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三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应
被引量：
2
1
作者
卓青青
刘红侠
王志
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第17期380-385,共6页
本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型,发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型,仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合.然后使用...
本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型,发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型,仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合.然后使用该模型,仿真研究了处于截止态(VD=5 V)的H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.结果表明:随着总剂量水平的增加,器件在同等条件的重离子注入下,产生的最大漏极电流脉冲只是稍有增大,但是漏极收集电荷随总剂量水平大幅增加.
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关键词
单粒子脉冲电流
漏
极
收集
电荷
总剂量效应
原文传递
应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响
2
作者
张倩
郝敏如
《电子科技》
2019年第6期22-25,30,共5页
针对应变SiNMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50nm应变SiNMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至态(Vds=1V)的NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。实验结果表明...
针对应变SiNMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50nm应变SiNMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至态(Vds=1V)的NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。实验结果表明,总剂量辐照引入的氧化层陷阱正电荷使得体区电势升高,加剧了NMOS器件的单粒子效应。在2kGy总剂量辐照下,漏极瞬态电流增加4.88%,而漏极收集电荷增量高达29.15%,表明总剂量辐射对单粒子效应的影响主要体现在漏极收集电荷的大幅增加方面。
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关键词
应变SI
NMOS器件
总剂量辐射
单粒子效应
漏
极
瞬态电流
漏
极
收集
电荷
下载PDF
职称材料
题名
三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应
被引量：
2
1
作者
卓青青
刘红侠
王志
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第17期380-385,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:61076097,60936005)
中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:200110203110012)资助的课题~~
文摘
本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型,发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型,仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合.然后使用该模型,仿真研究了处于截止态(VD=5 V)的H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.结果表明:随着总剂量水平的增加,器件在同等条件的重离子注入下,产生的最大漏极电流脉冲只是稍有增大,但是漏极收集电荷随总剂量水平大幅增加.
关键词
单粒子脉冲电流
漏
极
收集
电荷
总剂量效应
Keywords
single event transient current, collected drain charge, total does ionizing
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响
2
作者
张倩
郝敏如
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《电子科技》
2019年第6期22-25,30,共5页
基金
陕西省科技计划项目(2016GY-085)~~
文摘
针对应变SiNMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50nm应变SiNMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至态(Vds=1V)的NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。实验结果表明,总剂量辐照引入的氧化层陷阱正电荷使得体区电势升高,加剧了NMOS器件的单粒子效应。在2kGy总剂量辐照下,漏极瞬态电流增加4.88%,而漏极收集电荷增量高达29.15%,表明总剂量辐射对单粒子效应的影响主要体现在漏极收集电荷的大幅增加方面。
关键词
应变SI
NMOS器件
总剂量辐射
单粒子效应
漏
极
瞬态电流
漏
极
收集
电荷
Keywords
strained Si
NMOS device
total dose radiation
single event effect
drain transient current
drain collection charge
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应
卓青青
刘红侠
王志
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
原文传递
2
应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响
张倩
郝敏如
《电子科技》
2019
0
下载PDF
职称材料
已选择
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