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全耗尽SOI器件源/漏区抬升结构的形成（英文） 被引量：1
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作者 田明 宋洋 雷海波 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第12期970-977,共8页
介绍了在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)结构上,通过在SOI表面外延生长形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源/漏区抬升结构的方法。研究了不同的工艺参数对外延生长的影响,从而在合适的掺杂浓度下得到均匀的外延生长形貌。提出了两种... 介绍了在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)结构上,通过在SOI表面外延生长形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源/漏区抬升结构的方法。研究了不同的工艺参数对外延生长的影响,从而在合适的掺杂浓度下得到均匀的外延生长形貌。提出了两种新的途径来控制SOI的厚度:采用一种新的方法生长垫氧层,以及在源漏区外延生长前,在衬底外延生长硅薄膜层,从而补偿工艺导致的SOI损耗。这两种新的方法使SOI厚度增加了约5 nm。工艺优化后的FDSOI器件沟道厚度约为6 nm,源漏外延层厚度为20~30 nm。最后,阐述了外延成分对器件电学性能的影响。 展开更多
关键词 全耗尽绝缘体上硅(FDSOI) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 源/漏区抬升结构 外延生长 绝缘体上硅(SOI)损耗
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