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无压力辅助硅/玻璃激光局部键合 被引量：6
1
作者 马子文 汤自荣 +2 位作者 廖广兰 史铁林 聂磊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期217-221,共5页
提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响.... 提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响.实验表明,激光功率越大,扫描速度越小,键合线的宽度就越大.实验结果显示,该方法能有效减少键合片的残余应力,控制键合线宽,并能得到较好的键合强度.该工艺可为MEMS器件的封装与制造提供简洁、快速、键合区可选择的新型键合方法. 展开更多
关键词 MEMS 激光键合 表面活化 键合线宽
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塑料芯片的红外激光加热键合研究 被引量：2
2
作者 赖建军 陈西曲 +3 位作者 周宏 易新建 汪学方 刘胜 《红外技术》 CSCD 北大核心 2004年第2期68-71,76,共5页
阐述了利用红外激光与物质相互作用的热效应实现微系统器件的局部加热键合原理。研究了红外激光键合塑料芯片的实施条件和键合工艺过程 ,建立了半导体激光键合实验装置 ,并实现了有机玻璃芯片的激光键合。
关键词 塑料芯片 红外加热 键合工艺 半导体 有机玻璃芯片 激光键合
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基于钛中间层的玻璃与硅激光键合互联技术
3
作者 王运龙 魏晓旻 刘建军 《电子工艺技术》 2023年第4期13-17,共5页
采用纳秒脉冲式紫外激光实现了含有金属中间层的玻璃与硅激光键合互联。基于激光键合的二维传热模型,通过有限元分析仿真阐述了钛中间层的作用机理。开展了钛中间层薄膜制备及激光键合工艺试验,对比了键合强度,并通过微观形貌和能谱分析... 采用纳秒脉冲式紫外激光实现了含有金属中间层的玻璃与硅激光键合互联。基于激光键合的二维传热模型,通过有限元分析仿真阐述了钛中间层的作用机理。开展了钛中间层薄膜制备及激光键合工艺试验,对比了键合强度,并通过微观形貌和能谱分析,验证了钛中间层在激光键合的有益作用。最终制备了含有6μm中间金属互联层的玻璃-金属-硅键合互联结构。 展开更多
关键词 激光键合 互联 玻璃 中间层
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Si/Glass激光键合的仿真及实验研究 被引量：3
4
作者 张志强 徐静 +1 位作者 李绍良 吴亚明 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期86-95,共10页
对Si/Glass激光键合进行了有限元仿真,自主设计激光键合系统并进行了Si/Glass激光键合实验研究、测试与表征。以Si/Glass激光键合的二维传热解析模型为理论基础,应用有限元软件ANSYS仿真了激光功率20～48W时激光键合的三维温度场、键合... 对Si/Glass激光键合进行了有限元仿真,自主设计激光键合系统并进行了Si/Glass激光键合实验研究、测试与表征。以Si/Glass激光键合的二维传热解析模型为理论基础,应用有限元软件ANSYS仿真了激光功率20～48W时激光键合的三维温度场、键合熔融深度,并预测键合阈值功率为28 W。自主设计激光键合系统及实验方案,采用光斑直径150μm、功率30W的Nd:YAG连续激光实现了Si/Glass的良好激光键合。测试结果表明,激光键合强度最高为阳极键合的5.2倍,激光键合腔体气密性测试泄漏率平均值约9.29×10-9 Pa.m3/s,与阳极键合处于同一数量级。采用能谱分析(EDS)线扫描Si/Glass激光键合的界面材料成分,发现键合界面形成过渡层,激光功率30W时过渡层厚度9μm,与仿真结果吻合。 展开更多
关键词 光学制造 激光键合 有限元方法 键合强度 气密性 能谱分析线扫描
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激光键合的有限元仿真及工艺参数优化 被引量：2
5
作者 马子文 汤自荣 +3 位作者 廖广兰 史铁林 聂磊 周平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期995-1000,共6页
在硅/玻璃激光键合中,温度场的分布是影响晶片能否键合的关键因素.本文利用有限元法建立了移动高斯热源作用下硅/玻璃激光键合的三维温度场数值分析模型.运用该模型计算了不同的工艺参数条件下硅/玻璃的温度场分布,并由此得出键合线宽.... 在硅/玻璃激光键合中,温度场的分布是影响晶片能否键合的关键因素.本文利用有限元法建立了移动高斯热源作用下硅/玻璃激光键合的三维温度场数值分析模型.运用该模型计算了不同的工艺参数条件下硅/玻璃的温度场分布,并由此得出键合线宽.然后通过漏选试验确定影响激光键合的主要工艺参数有激光功率、激光扫描速度及键合初始温度.最后通过对仿真结果进行回归分析,得到激光键合工艺的最优参数,为进一步研究激光键合工艺提供了理论依据. 展开更多
关键词 激光键合 有限元法 回归分析 键合线宽
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激光键合技术在封装中的应用及研究进展 被引量：3
6
作者 田艳红 王春青 孔令超 《电子工业专用设备》 2007年第5期22-28,共7页
激光键合技术以其局部非接触加热、灵活性强和可控性能好的优点在电子封装、光电子封装以及MEMS封装中得到了应用。以几种激光键合技术的研究和应用为实例,分析和探讨了激光键合技术中的关键问题及其发展趋势。
关键词 激光键合技术 电子封装 光电子封装 MEMS封装
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MEMS封装用局部激光键合法及其实现
7
作者 成立 王玲 +3 位作者 伊廷荣 植万江 范汉华 王振宇 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期345-348,共4页
对常规激光键合在Si-玻璃键合工艺中因高温而引起的负面效应进行了分析，从而设计出芯片表面活化预键合与激光键合工艺相结合的方法。该方法已用于微电子机械系统（MEMs）样片封装实验中。实验过程是：先用一种特殊的化学方法形成亲水... 对常规激光键合在Si-玻璃键合工艺中因高温而引起的负面效应进行了分析，从而设计出芯片表面活化预键合与激光键合工艺相结合的方法。该方法已用于微电子机械系统（MEMs）样片封装实验中。实验过程是：先用一种特殊的化学方法形成亲水表面，然后将Si和玻璃置于室温下进行预键合，最后取波长1064nm、光斑直径500μm、功率70W的Nd：YAG激光器作局部激光加热。结果表明，该方法在不施加外力下能实现无损伤低温键合，同时拉伸实验也说明了样片键合强度达到2．6～3．0MPa，从而既保证了MEMS芯片的封装质量又降低了其封装成本。 展开更多
关键词 微电子机械系统 局部激光键合 表面活化 预键合 固体激光器
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塑料芯片的红外激光加热键合研究
8
作者 赖建军 陈西曲 +3 位作者 周宏 易新建 汪学方 刘胜 《红外技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期82-82,共1页
关键词 塑料芯片 红外激光加热 激光键合 局部加热效应
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