象。因此,高导热纳米烧结银胶可作为导热性要求极高的高可靠性应用领域的一种理想材料。
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关键词
烧结银胶
剪切强度
导热率
可靠性
大功率
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Keywords
sintered silver paste
shear strength
thermal conductivity
reliability
high-power
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
TB114.35
[理学—概率论与数理统计]
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