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源漏轻掺杂结构多晶硅薄膜晶体管模拟研究 被引量:3
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作者 纪世阳 李牧菊 杨柏梁 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第2期129-134,共6页
采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流 ,同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果 ,使漏极电流降低到 1 0 - 11A量级 ,晶体管的开关电流比值达到 1 0 6量级。模拟研究掺杂区浓度和宽度与多晶硅薄膜晶体管开关电流比的... 采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流 ,同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果 ,使漏极电流降低到 1 0 - 11A量级 ,晶体管的开关电流比值达到 1 0 6量级。模拟研究掺杂区浓度和宽度与多晶硅薄膜晶体管开关电流比的变化关系。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜晶体管 同型结 热电子 电流 掺杂结构 高清晰度彩色有平板显示 模拟研究
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多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计
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作者 李牧菊 杨柏梁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期414-418,共5页
应用场助热电子发射 (thermionic field em ission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系 ,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制 ,并给出轻掺杂结构参数 (如轻掺杂浓度、... 应用场助热电子发射 (thermionic field em ission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系 ,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制 ,并给出轻掺杂结构参数 (如轻掺杂浓度、轻掺杂区域长度等 )的优化设计 ,为多晶硅薄膜晶体管的器件设计提供了可靠的理论依据 . 展开更多
关键词 多晶硅 掺杂结构 优化设计 薄膜晶体管 热电子发射
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