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溅射偏压对柔性衬底ITO薄膜结构和光电特性的影响 被引量:4
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作者 杨田林 高绪团 韩圣浩 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第7期6-10,共5页
用磁控溅射工艺,在柔性衬底上,在不同直流偏压条件下,制备了ITO(氧化铟锡)透明导电膜。最佳直流负偏压为40 V,此时制备的薄膜,其自由载流子霍耳迁移率有最大值为89.3 cm2/(V·s),薄膜的电阻率有最小值为6.3104W·cm,在可见光范... 用磁控溅射工艺,在柔性衬底上,在不同直流偏压条件下,制备了ITO(氧化铟锡)透明导电膜。最佳直流负偏压为40 V,此时制备的薄膜,其自由载流子霍耳迁移率有最大值为89.3 cm2/(V·s),薄膜的电阻率有最小值为6.3104W·cm,在可见光范围内相对透过率为80%左右。X射线衍射谱表明:薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的c轴具有(222)方向的择优取向,最大晶粒尺寸为55 nm。并重点讨论了薄膜的结构、电学和光学特性与衬底负偏压的关系。 展开更多
关键词 溅射偏压 ITO薄膜 光电特性 共振吸收
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衬底温度和溅射偏压对ZnO:Al透明导电膜结构和光电特性的影响 被引量:1
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作者 杨田林 韩圣浩 +1 位作者 张鹏 王爱芳 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期31-34,共4页
利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和7059玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的 ZnO:Al透明导电膜。研究了薄膜的结构和光电特性与衬底温度的关系,薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的 c 轴具有[002]方向的择优取向,薄膜的最低... 利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和7059玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的 ZnO:Al透明导电膜。研究了薄膜的结构和光电特性与衬底温度的关系,薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的 c 轴具有[002]方向的择优取向,薄膜的最低电阻率分别为 1.01×10–3ù·cm 和 8.48×10–4ù·cm,在可见光区的平均透过率分别达到了72%和 85%。并研究了溅射偏压对有机衬底 ZnO:Al 薄膜结构及光电特性影响,最佳负偏压为 60 V。 展开更多
关键词 ZNO:AL薄膜 衬底温度 溅射偏压 膜结构 光电性质
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溅射偏压对Cu膜屈服强度的影响 被引量:1
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作者 王飞 徐可为 《自然科学进展》 北大核心 2003年第12期1334-1337,共4页
用高真空磁控溅射在Si片上沉积纯Cu膜,通过纳米压入实验得到薄膜硬度和弹性模量,模型和数值计算相结合得到薄膜屈服强度.结果表明溅射偏压对薄膜屈服强度影响较大,可以使薄膜在比较厚的情况下得到和数百纳米厚的薄膜相似的高屈服强度.... 用高真空磁控溅射在Si片上沉积纯Cu膜,通过纳米压入实验得到薄膜硬度和弹性模量,模型和数值计算相结合得到薄膜屈服强度.结果表明溅射偏压对薄膜屈服强度影响较大,可以使薄膜在比较厚的情况下得到和数百纳米厚的薄膜相似的高屈服强度.其主要原因是溅射偏压改变了薄膜的晶粒取向和晶粒尺寸. 展开更多
关键词 纳米压入 薄膜材料 屈服强度 磁控溅射 溅射偏压
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磁控溅射技术制备Al_2O_3掺杂ZnO透明导电膜的性能
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作者 田力 唐世洪 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2011年第1期322-324,共3页
以纯度为99.9%的98%(质量分数)ZnO、2%(质量分数)Al_2O_3陶瓷靶为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Al_2O_3掺杂的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光谱仪等方法测试和分析了不同衬底温度、溅射偏压以... 以纯度为99.9%的98%(质量分数)ZnO、2%(质量分数)Al_2O_3陶瓷靶为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Al_2O_3掺杂的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光谱仪等方法测试和分析了不同衬底温度、溅射偏压以及退火工艺对ZAO薄膜形貌结构、光电学性能的影响。结果表明,在衬底温度200℃、溅射时间30min、负偏压60V、退火温度300℃时制得的薄膜的可见光透过率为81%,最低电阻率为9.2×10^(-1)Ω·cm。 展开更多
关键词 ZNO 磁控溅射 衬底温度 溅射偏压 退火工艺
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溅射偏压对CrN薄膜结构以及抗指纹性能的影响
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作者 王银燕 张保举 鲍明东 《宁波工程学院学报》 2021年第4期1-6,共6页
试验采用磁控溅射镀膜技术制备CrN薄膜,研究了不同溅射偏压下制成的薄膜的粗糙度、表面形貌、断面特征、人工汗液接触角的变化规律以及薄膜的抗指纹性能。结果表明:随着溅射偏压(0 V~120 V)的增加,其粗糙度增加、表面颗粒凸起数量增加... 试验采用磁控溅射镀膜技术制备CrN薄膜,研究了不同溅射偏压下制成的薄膜的粗糙度、表面形貌、断面特征、人工汗液接触角的变化规律以及薄膜的抗指纹性能。结果表明:随着溅射偏压(0 V~120 V)的增加,其粗糙度增加、表面颗粒凸起数量增加、薄膜厚度逐渐减小。当溅射偏压大于60 V时,薄膜则因偏压的增大导致其表面能增加,薄膜的晶粒尺寸变大、生长取向从择优取向转变为多方向取向。当溅射偏压大于60 V时,薄膜与人工汗液的接触角明显降低,薄膜表面的残留指纹宽度显著增加,说明CrN薄膜在溅射偏压为60 V时抗指纹性能最优。 展开更多
关键词 磁控溅射 溅射偏压 表面形貌 接触角 抗指纹性能
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溅射偏压对TC17合金涂层生长的影响研究
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作者 王敏涓 黄浩 +3 位作者 文懋 李虎 张书铭 黄旭 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期498-502,共5页
SiC纤维增强钛基复合材料(SiCf/Ti)具有优良的力学性能,是航空领域重要的高温结构材料;高质量的先驱丝(带金属涂层的SiC纤维)是研制复合材料的关键,而这主要受溅射工艺的影响。本文采用磁控溅射法沉积TC17合金涂层,研究了沉积过程... SiC纤维增强钛基复合材料(SiCf/Ti)具有优良的力学性能,是航空领域重要的高温结构材料;高质量的先驱丝(带金属涂层的SiC纤维)是研制复合材料的关键,而这主要受溅射工艺的影响。本文采用磁控溅射法沉积TC17合金涂层,研究了沉积过程中溅射偏压对涂层生长情况的影响规律,通过X射线衍射(XRD)、俄歇电子(AES)、扫描电镜(SEM)、表面轮廓仪和纳米压痕仪分别对涂层的晶体结构、成分、微观形貌、应力、弹性模量及硬度进行了分析。结果表明溅射偏压对合金涂层应力影响显著,随着负偏压的增大,涂层应力由张应力向压应力转变;由于压应力有利于涂层与纤维的结合,因此在高偏压下涂层与纤维的结合情况较好且生长致密;而偏压对涂层组成物相和弹性模量的影响较小;涂层硬度随负偏压的增大总体呈现增大的趋势。 展开更多
关键词 溅射偏压 TC17 涂层生长
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一种等离子体增强非平衡磁控溅射方法
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《表面技术》 EI CAS CSCD 2008年第6期80-80,共1页
本发明属于材料表面改性技术领域,特别涉及到磁控溅射沉积技术。该技术通过两个相对放置的ECR放电腔磁场线圈产生的磁场和平衡磁控靶磁场在沉积室叠加形成会切场磁场位型,该磁场位型有效地约束ECR放电和平衡磁控靶放电产生的等离子体... 本发明属于材料表面改性技术领域,特别涉及到磁控溅射沉积技术。该技术通过两个相对放置的ECR放电腔磁场线圈产生的磁场和平衡磁控靶磁场在沉积室叠加形成会切场磁场位型,该磁场位型有效地约束ECR放电和平衡磁控靶放电产生的等离子体,在薄膜生长表面形成高密度的离子、激活基团,通过控制基片位置、溅射偏压、沉积偏压等工艺参数, 展开更多
关键词 非平衡磁控溅射 等离子体增强 表面改性技术 磁场线圈 沉积技术 溅射偏压 放电腔 薄膜生长
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