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题名非对称MOS源耦对的研究
被引量：5
- 1
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作者
秦世才
陈克
贾香鸾
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机构
南开大学
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期116-120,共5页
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文摘
本文分析了由两个沟道宽长比不同的MOS管组成的非对称源耦对的传输特性,并用这种非对称源耦对组成了实用的差动输入级。合理地选取失配因子θ,可以明显改善MOS差动输入级的动态输入范围和非线性。
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关键词
MOS
源耦对
传输特性
非对称
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分类号
TN72
[电子电信—电路与系统]
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题名非对称MOS源耦对的应用研究
被引量：2
- 2
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作者
邵牟舟
贾香鸾
秦世才
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机构
南开大学电子科学系
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出处
《半导体杂志》
1994年第2期19-23,共5页
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文摘
本文在对非对称ＭＯＳ源耦对深入研究的基础上，提出了它组成模拟平方器、模拟开方器、ＲＭＳ－ＤＣ变换器等电路的理论依据，给出了这些新型电路的结构和ＳＰＩＣＥ模拟的结果，这些电路在ＭＯＳ集成系统中有广泛用途。
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关键词
MOS
集成电路
源耦对
非对称
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Keywords
MOS
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名由非对称MOS源耦对组成的模拟平方器
被引量：2
- 3
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作者
邵牟舟
贾香鸾
秦世才
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机构
南开大学电子科学系
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期39-43,共5页
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文摘
本文在对ＭＯＳ非对称源耦对研究的基础上，提出了一种新型模拟平方器，本文给出了电路结构并进行了理论分析。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明，在±５Ｖ电源电压，±４Ｖ的输入范围内，最大满度误差为±０．４％，－３ｄＢ带宽为３３ＭＨｚ．
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关键词
模拟平方器
高精度平方器
MOS
非对称源耦对
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Keywords
Unsymmetrical source-coupled pair of MOSFET,Analog squarer,High accuracy squarer
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分类号
TN710.2
[电子电信—电路与系统]
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题名一种高线性度的CMOS调幅电路设计
- 4
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作者
田贞富
吴玉广
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机构
西安电子科技大学微电子技术研究所
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出处
《电子设计应用》
2007年第2期92-94,97,共4页
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文摘
本文设计出一种CMOS工艺调幅电路,该电路具有线性输入范围宽、线性度高的特点。文中介绍了该电路的结构,分析了电路基本工作原理,并使用仿真软件Pspice给出了电路的模拟仿真结果。
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关键词
线性化压控源耦对
有源衰减器
CMOS模拟乘法器
幅度调制
正弦脉宽调制
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分类号
TN929.11
[电子电信—通信与信息系统]
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题名低电流比例失调的无电阻带隙基准电压源
被引量：2
- 5
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作者
范楚亮
陈向东
黄炎炎
叶福川
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机构
西南交通大学信息科学与技术学院
西南民族大学王贝玳徵育技术中心
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出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期85-88,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(No.61171050)
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文摘
提出了一种改善电流比例失调的无电阻带隙基准电压源。该电路将传统源耦差分对结构的电压转换器改进为共源共栅结构电流镜,并引入了一对额外的电流镜来钳制漂移,显著改善由沟道长度调制效应所引起的电流镜失调,同时减小了电流比例系数的温度漂移。设计了自偏置电路、启动电路以及简单二阶补偿电路,采用0.5μm BCD工艺仿真,在5 V工作电压下,输出电压有效温度系数为19.8×10–6/(℃–45^+125℃),低频电源抑制比PSRR为–50dB,工作电压在4.0~6.5 V变化时,输出电压变化小于17 mV,电路总功耗约300μW。
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关键词
无电阻带隙基准
源耦差分对
电压转换器
电流比例失调
共源共栅电流镜
温度系数
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Keywords
bandgap reference without resistors
source-coupled differential pair
voltage transfer unit
current ratio drift
cascode current mirror
temperature coefficient
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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