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等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量 被引量：2
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作者 柳洪超 鲁毅 +6 位作者 刘霞 郭国建 吴立军 李颖 黄辉 李本涛 徐云霞 《化学分析计量》 CAS 2013年第6期26-28,共3页
针对分光光度法测定游离总硅含量受干扰因素多、测试数据不稳定的缺点，探讨了采用ICP-AES法测定碳化硅中游离总硅含量。采用行星球磨仪对碳化硅样品进行研磨，以硝酸钠、硝酸、氢氟酸作溶剂，采用微波消解法处理样品。选择212．412nm... 针对分光光度法测定游离总硅含量受干扰因素多、测试数据不稳定的缺点，探讨了采用ICP-AES法测定碳化硅中游离总硅含量。采用行星球磨仪对碳化硅样品进行研磨，以硝酸钠、硝酸、氢氟酸作溶剂，采用微波消解法处理样品。选择212．412nm特征谱线并以其强度U）与对应的硅浓度（c）建立校准曲线，硅的质量浓度在10-100μg／mL范围内与特征谱线强度呈良好的线性关系，线性方程为I=233．76c＋86．94，线性相关系数间．997，检出限为0．027μg／mL。测定结果的相对标准偏差为1．35％～2．79%（n=6）。加标回收率为97．6％～108．0％。该法测定碳化硅中游离总硅含量是可行的。 展开更多
关键词 碳化硅 游离总硅 含量 测定
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