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题名退火温度对硅基溅射铜膜应力的影响
被引量：16
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作者
吴桂芳
史守华
何玉平
王磊
陈良
孙兆奇
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机构
安徽大学物理系
中国科学院固体物理所内耗与固体缺陷开放实验室
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出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第2期139-142,共4页
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基金
国家自然科学基金 (No .5 9972 0 0 1)
安徽省教育厅科研基金 (No .99JL0 0 2 4)资助课题
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文摘
采用光学相移法 ,对Si基片上Cu膜应力随退火温度的变化进行了研究。研究表明 :随退火温度的升高 ,Cu膜应力减小 ,2 0 0℃时平均应力减小为 - 0 2 6 1× 10 8Pa,且应力分布均匀 ,在选区范围内应力差仅为 2 2 4 4× 10 8Pa。同时用X射线衍射技术测量分析了Cu膜经过不同退火温度热处理后的微结构组织 。
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关键词
溅射cu膜
退火温度
微结构
应力
光学相移法
硅基片
集成电路
铜薄膜
微电子技术
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Keywords
Sputtering cu film,Annealing temperature,Microstructure,Stress,Optical phase shift technology
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
O484.2
[理学—固体物理]
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