为更好实现微带电路设计人员设计意图，提高微带片光刻精度，本文介绍了使用新型湿膜抗蚀剂（Wet Film Photoresis)替代干膜抗蚀剂（Dry Film Photoresist)的工艺改进方法；从结构和原理上分析了干膜与湿膜的不同，给出了对比的实验结...为更好实现微带电路设计人员设计意图，提高微带片光刻精度，本文介绍了使用新型湿膜抗蚀剂（Wet Film Photoresis)替代干膜抗蚀剂（Dry Film Photoresist)的工艺改进方法；从结构和原理上分析了干膜与湿膜的不同，给出了对比的实验结果；用湿膜可较好做出50－100微米（2－4mil)线条、间隙，明显提高了工艺精度。展开更多
文摘为更好实现微带电路设计人员设计意图，提高微带片光刻精度，本文介绍了使用新型湿膜抗蚀剂（Wet Film Photoresis)替代干膜抗蚀剂（Dry Film Photoresist)的工艺改进方法；从结构和原理上分析了干膜与湿膜的不同，给出了对比的实验结果；用湿膜可较好做出50－100微米（2－4mil)线条、间隙，明显提高了工艺精度。
