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金属卤素钙钛矿CsPbBr3的电声耦合输运特性研究
1
作者 杨帆 周贤中 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第2期169-174,共6页
金属卤素钙钛矿CsPbBr_(3)在发光方面(Light emitter)的优良表现吸引了许多人把它作为下一代发光、显示与量子信息的可选材料,但其关键的漂移迁移率会受到声子限制.本文将以第一性原理计算得到CsPbBr_(3)的包括极性光学声子(Polar optic... 金属卤素钙钛矿CsPbBr_(3)在发光方面(Light emitter)的优良表现吸引了许多人把它作为下一代发光、显示与量子信息的可选材料,但其关键的漂移迁移率会受到声子限制.本文将以第一性原理计算得到CsPbBr_(3)的包括极性光学声子(Polar optical phonon)在内的电声耦合特性,然后使用线性玻尔兹曼方程给出在电场下的解,从而得出漂移迁移率.在论文详述中会给出CsPbBr_(3)的各向异性载流子输运特性的研究,为金属卤素钙钛矿的应用提供一些必要信息. 展开更多
关键词 第一性原理计算 电子-声子耦合 漂移迁移率
非晶硒合金膜载流子特性研究 被引量：4
2
作者 徐向晏 牛憨笨 王云程 《光子学报》 EI CAS CSCD 1999年第10期895-900,共6页
在X射线医学成象和无损检测方面，非晶硒现在被认为是最有前途的探测材料之一，其我流子特性对应用至关重要．本文描述了非晶硒（掺砷）合金材料的制备和合金膜的真空蒸镀制备方法，并用滚越时间方法测量了载流于的漂移迁移率和寿命．... 在X射线医学成象和无损检测方面，非晶硒现在被认为是最有前途的探测材料之一，其我流子特性对应用至关重要．本文描述了非晶硒（掺砷）合金材料的制备和合金膜的真空蒸镀制备方法，并用滚越时间方法测量了载流于的漂移迁移率和寿命．讨论了一些对非晶硒合金膜性能有重要影响的因素．实验表明，制备方法对非晶硒合金膜的性能有显著影响．可以看到，在低电场下被陷讲捕获的我流子形成的空间电荷对测量我流永寿命和对光的敏感度有很大影响·实验得到了良好的结果，在10Wpm场强下，空穴迁移长度约150o尸m，电子迁移长度约1200μm．该结果表明，可以用几百微米厚的非晶硒合金膜作为X射线探测或成象的光电导接受器． 展开更多
关键词 非晶硒 渡越时间 漂移迁移率 迁移长度 载流子
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纤锌矿型GaN电子迁移率的计算
3
作者 杨燕 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期513-517,共5页
考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的4种散射机制———电离杂质散射,极化光学波散射,声学波压电散射和声学声子形变势散射的单个平均动量驰豫时间,采用Mattiessensrule计算了不同补偿率以及不同载流子浓度条件下,氮化镓... 考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的4种散射机制———电离杂质散射,极化光学波散射,声学波压电散射和声学声子形变势散射的单个平均动量驰豫时间,采用Mattiessensrule计算了不同补偿率以及不同载流子浓度条件下,氮化镓电子漂移迁移率,霍耳因子以及霍耳迁移率随温度的变化.计算表明,温度小于200K时总霍耳因子随温度的增加而增加,200K时达到峰值1.22,温度大于200K后霍耳因子则随着温度的增大而减小.此外,在包括室温在内的较高温度下,极化光学波散射对电子迁移率的变化起决定作用.温度较低时,声学波压电散射对电子迁移率的影响较大. 展开更多
关键词 氮化镓 电子漂移迁移率 霍耳因子 霍耳迁移率 补偿率
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测量半导体中少子漂移迁移率和扩散长度的新方法 被引量：1
4
作者 李言谨 方家熊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第12期1129-1131,共3页
根据少子衰退的加速度分布，提出了一种测量半导体中少子漂移迁移率的新方法．实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度．
关键词 半导体 少子漂移迁移率 扩散长度 测量
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