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自制溅射负离子源电离器的材料、结构、制作及使用情况
被引量:
1
1
作者
周俊思
邱长青
+1 位作者
徐天冰
杨国梁
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第6期376-380,共5页
介绍自制溅射型负离子源及其关键部件——电离器的材料、结构、制作及使用情况。得到碳束C^-总流强>780μA,硅束Si-250μA.此电离器先后在2×1.7MV串列加速器的进口溅射源及200kV离子注入机自制溅射源上使用,寿命3000h。
关键词
溅射
负
离子源
电离器
钽同轴线
离子源
下载PDF
职称材料
题名
自制溅射负离子源电离器的材料、结构、制作及使用情况
被引量:
1
1
作者
周俊思
邱长青
徐天冰
杨国梁
机构
中国科学院物理研究所
沈阳有色金属加工厂研究所
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第6期376-380,共5页
文摘
介绍自制溅射型负离子源及其关键部件——电离器的材料、结构、制作及使用情况。得到碳束C^-总流强>780μA,硅束Si-250μA.此电离器先后在2×1.7MV串列加速器的进口溅射源及200kV离子注入机自制溅射源上使用,寿命3000h。
关键词
溅射
负
离子源
电离器
钽同轴线
离子源
Keywords
Sputter negative ion source Ionizer Tantalum coaxial line
分类号
TL503.3 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
自制溅射负离子源电离器的材料、结构、制作及使用情况
周俊思
邱长青
徐天冰
杨国梁
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992
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