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纳米CMOS器件中源/漏串联电阻栅长相关性研究
1
作者
马丽娟
李茹
《电子测试》
2020年第8期30-33,共4页
本文利用恒定迁移率、直接Id-Vgs和Y函数三种方法对纳米CMOS器件中提取的源/漏串联电阻(Rsd)与器件栅长(L)相关性进行了研究。结果表明,采用恒迁移率方法得到的Rsd具有与栅长无关的特性,纳米小尺寸CMOS器件的Rsd值在14.3Ω~10.9Ω之间...
本文利用恒定迁移率、直接Id-Vgs和Y函数三种方法对纳米CMOS器件中提取的源/漏串联电阻(Rsd)与器件栅长(L)相关性进行了研究。结果表明,采用恒迁移率方法得到的Rsd具有与栅长无关的特性,纳米小尺寸CMOS器件的Rsd值在14.3Ω~10.9Ω之间。直接Id-Vgs和Y函数方法都得到了与L相关的Rsd值,误差分析发现从直接Id-Vgs和Y函数两种方法中提取的Rsd对L依赖性与提取过程中的栅极电压导致有效沟道迁移率(μeff)降低有关,推导过程中忽略了这种影响,Rsd值叠加了一个与栅长相关的量。本文计算了这个叠加的误差值,并得到消除此误差值之后各个栅长器件的Rsd值。
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关键词
CMOS器件
源
/
漏
串联电阻
栅长
相关性
下载PDF
职称材料
亚100纳米MOS半导体器件技术探讨
被引量：
1
2
作者
刘文安
黄如
张兴
《世界产品与技术》
2003年第9期30-36,34-36,共7页
尽管在过去40年中,IC行业的基本元件——MOS管和基本的电路拓扑逻辑——CMOS都没有根本性的革新,但可以相信,在今后15年内,MOS和CMOS仍然是工业界的主流。在可以预见的很长的一段时间内,没有任何新器件能够对MOS管的地位形成真正的挑战。
关键词
MOS半导体器件
多晶硅耗尽效应
栅介质
载流子迁移率
源
漏
串联电阻
亚100纳米
下载PDF
职称材料
考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型
被引量：
1
3
作者
郜锦侠
张义门
张玉明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第10期1296-1300,共5页
在考虑源漏串联电阻的基础上 ,建立了一组适用于 Si C PMOSFET的解析模型 .
关键词
6H—SiC
PMOSFET
源
漏
串联电阻
解析模型
下载PDF
职称材料
题名
纳米CMOS器件中源/漏串联电阻栅长相关性研究
1
作者
马丽娟
李茹
机构
南京高等职业技术学校
出处
《电子测试》
2020年第8期30-33,共4页
基金
南京市“十三五”教育科学规划课题““3+4”分段模式下以培养计算思维能力为目标的C语言程序设计课程改革研究(L/2018/280)”
江苏省职业教育教学改革研究课题“职业学校STEAM课程促进学生创新能力培养研究(ZYB36)”。
文摘
本文利用恒定迁移率、直接Id-Vgs和Y函数三种方法对纳米CMOS器件中提取的源/漏串联电阻(Rsd)与器件栅长(L)相关性进行了研究。结果表明,采用恒迁移率方法得到的Rsd具有与栅长无关的特性,纳米小尺寸CMOS器件的Rsd值在14.3Ω~10.9Ω之间。直接Id-Vgs和Y函数方法都得到了与L相关的Rsd值,误差分析发现从直接Id-Vgs和Y函数两种方法中提取的Rsd对L依赖性与提取过程中的栅极电压导致有效沟道迁移率(μeff)降低有关,推导过程中忽略了这种影响,Rsd值叠加了一个与栅长相关的量。本文计算了这个叠加的误差值,并得到消除此误差值之后各个栅长器件的Rsd值。
关键词
CMOS器件
源
/
漏
串联电阻
栅长
相关性
Keywords
CMOS device
source/drain series resistance
gate length
dependence
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
亚100纳米MOS半导体器件技术探讨
被引量：
1
2
作者
刘文安
黄如
张兴
机构
北京大学微电子学研究院
出处
《世界产品与技术》
2003年第9期30-36,34-36,共7页
文摘
尽管在过去40年中,IC行业的基本元件——MOS管和基本的电路拓扑逻辑——CMOS都没有根本性的革新,但可以相信,在今后15年内,MOS和CMOS仍然是工业界的主流。在可以预见的很长的一段时间内,没有任何新器件能够对MOS管的地位形成真正的挑战。
关键词
MOS半导体器件
多晶硅耗尽效应
栅介质
载流子迁移率
源
漏
串联电阻
亚100纳米
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型
被引量：
1
3
作者
郜锦侠
张义门
张玉明
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第10期1296-1300,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 760 47)~~
文摘
在考虑源漏串联电阻的基础上 ,建立了一组适用于 Si C PMOSFET的解析模型 .
关键词
6H—SiC
PMOSFET
源
漏
串联电阻
解析模型
Keywords
H-SiC
PMOSFET
source/drain series resista nces
analytical model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米CMOS器件中源/漏串联电阻栅长相关性研究
马丽娟
李茹
《电子测试》
2020
0
下载PDF
职称材料
2
亚100纳米MOS半导体器件技术探讨
刘文安
黄如
张兴
《世界产品与技术》
2003
1
下载PDF
职称材料
3
考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型
郜锦侠
张义门
张玉明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
下载PDF
职称材料
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