激光直写光刻中线条轮廓的分析 被引量：20

1

作者 李凤有 谢永军 +3 位作者 孙强 曹召良 卢振武 王肇圻 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期136-139,共4页

考虑了光刻胶对光吸收作用 ,在已有描述胶层内光场分布模型的基础上 ,较为准确地推导出光刻胶层内不同深度位置的光场分布 使用迭代方法计算得到了胶层内曝光量空间分布曲线 ,分析了不同曝光量下胶层内的线条轮廓 ,为直写光刻中曝光量... 考虑了光刻胶对光吸收作用 ,在已有描述胶层内光场分布模型的基础上 ,较为准确地推导出光刻胶层内不同深度位置的光场分布 使用迭代方法计算得到了胶层内曝光量空间分布曲线 ,分析了不同曝光量下胶层内的线条轮廓 ,为直写光刻中曝光量的选择提供了依据 展开更多

关键词 激光直写光刻 曝光量 线条轮廓

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离焦激光直写光刻工艺研究 被引量：18

2

作者 李凤友 卢振武 +3 位作者 谢永军 张殿文 裴苏 赵晶丽 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期850-854,共5页

采用理论计算和光线追迹分析了激光直写光刻中离焦对写入焦斑光场分布的影响;使用四轴激光直写设备开展了离焦激光直写光刻工艺实验,实验和理论计算及光线追迹的结果吻合得很好。利用离焦激光直写光刻方法制作了光栅和分划版,测得实验... 采用理论计算和光线追迹分析了激光直写光刻中离焦对写入焦斑光场分布的影响;使用四轴激光直写设备开展了离焦激光直写光刻工艺实验,实验和理论计算及光线追迹的结果吻合得很好。利用离焦激光直写光刻方法制作了光栅和分划版,测得实验结果达到工艺要求。 展开更多

关键词 激光直写光刻 离焦写入 四轴激光直写系统

原文传递

激光直写方法制作透明导电金属网栅 被引量：11

3

作者 李凤友 卢振武 +4 位作者 谢永军 曹召良 高劲松 孙连春 赵晶丽 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1270-1272,共3页

介绍了利用激光直写光刻技术在 2 0 0mm× 2 0 0mm基片上制作线宽为 5 μm ,周期为35 0 μm的红外透明导电金属网栅的工艺过程 ,对激光直写光刻技术和机械刻划掩模接触光刻制作金属网栅结构的两种方法进行了比较 。

关键词 透明导电金属网栅 激光直写光刻 掩模 电磁屏蔽 制作方法

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直角坐标激光直写的动态曝光模型 被引量：6

4

作者 张山 谭久彬 +1 位作者 王雷 金占雷 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1354-1360,共7页

在兼顾胶层的光吸收特性、直写光束的高斯分布特征以及直写光束与胶层相对运动的情况下,建立了直角坐标激光直写的动态曝光模型以有效预测线条的线宽和侧壁角。仿真实验表明:以恒值高斯光强曝光时,该模型与等效仿真条件下的Dill曝光模... 在兼顾胶层的光吸收特性、直写光束的高斯分布特征以及直写光束与胶层相对运动的情况下,建立了直角坐标激光直写的动态曝光模型以有效预测线条的线宽和侧壁角。仿真实验表明:以恒值高斯光强曝光时,该模型与等效仿真条件下的Dill曝光模型仿真结果完全一致,进一步证明了该模型的有效性和正确性,解决了目前在激光直写中存在的只能预测线宽或在忽略光刻胶吸收作用的情况下粗略估计直写线条轮廓的问题。同时,基于该模型分别分析了直写光功率和直写速度对线条轮廓的影响机理,为优化激光直写工艺的加工参量提供了一种有效的分析途径。 展开更多

关键词 激光直写光刻 曝光量分布 Dill曝光模型 线条轮廓

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阵列波导光栅制作关键技术

5

作者 郑国兴 杜春雷 邱传凯 《光子技术》 2004年第2期77-80,共4页

介绍了阵列波导光栅(AWG)在设计中要考虑的主要结构参数,制作材料,误差来源等。论述了利用CVD制作AWG所需SiO_2光波导的化学过程及其特点,给出了我们制作的光波导的测试数据。给出了通过调整局部设计数据而得到的较好面型的激光直写AWG... 介绍了阵列波导光栅(AWG)在设计中要考虑的主要结构参数,制作材料,误差来源等。论述了利用CVD制作AWG所需SiO_2光波导的化学过程及其特点,给出了我们制作的光波导的测试数据。给出了通过调整局部设计数据而得到的较好面型的激光直写AWG图形。介绍了我们利用RIE刻蚀得到的AWG实验晶片和利用ICP刻蚀AWG的可行性。 展开更多

关键词 阵列波导光栅 AWG 结构参数 制作材料 SiO2光波导 激光直写光刻 ICP反应离子刻蚀

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液晶光学相控阵子阵列寻址电极的加工工艺

6

作者 尹聿海 徐林 +5 位作者 王鹏 罗媛 杨宁 史俊锋 于明岩 陈宝钦 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第8期542-547,共6页

基于液晶光学相控阵(LCOPA)电极基板的子阵列连接方案,利用电子束直写和激光直写混合光刻技术,进行了通光区域电极条纹、外围电路和子阵列联络孔的微纳米加工工艺研究。结果表明利用激光直写技术,可以形成最小线宽0.5μm的液晶光学相控... 基于液晶光学相控阵(LCOPA)电极基板的子阵列连接方案,利用电子束直写和激光直写混合光刻技术,进行了通光区域电极条纹、外围电路和子阵列联络孔的微纳米加工工艺研究。结果表明利用激光直写技术,可以形成最小线宽0.5μm的液晶光学相控阵电极图案,曝光时长48 min,具备可制造性。利用富含导电颗粒的SX AR-PC5000/90.1涂层,可以有效解决电子束在绝缘玻璃基底上直写时由电荷积累所产生的电子束曝光场拼接偏移与火花放电等问题,保证了电子束直接曝光子阵列电极上下导电层之间的联络孔套刻精度。利用特定电子束直写对准标记,解决了绝缘体表面在混合光刻中套刻对位精度问题。 展开更多

关键词 液晶光学相控阵(LCOPA) 微纳加工 子阵列寻址 电子束直写光刻 激光直写光刻

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微细加工技术与设备

7

《中国光学》 EI CAS 2001年第5期100-102,共3页

TN305.7 2001053681激光直写系统焦斑整形的研究=Focused spot shapping in laser writing systems[刊,中]/李凤友,李红军,卢振武,廖江红(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))//光学精密工程.—2001,9(1).—14-18针对激光直写光刻系统... TN305.7 2001053681激光直写系统焦斑整形的研究=Focused spot shapping in laser writing systems[刊,中]/李凤友,李红军,卢振武,廖江红(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))//光学精密工程.—2001,9(1).—14-18针对激光直写光刻系统设计整形衍射光学元件(DOE),对写入焦斑的整形进行了研究。 展开更多

关键词 微细加工光学技术 微细加工技术 中科院 电子束曝光机 衍射光学元件 国家重点实验室 激光直写系统 激光直写光刻 精密工程 技术研究所

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高效激光直写光刻

8

作者 Jpaufler HKuck RSeltmann 《电子工业专用设备》 1997年第3期51-55,共5页

本文描述了新型激光快速直写亚微米光刻系统。由准分子激光采用飞点扫描曝光的方法在片子上作图，制作了一种可编程相位调制的空间光学调制器（ＳＬＭ），使用具有反射的、可变（粘）弹性的反射层的ＣＭＯＳ有源矩阵，研究成功并生产了... 本文描述了新型激光快速直写亚微米光刻系统。由准分子激光采用飞点扫描曝光的方法在片子上作图，制作了一种可编程相位调制的空间光学调制器（ＳＬＭ），使用具有反射的、可变（粘）弹性的反射层的ＣＭＯＳ有源矩阵，研究成功并生产了５１２×４６４象素ＳＬＭ。业已表明，０６μｍ最小特征尺寸的曝光装置，完成了由ＧＤＳＩＩＣＡＤ设计数据给出的整个光刻层曝光的全部功能要求；试验样机给出了质量很好的０６μｍ光刻图形。具有提高每小时数片１５０ｍｍ片子产量的激光快速直写装置样机正在设计之中。 展开更多

关键词 激光直写光刻 光刻技术 掩模

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球面基底上制作微柱面透镜工艺研究

9

作者 尹航 董连和 +1 位作者 宋璇 陈哲 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2014年第6期16-19,共4页

针对目前在球面基底上制作微透镜阵列工艺复杂,制作成本昂贵等问题,介绍了一种激光直写光刻和光刻胶热熔成型相结合的新的加工技术。为此改造了球面刻划机,搭建了405nm激光曝光光源系统,同时建立三维坐标体系,实现微透镜阵列在球面空间... 针对目前在球面基底上制作微透镜阵列工艺复杂,制作成本昂贵等问题,介绍了一种激光直写光刻和光刻胶热熔成型相结合的新的加工技术。为此改造了球面刻划机,搭建了405nm激光曝光光源系统,同时建立三维坐标体系,实现微透镜阵列在球面空间位置的定位。在理论分析和合理设计的基础上,使用BP212正性光刻胶在口径50mm,曲率半径60mm的球面基底上制作出线宽为50μm,矢高为2μm,切面曲率半径约为157μm的微柱面透镜阵列,并给出了测试结果。结果表明:在球面基底曲率半径一定时,通过阶梯升温光刻胶和对其快速冷却等微细加工方法,克服了光刻胶熔融状态时的流动性问题,证明此种加工方法对球面微透镜阵列的制作具有很好的可行性。 展开更多

关键词 球面基底 微透镜阵列 激光直写光刻 光刻胶热熔

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激光直写光刻技术的发展与应用(特邀)

10

作者 陈林森 黄文彬 +4 位作者 浦东林 乔文 周冯斌 眭博闻 孟志 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期278-291,共14页

以“光”为媒介的激光直写技术是研制先进功能材料与功能元器件的重要途径、探索未知光电子世界的窗口,也是通向更高制造目标的桥梁。激光直写产生的微纳结构形貌及其排列所形成的许多新特性、新现象和新机理是研究制备新材料、新器件... 以“光”为媒介的激光直写技术是研制先进功能材料与功能元器件的重要途径、探索未知光电子世界的窗口,也是通向更高制造目标的桥梁。激光直写产生的微纳结构形貌及其排列所形成的许多新特性、新现象和新机理是研究制备新材料、新器件的重要途径,牵引着光电子器件与材料研究和应用的发展,在柔性触控传感、微波天线、薄膜成像器件、3D显示面板、虚实融合光波导镜片等新型信息领域具有巨大的应用价值,引领着激光直写光刻技术向大面积、3D形貌、多维调控方向发展。本文综述了激光直写光刻技术在制备新型微纳结构方面面临的重大挑战以及激光直写光刻技术创新和装备成果,同时展示了该技术在新型显示、大尺寸触控、光场调控等领域的应用。 展开更多

关键词 激光直写光刻技术 微纳光学 3D形貌 新型显示

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球面旋涂胶层厚度分布模型及其实验研究 被引量：2

11

作者 陈龙江 罗剑波 +2 位作者 梁宜勇 张春辉 杨国光 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期470-474,共5页

创建一种光刻胶离心式旋涂过程中基于流体力学分析的凸面胶厚分布及胶厚均匀性模型,根据曲面流体运动方程以及凸面基片的面型特征得到了凸面恒速甩胶过程中胶层厚度的分布公式,结合凸面流体层流条件和牛顿流体的质量连续方程推导出胶厚... 创建一种光刻胶离心式旋涂过程中基于流体力学分析的凸面胶厚分布及胶厚均匀性模型,根据曲面流体运动方程以及凸面基片的面型特征得到了凸面恒速甩胶过程中胶层厚度的分布公式,结合凸面流体层流条件和牛顿流体的质量连续方程推导出胶厚分布与胶液类型、初始胶液粘度和密度、转速、基片几何尺寸以及甩胶时间等参数的关系式,利用光谱椭偏仪和台阶仪所测得的结果对该模型进行了验证,两者有较好的吻合,同时建立了胶厚均匀性与甩胶转速、甩胶时间的关系式,该模型可跟踪、监控和改进预光刻过程中凸面胶层的均匀性,以便改善最后的光刻线条质量。 展开更多

关键词 激光直写光刻(LDW) 曲面甩胶 胶厚分布 胶层均匀性

原文传递

光学工艺 微细加工技术与设备

12

《中国光学》 CAS 2005年第1期96-96,共1页

TN305 2005010726 全数字化激光直写转台系统=An all-digital rotating platform system for laser direct writer[刊,中]／梁宜勇(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室．浙江,杭州(310027))∥光电工程．-2004,31(5)．-1-3,10 为提高极... TN305 2005010726 全数字化激光直写转台系统=An all-digital rotating platform system for laser direct writer[刊,中]／梁宜勇(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室．浙江,杭州(310027))∥光电工程．-2004,31(5)．-1-3,10 为提高极坐标激光直写设备的性能,设计了全数字化的转台系统,增强了与平台、调焦、光强系统的同步。提出数字锁相积分、可编程PID控制及变周期稳速判据等概念,并应用于转台控制器设计。配合改进的快速光强调制系统,使极坐标激光直写设备具备制作精确环、任意孤和变宽线条的能力。图5参5(严寒) 展开更多

关键词 微细加工 光学工艺 全数字化 光刻胶 激光直写技术 曝光量 微电子机械系统 电子技术实验 室温红外探测器 激光直写光刻

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