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玻璃微流检测芯片厚胶光刻温度条件的平衡优化
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作者 李其昌 李兵伟 +1 位作者 陈宏 李江 《新技术新工艺》 2016年第10期39-42,共4页
采用正性光刻胶AZ 4620进行玻璃微流检测芯片的厚胶光刻制备,试验了各工艺阶段不同的温度参数条件对光刻胶浮雕面形、光刻胶与玻璃基质的粘附性、光刻胶在刻蚀液中的耐受时间、刻蚀速率和最大刻蚀深度等因素的影响。结果表明,软烘温度... 采用正性光刻胶AZ 4620进行玻璃微流检测芯片的厚胶光刻制备,试验了各工艺阶段不同的温度参数条件对光刻胶浮雕面形、光刻胶与玻璃基质的粘附性、光刻胶在刻蚀液中的耐受时间、刻蚀速率和最大刻蚀深度等因素的影响。结果表明,软烘温度直接影响曝光显影工艺质量;后烘温度对显影效果有一定影响;坚膜温度对光刻胶浮雕面形、耐受时间有较大影响;而刻蚀环境温度直接影响着刻蚀速率、刻蚀深度和刻蚀面形效果。经平衡优化后,得出了理想的温度参数选取方案。 展开更多
关键词 微流检测芯片 紫外厚胶光刻 温度平衡优化
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