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(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究 被引量：6
1
作者 羊亿 栗红玉 +4 位作者 申德振 张吉英 吕有明 刘益春 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期329-333,共5页
设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ 阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结... 设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ 阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在，从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据。 展开更多
关键词 复合量子阱 激子隧穿 光学特性 光双稳器件 半导体 光计算机
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ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究 被引量：5
2
作者 范希武 于广友 +2 位作者 张吉英 杨宝均 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期293-298,共6页
用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一... 用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一个内建电场 ,它将影响激子隧穿 ;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象 ; 展开更多
关键词 ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 激子隧穿 受激发射
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CdSe/ZnSe复合结构非对称量子阱的发光特性 被引量：4
3
作者 高威 郑著宏 +2 位作者 公维炜 郑金桔 胡学兵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期907-912,共6页
利用MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了非对称量子阱结构CdSe/ZnSe材料,通过对其稳态变温光谱及变激发功率光谱,研究了其发光特性。稳态光谱表明:在82～141K时,观测到的两个发光峰来源于不同阱层厚度的量子阱激子发光,用对比实验验证了... 利用MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了非对称量子阱结构CdSe/ZnSe材料,通过对其稳态变温光谱及变激发功率光谱,研究了其发光特性。稳态光谱表明:在82～141K时,观测到的两个发光峰来源于不同阱层厚度的量子阱激子发光,用对比实验验证了高能侧发光的来源。宽阱发光强度先增加后减小,将其归结为激子隧穿与激子热离化相互竞争的结果。通过Arrhenius拟合,对宽阱激子热激活能进行了计算。82K时变激发功率PL光谱表明:由于激子隧穿的存在,使得窄阱发光峰位不随激发功率变化而变化,宽阱发光峰位随激发功率增加发生了蓝移,并对激子隧穿进行了实验验证。 展开更多
关键词 非对称量子阱 激子隧穿 光致发光
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ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子隧穿过程 被引量：3
4
作者 金华 张立功 +3 位作者 郑著宏 孔祥贵 安立楠 申德振 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期3211-3214,共4页
用室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运 探测方法对不同垒宽的ZnCdSe量子阱 ZnSe CdSe量子点新型耦合结构中激子隧穿过程进行研究 ,观察到激子从量子阱到量子点的快速隧穿过程 .在ZnSe垒宽为 1 0nm ,1 5nm ,2 0nm时 ,测得激子隧穿时间分别为 ... 用室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运 探测方法对不同垒宽的ZnCdSe量子阱 ZnSe CdSe量子点新型耦合结构中激子隧穿过程进行研究 ,观察到激子从量子阱到量子点的快速隧穿过程 .在ZnSe垒宽为 1 0nm ,1 5nm ,2 0nm时 ,测得激子隧穿时间分别为 1 8ps,4 4ps,39ps. 展开更多
关键词 ZnCdSe量子阱 CDSE量子点 激子隧穿 半导体量子理论
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非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 被引量：1
5
作者 尚开 张振中 +6 位作者 李炳辉 徐海阳 张立功 赵东旭 刘雷 王双鹏 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期872-876,共5页
在c-plane面蓝宝石衬底上生长了ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱,其内量子效率相对于对称量子阱有了显著的提高。ZnO/Zn0.85Mg0.15O的10周期对称量子阱和5周期非对称双量子阱都是利用等离子体辅助分子束外延技术制备的。ZnO/Zn0.85Mg0.... 在c-plane面蓝宝石衬底上生长了ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱,其内量子效率相对于对称量子阱有了显著的提高。ZnO/Zn0.85Mg0.15O的10周期对称量子阱和5周期非对称双量子阱都是利用等离子体辅助分子束外延技术制备的。ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的内量子效率提高至对称阱的1.56倍。时间分辨光谱和光致发光谱测试结果证实,在ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱中存在从窄阱到宽阱的激子隧穿过程,这是内量子效率提高的主要原因。 展开更多
关键词 ZNO 量子阱 激子隧穿 内量子效率
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电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压
6
作者 尚开 张振中 +6 位作者 李炳辉 徐海洋 张立功 赵东旭 刘雷 王双鹏 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期692-697,共6页
对不同加速电压电子束泵浦下的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的荧光光谱进行了研究。样品利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长。激子隧穿使非对称双量子阱的激发效率相对于对称阱有了明显提高。非对称阱的结构设计使最佳激发电压从对称阱的... 对不同加速电压电子束泵浦下的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的荧光光谱进行了研究。样品利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长。激子隧穿使非对称双量子阱的激发效率相对于对称阱有了明显提高。非对称阱的结构设计使最佳激发电压从对称阱的7 kV降低到了更适合器件小型化的5 kV。 展开更多
关键词 ZNO 量子阱 电子束泵浦 激子隧穿
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